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主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管?；诰A級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關(guān)比（>105）和較高的開態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本發(fā)明公開了一種非晶合金零件的快速成形方法，包括首先對(duì) 電磁成形系統(tǒng)中的電容器充電，然后采用電脈沖放電對(duì)非晶合金進(jìn)行 快速升溫使其溫度升至過冷液態(tài)溫度，在溫度達(dá)到設(shè)定溫度停止電脈 ·549·沖放電，同時(shí)使所述電磁成形系統(tǒng)的電容器放電，產(chǎn)生電磁力并驅(qū)動(dòng) 過冷液態(tài)的非晶合金變形至模具中，即可實(shí)現(xiàn)非晶合金零件的快速成 形。本發(fā)明還公開了利用上述方法所制備的非晶合金零件。本發(fā)明通 過對(duì)熱塑性成形過程中的加熱方式、成形驅(qū)動(dòng)方式

本發(fā)明公開了一種非晶基復(fù)合材料的制備方法，其特征在于， 包括：將片狀非晶合金與增韌第二相材料交替層疊后置于夾具中，其 中所述增韌第二相為板狀且上下表面開有陣列通孔的結(jié)構(gòu)；在恒壓或 漸增載荷的條件下，對(duì)層疊的非晶合金及多孔板加熱，同時(shí)對(duì)其實(shí)施 超聲振動(dòng)，非晶合金迅速軟化并被壓入第二相增韌板的孔中，使得非 晶相合金與增韌第二相的界面冶金良好結(jié)合，而且成形過程中不會(huì)發(fā) 生晶化，從而獲得塑形良好的非晶合金復(fù)合材料。本發(fā)明還公

本發(fā)明公開了一種基于洛倫茲力的非晶合金成形方法及裝置， 該方法包括：非晶合金樣件在感應(yīng)電流的作用下升溫至過冷液態(tài)區(qū)， 同時(shí)在洛倫茲力的驅(qū)動(dòng)下變形至模具冷卻成形；感應(yīng)電流和洛倫茲力均由成形線圈放電產(chǎn)生，感應(yīng)電流由設(shè)置在成形線圈周圍的導(dǎo)體在成 形線圈放電過程中感應(yīng)產(chǎn)生，洛倫茲力由放電過程中成形線圈產(chǎn)生的 磁場(chǎng)與非晶合金樣件流過的感應(yīng)電流共同作用產(chǎn)生，導(dǎo)體與非晶合金 樣件構(gòu)成感應(yīng)回路，以使感應(yīng)電流流過所述非晶合金樣件。非晶合金 樣件的升溫、成形、冷卻過程在數(shù)毫秒脈沖放電時(shí)間內(nèi)一次完成，具 有升溫、成形、冷

本發(fā)明公開了一種利用選區(qū)激光熔化制備非晶合金及其復(fù)合材 料零件方法，運(yùn)用這種方法，可以制備出尺寸較大、形狀復(fù)雜、強(qiáng)度 較高、成分均勻、晶化較少的非晶合金及其復(fù)合材料零件。該方法具 體包括如下步驟：(1)非晶粉末制備，(2)非晶復(fù)合粉末制備，(3)零件模 型準(zhǔn)備，(4)基板安裝，(5)氣氛保護(hù)，(6)紅光定位，(7)激光加工，(8) 熱處理。本發(fā)明將選區(qū)激光熔化(Selective-Laser-Melting,SLM)技術(shù)運(yùn)用

成功開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型淺色導(dǎo)電晶須，用晶須替代納米顆粒作為基體制備導(dǎo)電填料加入纖維基體中，具有比導(dǎo)電超細(xì)顆粒更好的分散性，而且由于晶須是棒狀結(jié)構(gòu)，分散在纖維中可以通過搭接的方式首尾相接，更利于纖維導(dǎo)電。淺色導(dǎo)電晶須的開發(fā)研究對(duì)白色導(dǎo)電纖維的制備提供了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)，葛明橋教授團(tuán)隊(duì)開發(fā)的白色導(dǎo)電纖維經(jīng)檢測(cè)達(dá)到 109?（熔融紡絲）和 106?（濕法紡絲）達(dá)到導(dǎo)電纖維要求，是國(guó)內(nèi)導(dǎo)電纖維領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破，可提高白色導(dǎo)電纖維自產(chǎn)率，應(yīng)用前景廣闊。 關(guān)鍵技術(shù) （1）將高速攪拌與化學(xué)共沉積法結(jié)合，制備出的淺色導(dǎo)電二氧化鈦納米晶須的電阻率達(dá)到了 103 ?•cm。 （2）將納米晶須添加入紡絲液中，通過濕法紡絲方法制備出復(fù)合導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 106?。 （3）與企業(yè)合作制備導(dǎo)電母粒，進(jìn)而通過熔融紡絲方法制備出各種復(fù)合結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電纖維，該種纖維的電阻達(dá)到了 109?。 知識(shí)產(chǎn)權(quán)及項(xiàng)目獲獎(jiǎng)情況 發(fā)表學(xué)術(shù)論文 9 篇；申請(qǐng)專利 6 項(xiàng) 項(xiàng)目成熟度 建立了 50L 的納米晶須合成反應(yīng)釜，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn) 投資期望及應(yīng)用情況 目前已與部分企業(yè)合作，成功制備該導(dǎo)電材料并應(yīng)用于化纖、纖維素等。

本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可 見及近紅外的波段范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延 遲器由兩個(gè)同種材料或者不同材料的四分之一零級(jí)波片構(gòu)成，該兩零 級(jí)波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個(gè)四分 之一零級(jí)波片的中心波長(zhǎng)在波段范圍內(nèi)，且滿足使得兩零級(jí)波片組成 的雙波片在該波段范圍內(nèi)各波長(zhǎng)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的相位延遲量δe(λ)與理想相 位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)有的雙波片相比， 該相位延遲器將兩個(gè)零級(jí)波片光軸按 45°組合，而不是 90°，得到的 雙波片相位延遲器在全波段內(nèi)有更好的消色差等特性，能夠滿足光譜 橢偏測(cè)量等寬光譜光學(xué)系統(tǒng)的使用要求。 

本發(fā)明的Ｓｉ基微機(jī)械懸臂梁耦合間接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)包括懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，用于耦合部分待測(cè)信號(hào)，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的間接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的耦合信號(hào)

本發(fā)明的Ｓｉ基微機(jī)械懸臂梁耦合直接加熱式毫米波信號(hào)檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率合成／分配器、直接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在所測(cè)信號(hào)頻率范圍內(nèi)的中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。功率通過輸入端口對(duì)應(yīng)的ＣＰＷ信號(hào)線終端的直接加熱式微波功率傳感器進(jìn)行檢測(cè)；頻率檢測(cè)通過利用直接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路在中心頻率處相位差為９０度的

本發(fā)明的硅基懸臂梁耦合間接加熱式未知頻率毫米波相位檢測(cè)器，結(jié)構(gòu)由懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)、功率分配／合成器、間接加熱式微波功率傳感器和開關(guān)構(gòu)成。懸臂梁耦合結(jié)構(gòu)上下左右對(duì)稱，包括兩組懸臂梁，每組懸臂梁由兩個(gè)對(duì)稱的懸臂梁構(gòu)成，兩個(gè)懸臂梁之間ＣＰＷ傳輸線的電長(zhǎng)度在中心頻率３５ＧＨｚ處為λ／４。為實(shí)現(xiàn)未知頻率毫米波相位的檢測(cè)，首先進(jìn)行頻率檢測(cè)，頻率檢測(cè)通過利用間接加熱式微波功率傳感器測(cè)量?jī)陕吩谥行念l率３５ＧＨｚ處相位差為９０度的耦合信號(hào)的合成功率實(shí)現(xiàn)；相位檢測(cè)通過將兩路相位差為９０度的耦合信號(hào)分別同兩路等分后的參考信