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一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法
專利內(nèi)容是本發(fā)明針對背景技術(shù)存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應(yīng)力產(chǎn)生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應(yīng)用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。
電子科技大學(xué)
2021-02-01
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一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜、其制備方法及用途
本發(fā)明公開一種糖基/磺化改性親和聚合物中空纖維分離膜及其制備方法。該膜由聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂和糖類高分子組成，在優(yōu)選的原料與比例下對LDL有良好的特異性吸附作用，且具有良好的穩(wěn)定性和生物相容性，可重復(fù)使用，成本低廉，有望投入大規(guī)模臨床應(yīng)用。其制備方法包括以下過程:將膜用聚合物樹脂、磺化聚合物樹脂、糖類高分子、致孔劑按一定比例溶于溶劑，制成均一的紡絲制膜液，將紡絲制膜液過濾、真空脫泡后，通過浸沒沉淀相轉(zhuǎn)化法紡絲制備中空纖維成膜，然后將所制得的中空纖維膜依次在去離子水和超純水充分漂洗。本發(fā)明采用的共混溶解制備法具有操作簡便安全、原材料廉價易得等優(yōu)點。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術(shù)指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)
天津大學(xué)
2021-04-11
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超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法
簡介：本發(fā)明提供一種超晶格結(jié)構(gòu)的納米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制備方法,屬于材料表面技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明該超硬膜是由電弧離子鍍的納米晶體相Cr2N和磁控濺射鍍的非晶體相WC層交替沉積而成,并且,超晶格的調(diào)制周期為10～20nm,Cr2N單層和WC單層的厚度分別為8～14nm和2～6nm。本發(fā)明的優(yōu)點在于:Cr2N層與WC層交替分布實現(xiàn)了Cr-N基膜成分多元化和結(jié)構(gòu)多層化,解決了抗氧化性較強的Cr-N基膜獲得超高硬度的難題,同時非晶WC層進一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蝕性能,滿足不能熱處理的
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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復(fù)極式離子膜電解槽極網(wǎng)自動化激光焊接成套技術(shù)裝備
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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低能耗低污染膜/生物反應(yīng)器（MBR） 污水處理技術(shù)與設(shè)備
技術(shù)特點及優(yōu)勢 1、對現(xiàn)有的用于污水處理的膜進行改性，提高膜通量，減小跨膜壓力。膜通量較現(xiàn)有膜提高2倍以上，跨膜壓力只有1米左右水柱。 2、突破了以往MBR膜都是與泥水直接接觸的固有形式，對MBR結(jié)構(gòu)進行了改進，減少膜與污泥、胞外聚合物（EPS）等膜污染關(guān)鍵物質(zhì)的接觸，可以極大緩解膜污染問題； 3 、采用的廉價耐污染膜材料，延長膜的使用壽命，降低運行成本； 4 、控制反應(yīng)器微生物處于內(nèi)源呼吸期，反應(yīng)器中能有效建立細菌—原生動物—后生動物微生態(tài)系
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復(fù)合膜、其制備方法及 應(yīng)用。所述復(fù)合膜，包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層，所述 納米石墨烯底層厚度在 4000nm 至 6000nm 之間，所述納米氫氧化鈷表 層厚度在 50nm 至 100nm 之間，所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所 述納米石墨烯底層上。其制備方法，包括以下步驟：將氧化石墨烯均 勻分散于水中，涂敷在片狀導(dǎo)電基底上，干燥得到納米氧化石墨烯膜； 組建三電極體系采用
華中科技大學(xué)
2021-04-14
適用于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置
本發(fā)明屬于柔性膜質(zhì)量檢測設(shè)備相關(guān)領(lǐng)域，并公開了一種適用 于對移動中的柔性膜執(zhí)行標識的多自由度打標裝置，包括支撐組件、 傳動組件、動力組件、打標針組件和記號筆組件，其中支撐組件可實 現(xiàn)打標裝置的機械連接，同時還具有導(dǎo)向和位置調(diào)節(jié)的功能；動力組 件為打標裝置提供可控的動力，傳動組件可適于在運動中多自由度地 驅(qū)動打標針組件和記號筆組件，并提供高精度的打標操作；打標針組 件和記號筆組件分別可在柔性膜上打出針孔和顏色標記，并檢測標記 是否成功完成。通過本發(fā)明，在高速運動過程中也能夠高精度、穩(wěn)定 可靠地執(zhí)行打標操作，而且反應(yīng)靈敏度高，因而尤其適用于 RFID 標 簽之類對表面標識質(zhì)量高的運用場合。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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西湖大學(xué)人工光合作用與太陽能燃料中心揭示自然界氧氣形成新機制
近期，西湖大學(xué)人工光合作用與太陽能燃料中心孫立成實驗室在探索這一未解之謎的過程中取得進展。
西湖大學(xué)
2023-03-06
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PX氧化反應(yīng)過程性能指標實時預(yù)測與 工藝操作在線優(yōu)化
在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中，大規(guī)模的工業(yè)生產(chǎn)和日益激烈的市場化競爭，使得企業(yè)越來越需要對整個生產(chǎn)過程進行總體優(yōu)化操作，以得到最優(yōu)生產(chǎn)過程。因此，為了最大限度發(fā)揮過程系統(tǒng)的生產(chǎn)潛力，取得最大的經(jīng)濟效益，必須隨著實際操作環(huán)境和市場要求的變化及時地進行操作條件的優(yōu)化，采用實時在線優(yōu)化技術(shù)將穩(wěn)態(tài)操作點逐漸移到相應(yīng)工況的最佳操作點區(qū)域。對二甲苯（PX）氧化反應(yīng)單元在精對苯二甲酸（PTA）生產(chǎn)過程中處于核心地位，它直接關(guān)系到PTA產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)量、醋酸燃燒損失以及PX單耗等。本項目基于PX氧化反應(yīng)動力學(xué)，結(jié)合人工智能方法建立了PX氧化反應(yīng)過程工藝機理數(shù)學(xué)模型，并依據(jù)工業(yè)裝置數(shù)據(jù)采用隨機搜索算法對該模型進行了優(yōu)化校正，形成了能準確描述生產(chǎn)裝置特性的機理模型；同時建立了PX與HAC的燃燒損失智能預(yù)測模型；建立了PX氧化過程的在線實時流程模擬系統(tǒng)，實現(xiàn)了關(guān)鍵性能指標4-CBA濃度以及PX和HAC燃燒損失的在線實時預(yù)測；對PX氧化過程的工藝操作條件進行了在線實時優(yōu)化，降低了PX和HAC的燃燒損失，確保生產(chǎn)裝置運行在最佳狀態(tài)，產(chǎn)生了顯著經(jīng)濟效益
華東理工大學(xué)
2021-04-11