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二維Bi2O2Se超快高敏紅外芯片材料

2021-04-11 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
關鍵詞: 二維Bi2O2Se
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項目成果/簡介:

具有超高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定和可批量制備特點的全新二維半導體芯片材料(硒氧化鉍,Bi 2 O 2 Se),在場效應晶體管器件、量子輸運和可見光探測方面展現出優異性能。


由Bi 2 O 2 Se制備成的原型光電探測器件具有很寬的光譜響應(從可見光到1700 nm短波紅外區),并同時具有很高的靈敏度(在近紅外二區1200nm處靈敏度高達~65A/W)。 而利用飛秒激光器組建的超快光電流動態掃描顯示Bi 2 O 2 Se光電探測器具有約1皮秒(10 -12 秒)的本征超快光電流響應時間。


化合物由交替堆疊的Bi 2 O 2 和Se層組成,晶體中氧的存在,使其在空氣中具有極佳的穩定性,完全可暴露于空氣中存放數月且保持穩定。

項目階段:
未應用
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