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中國科學院大學
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高性能氮化鎵基電子材料

2021-01-12 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
關鍵詞: 電子材料
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所屬領域:
高端裝備制造
項目成果/簡介:

已有樣品/n中科院半導體所是國內最早開展 GaN 基電子材料研發的單位,并一直在該領域起著引領、 示范和帶動作用。經過盡二十年的自主創新,攻克了 2 英寸和3英寸藍寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關鍵科學技術問題,在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質結結構材料等方面形成了系統的自主知識產權,設計并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質結構電子材料,并實現了批量供片。市場預期:該技術是采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)

項目階段:
小批量或小范圍應用
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