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一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置
本發(fā)明公開了一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置，包 括 Z 向進(jìn)給模塊、傳動模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進(jìn)給模塊用于帶動背板上下運(yùn)動；氣路模塊中的真空發(fā)生器用 于產(chǎn)生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯(lián)接，在花鍵軸內(nèi)部產(chǎn) 生真空環(huán)境；傳動模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時姿態(tài)的精準(zhǔn)度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內(nèi)嵌的密封墊產(chǎn)生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進(jìn)而使吸嘴頭產(chǎn)生不同尺寸的真空域。通過本發(fā)明，應(yīng)能夠僅 采用一
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路
本發(fā)明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片解調(diào)電路， 包括整流電路、取包絡(luò)電路、低通濾波電路、均值產(chǎn)生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級和輔助級構(gòu)成， 采用閾值補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)，取包絡(luò)電路在使能控制電路控制下提取包絡(luò)，低 通濾波電路直接采用 RC 結(jié)構(gòu)，均值產(chǎn)生電路由運(yùn)算放大器、二極管 和電容構(gòu)成，利用峰值檢測的原理實(shí)現(xiàn)，比較器采用開環(huán)的運(yùn)算放大 器實(shí)現(xiàn)，整形電路由兩個級聯(lián)的反相器構(gòu)成，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，并包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊通過通訊與控制信號
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種高分子聚合物微流控芯片的制備方法
本發(fā)明涉及一種微流控芯片制作技術(shù)，主要用于高分子聚合物材質(zhì)微流控芯片制作，其特征在于利用 CNC 雕刻機(jī)直接加工微流控設(shè)備， 即利用數(shù)控軟件進(jìn)行微流控芯片的通道設(shè)計(jì)，得到相應(yīng)的雕刻路徑， 編寫雕刻用代碼；將雕刻代碼導(dǎo)入控制 CNC 雕刻機(jī)的軟件中，對要進(jìn)行制作的高分子聚合物材料進(jìn)行制作；圖案制作結(jié)束后，根據(jù)不同要求，封接芯片，即可得到功能化的微流控設(shè)備。 技術(shù)特點(diǎn)：極大的降低高分子聚合物微流控芯片的制作成本，簡單易用，快速制備，有利于芯片的大批量生產(chǎn)，并能靈活的調(diào)節(jié)芯片 微通道深度，有利于實(shí)現(xiàn)微流控
蘭州大學(xué)
2021-01-12
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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料
具有超高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定和可批量制備特點(diǎn)的全新二維半導(dǎo)體芯片材料（硒氧化鉍，Bi 2 O 2 Se），在場效應(yīng)晶體管器件、量子輸運(yùn)和可見光探測方面展現(xiàn)出優(yōu)異性能。由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(yīng)(從可見光到1700 nm短波紅外區(qū))，并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區(qū)1200nm處靈敏度高達(dá)~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態(tài)掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒（10 -12 秒）的本征超快光電流響應(yīng)時間。化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成，晶體中氧的存在，使其在空氣中具有極佳的穩(wěn)定性，完全可暴露于空氣中存放數(shù)月且保持穩(wěn)定。
北京大學(xué)
2021-04-11
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基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的可重構(gòu)類腦計(jì)算芯片及支撐系統(tǒng)研發(fā)
研發(fā)階段/n主要研究支持神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的設(shè)計(jì)自動化工具及FPGA驗(yàn)證系統(tǒng)，設(shè)計(jì)自動化工 具本身針對ASIC和FPGA都適用。 項(xiàng)目主要研究：（1）研究基于模型層的設(shè)計(jì)空間探索方法;（2）研究可重構(gòu) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)硬件單元抽象和歸約方法；（3）開發(fā)面向嵌入式、功耗約束下的FPGA神 經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片系統(tǒng)，突破神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片設(shè)計(jì)小型化遇到的關(guān)鍵難題。本項(xiàng)目提出的自 動綜合工具至少支持CNN 等兩類不同神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)拓?fù)洌С諧affe配置文件prototex 拓?fù)涿枋稣Z言，生成的FPGA芯片，性能比CPU快1個數(shù)量級，能效比
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法
本發(fā)明公開了一種用于多自由度倒裝鍵合過程的芯片控制方法，其主要控制過程包括：獲取芯片的貼裝位置信息；鍵合頭拾取芯片，獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和 X/Y 直線軸的角度及位置粗調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行粗調(diào)的同時，實(shí)現(xiàn) X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸的當(dāng)前實(shí)際角度值，并在逐次選擇 X/Y 旋轉(zhuǎn)軸執(zhí)行角度閉環(huán)控制的同時，實(shí)現(xiàn)另外兩直線軸的位置閉環(huán)跟隨控制；獲取芯片 Z 旋轉(zhuǎn)軸和X/Y 直線軸的角度及位置精調(diào)偏差值，然后在執(zhí)行精調(diào)的同時，實(shí)現(xiàn)X/Y 直線軸的閉環(huán)跟隨控制。通過本發(fā)明，可使得芯片
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種紅外圖像與波前雙模一體化成像探測芯片，包括：陶瓷外殼、金屬支撐與散熱板、驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡，驅(qū)控與預(yù)處理模塊、面陣非制冷紅外探測器、以及面陣紅外折射微透鏡同軸順序設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部設(shè)置于金屬支撐與散熱板頂部，驅(qū)控與預(yù)處理模塊設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐與散熱板連接處，面陣非制冷紅外探測器設(shè)置于驅(qū)控與預(yù)處理模塊頂部，面陣紅外折射微透鏡設(shè)置于面
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?/span>
本發(fā)明公開了一種用于光纖與芯片間光信號傳輸?shù)乃今詈掀?件，包括第一采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第一模斑， 第二采集模塊，用于引導(dǎo)和收集一階線偏振模式中第二模斑，耦合模 塊，設(shè)有第一傳輸通道、第二傳輸通道和主通道，第一傳輸通道接收 第一模斑，第二傳輸通道接收第二模斑，并通過模場的空間疊加實(shí)現(xiàn) 從耦合模塊的主傳輸通道輸出一階橫電模。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了將光纖中一 階線偏振模式轉(zhuǎn)化為芯片中的一階橫電模同時也保證了基模
華中科技大學(xué)
2021-04-14