一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法

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專利內容是本發明針對背景技術存在的缺陷，提出了一種單晶石榴石厚膜的間歇式液相外延生長方法，緩解了襯底與薄膜之間的應力產生，得到的單晶石榴石厚膜可作為磁光或微波厚膜應用，該方法制得的磁光厚膜的厚度可達100µm以上。