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形成了具有中國(guó)自身特色的材料基因工程數(shù)據(jù)共享平臺(tái)技術(shù)，并據(jù)此建成便捷實(shí)用的數(shù)據(jù)服務(wù)平臺(tái)?；诓牧匣蚬こ趟枷?，在國(guó)家“863”計(jì)劃（2015AA034201）支持下，建設(shè)國(guó)家材料科學(xué)數(shù)據(jù)共享網(wǎng) 2.0 版。2017 年 5 月完成建設(shè)并實(shí)現(xiàn)上線運(yùn)行訪問(wèn)，滿(mǎn)足材料基因工程數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與管理需要（http://www.materdata.cn/）。該平臺(tái)同時(shí)承擔(dān)國(guó)家“863”計(jì)劃和北京市科技支撐計(jì)劃材料基因工程項(xiàng)目（D16110300240000）的數(shù)據(jù)匯交任務(wù)。材料基因工程數(shù)據(jù)共享平臺(tái)于2018年4月3日在北京舉辦的“863”課題驗(yàn)收會(huì)議上成功驗(yàn)收，并得到專(zhuān)家認(rèn)可。專(zhuān)家委員會(huì)主席秦高梧教授認(rèn)為：初步構(gòu)建了材料基因工程數(shù)據(jù)共享平臺(tái)的框架，具有查詢(xún)、檢索、統(tǒng)計(jì)、下載以及對(duì)接數(shù)據(jù)挖掘等功能；初步形成了集熱力學(xué)計(jì)算、動(dòng)力學(xué)計(jì)算、有限元模擬、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)分析的多層次跨尺度一體化設(shè)計(jì)方法。為滿(mǎn)足該平臺(tái)的數(shù)據(jù)匯交和數(shù)據(jù)共享，開(kāi)發(fā)了材料科學(xué)數(shù)據(jù)DOI 注冊(cè)軟件[MaterDataDOI] v1.0，并獲得了該軟件的著作權(quán)（北京科技大學(xué)，2017SR056658）。除公益性數(shù)據(jù)互聯(lián)網(wǎng)共享服務(wù)外，同時(shí)面向鋼鐵、有色等行業(yè)，提供定向資源共享以及專(zhuān)題性定制服務(wù)，探索公益性共享與定向服務(wù)數(shù)據(jù)共享機(jī)制和方式。

提出了一種通過(guò)調(diào)節(jié)鹵素的取代位置以引入分子內(nèi)鹵鍵來(lái)提高UOP材料QE的新策略。其中，CzS2Br的磷光效率高達(dá)52.10％，這是迄今為止報(bào)道的單組分有機(jī)長(zhǎng)余輝效率最高值。通過(guò)系統(tǒng)地研究發(fā)現(xiàn)，作者指出分子內(nèi)鹵鍵（intramolecular halogen bonding，分子內(nèi)鹵氧相互作用）是獲得高效率UOP材料的關(guān)鍵所在。分子內(nèi)鹵鍵不僅能夠通過(guò)促進(jìn)自旋-軌道耦合以提高分子系間竄躍效率，還可以抑制激發(fā)態(tài)分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)，從而限制分子的非輻射躍遷。

已有樣品/n中科院半導(dǎo)體所是國(guó)內(nèi)最早開(kāi)展 GaN 基電子材料研發(fā)的單位，并一直在該領(lǐng)域起著引領(lǐng)、 示范和帶動(dòng)作用。經(jīng)過(guò)盡二十年的自主創(chuàng)新，攻克了 2 英寸和3英寸藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)材料等方面形成了系統(tǒng)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，設(shè)計(jì)并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子材料，并實(shí)現(xiàn)了批量供片。市場(chǎng)預(yù)期：該技術(shù)是采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）

熱電材料是能夠?qū)崿F(xiàn)熱能與電能直接相互轉(zhuǎn)換的新能源材料，在熱電制冷和廢熱發(fā)電等方面有著廣泛的應(yīng)用前景，對(duì)于提高現(xiàn)有能源利用率和緩解能源危機(jī)有重要作用。相比于傳統(tǒng)熱電材料PbTe，SnTe由于其廉價(jià)、環(huán)保等優(yōu)勢(shì)而被廣為關(guān)注。然而由于其極低的賽貝克系數(shù)（seebeck coefficient）長(zhǎng)久以來(lái)SnTe的最高以及平均熱電轉(zhuǎn)換效率都遠(yuǎn)低于PbTe。 文章指出在銦元素?fù)诫s引入共振能級(jí)的情況下，將SnTe與AgSbTe2復(fù)合，從而在優(yōu)化材料功率因子的同時(shí)，降低了材料的晶格熱導(dǎo)率。此外，透射電鏡表明兩者是以完全固溶的形式而非兩相復(fù)合的形式存在。最終，在873K時(shí)的最高zT優(yōu)值達(dá)到1.3，并在323K-873K溫度區(qū)間內(nèi)的平均zT優(yōu)值達(dá)到0.84，是本征SnTe的3.44倍，為目前該體系平均zT值的最高水平。這種將引入共振能級(jí)和多相固溶結(jié)合起來(lái)的方法，也為提升其他體系熱電材料的性能指出了一個(gè)值得嘗試的方向。

品摩擦特性穩(wěn)定、磨損率 小、耐高溫，具有傳扭柔和平穩(wěn)、使用壽命長(zhǎng)、耐高溫和過(guò)載保護(hù)能力 強(qiáng)等突出優(yōu)點(diǎn)。 申報(bào)發(fā)明專(zhuān)利和實(shí)用新型專(zhuān)利18項(xiàng)，全部技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，國(guó) 防科工局鑒定結(jié)論認(rèn)為整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。性能指標(biāo)：1

內(nèi)容介紹： 首創(chuàng)了一種有機(jī)-無(wú)機(jī)納米復(fù)合材料的制備技術(shù)，操作工藝簡(jiǎn)單、無(wú) 污染，納米粒子分散均勻，所制備的材料耐熱性好、機(jī)械強(qiáng)度高、摩擦 系數(shù)低、耐磨性好。 該技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，獲發(fā)明專(zhuān)利1項(xiàng)。性能指標(biāo)：

本項(xiàng)目提供一種耐熱型全生物降解材料的制備方法，以聚乳酸材料為基體樹(shù)脂，加入的耐熱改性劑成本較低，且與聚乳酸一樣可完全生物降解，生產(chǎn)過(guò)程所用設(shè)備簡(jiǎn)單，只須在通用設(shè)備上做一些改進(jìn)，所制備的耐熱材料與進(jìn)口料相比有明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)。主要技術(shù)參數(shù)：產(chǎn)品生產(chǎn)周期小于40s, 耐熱溫度超過(guò)100℃。可用于一次性餐具的生產(chǎn)。

內(nèi)容介紹： 本項(xiàng)目圍繞探測(cè)器用CdZnTe晶體的制備與開(kāi)發(fā)應(yīng)用，釆用改進(jìn)的垂直 布里奇曼技術(shù)，通過(guò)合理設(shè)計(jì)成分以及選擇合適的摻雜元素和摻雜量，探 索了優(yōu)化的晶體生長(zhǎng)和退火改性工藝，生長(zhǎng)出滿(mǎn)足探測(cè)器要求的高性能 CdZnTe晶體。圍繞對(duì)X射線和y射線等不同能量射線檢測(cè)及應(yīng)用的要求， 解決了探測(cè)器用CdZnTe晶體的磨拋加工、表面處理以及接觸電極的制備難 題，建立了探測(cè)器用CdZnTe晶片的篩選機(jī)制和生產(chǎn)線