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通過(guò)電輸運(yùn)、掃描隧道譜、比熱、抗磁性等系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)研究并結(jié)合第一性原理計(jì)算，在摻硫的第二類拓?fù)渫鉅柊虢饘俣诨f單晶中發(fā)現(xiàn)了非平庸超導(dǎo)態(tài)的特征。實(shí)驗(yàn)中所使用的硫摻雜的高質(zhì)量二碲化鉬晶體是通過(guò)化學(xué)氣相輸運(yùn)的方法合成的，摻雜比例約為0.2。 首先通過(guò)準(zhǔn)粒子干涉實(shí)驗(yàn)與第一性原理計(jì)算相結(jié)合，在樣品表面探測(cè)到了費(fèi)米弧拓?fù)浔砻鎽B(tài)的存在。最后通過(guò)掃描隧道譜學(xué)和比熱的測(cè)量對(duì)比，發(fā)現(xiàn)樣品表面態(tài)的超導(dǎo)能隙遠(yuǎn)大于體態(tài)的超導(dǎo)能隙，而且該樣品表面態(tài)的能隙與臨界溫度的比值（Δ/kBTc）約為8.6，遠(yuǎn)大于常規(guī)超導(dǎo)材料的能隙與臨界溫度的比值（約為1.76），表明了表面態(tài)具有非常規(guī)超導(dǎo)庫(kù)珀對(duì)配對(duì)機(jī)制，極可能是拓?fù)涑瑢?dǎo)的普適特征。然后通過(guò)電輸運(yùn)測(cè)量和比熱測(cè)量，發(fā)現(xiàn)這種材料為s波超導(dǎo)體，且它的超導(dǎo)能隙的帶間耦合很強(qiáng)，超導(dǎo)對(duì)稱性應(yīng)為s+- 對(duì)稱性。這可能是繼鐵基高溫超導(dǎo)之后，又一種新的s+-超導(dǎo)體。而且根據(jù)理論預(yù)言，拓?fù)渫鉅柊虢饘僦衧+-對(duì)稱性的超導(dǎo)態(tài)會(huì)形成拓?fù)涑瑢?dǎo)態(tài)。摻硫的第二類拓?fù)渫鉅柊虢饘俣诨f單晶中拓?fù)涑瑢?dǎo)特征的發(fā)現(xiàn)，證實(shí)了外爾半金屬中實(shí)現(xiàn)拓?fù)涑瑢?dǎo)的可行性，推動(dòng)了拓?fù)涑瑢?dǎo)相關(guān)領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，也為拓?fù)淞孔佑?jì)算機(jī)的最終實(shí)現(xiàn)奠定了前期的科研基礎(chǔ)。圖一. 電磁輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的s+- 超導(dǎo)的證據(jù)，揭示拓?fù)涑瑢?dǎo)的可能性。 (A) 電磁輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)的測(cè)量示意圖。 (B) 超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度附近的電阻率-溫度關(guān)系。(C) 各個(gè)溫度和磁場(chǎng)下的電阻率。(D) 超導(dǎo)上臨界磁場(chǎng)和溫度的關(guān)系。紅色的線是兩帶超導(dǎo)模型的擬合曲線，擬合結(jié)果發(fā)現(xiàn)帶間耦合比較大，表明該超導(dǎo)行為是s+- 超導(dǎo)。圖二. 掃描隧道顯微鏡觀發(fā)現(xiàn)表面態(tài)的超導(dǎo)能隙遠(yuǎn)超過(guò)體態(tài)的超導(dǎo)能隙，揭示出拓?fù)涑瑢?dǎo)的可能性。(A) 4 K和0.4 K下樣品表面的微分電導(dǎo)dI/dV譜。在0.4 K下，超導(dǎo)能隙是1.7 meV，遠(yuǎn)大于體態(tài)的超導(dǎo)能隙，且能隙與臨界溫度的比值約為約為8.6，遠(yuǎn)大于常規(guī)超導(dǎo)材料的能隙與臨界溫度的比值（1.76）。4 K時(shí)樣品處于非超導(dǎo)態(tài)。(B) 0.4 K超導(dǎo)dI/dV譜和各向同性BCS超導(dǎo)譜的對(duì)比。(C) 0.4 K時(shí)，不同磁場(chǎng)下的超導(dǎo)dI/dV譜，超導(dǎo)能隙被外加磁場(chǎng)所抑制。

本發(fā)明涉及一種利用 GPU 實(shí)現(xiàn)外輻射源雷達(dá)多通道時(shí)域雜波抑制的方法，主要解決雷達(dá)探測(cè)環(huán)境 中的雜波抑制問(wèn)題。主要步驟為:首先獲取校準(zhǔn)后參考和監(jiān)測(cè)通道數(shù)據(jù)，并分配計(jì)算所需內(nèi)存、顯存; 然后加載數(shù)據(jù)到 GPU 顯存，采用迭代算法計(jì)算自相關(guān)矩陣 Rx，求逆得利用參考和監(jiān)測(cè)通道數(shù)據(jù)計(jì)算互 相關(guān)矩陣 C，計(jì)算與 C 乘積得到矩陣 D，計(jì)算參考通道數(shù)據(jù)與矩陣 D 乘積得到監(jiān)測(cè)通道中直達(dá)波與多徑 分量從監(jiān)測(cè)通道數(shù)據(jù)中減去得到目標(biāo)回波分量;最后釋放已分配的內(nèi)存、顯存。本發(fā)明克服了迭代類雜 波抑制算法收斂速度和穩(wěn)定性等難以確定的困難，降低了 ECA 及 ECA-B 算法的時(shí)間和空間復(fù)雜度，并 具有平臺(tái)搭建簡(jiǎn)單、穩(wěn)定性好、運(yùn)算速度快、擴(kuò)展性強(qiáng)、易于開(kāi)發(fā)等優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型提供一種用于外泌體分離、富集和檢測(cè)的微流體芯片，包括底板、頂板以及位于所述底板和頂板之間的檢測(cè)板，所述檢測(cè)板內(nèi)設(shè)有液體檢測(cè)腔，所述液體檢測(cè)腔能夠?qū)⒛蛞褐械耐饷隗w收集于其中，并達(dá)到檢測(cè)的要求。本實(shí)用新型通過(guò)芯片收集后利用ELISA檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)，可用于檢測(cè)尿液樣本或膀胱癌細(xì)胞系培養(yǎng)液上清中外泌體的含量，具有高度特異性的特點(diǎn)。本實(shí)用新型對(duì)排出人體之外的尿液進(jìn)行收集，不會(huì)對(duì)人體造成任何影響或創(chuàng)傷，也不需要昂貴且精密的實(shí)驗(yàn)儀器（如超速離心機(jī)、熒光顯微鏡），具有很大的應(yīng)用前景。

一、成果簡(jiǎn)介 “雙歧桿菌胞外多糖結(jié)構(gòu)鑒定、功能評(píng)價(jià)及活性產(chǎn)品的研制”受到國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863 項(xiàng)目)項(xiàng)目(編號(hào)：2008AA10Z324)與國(guó)家科技支撐計(jì)劃項(xiàng)目(編號(hào)：2006BABO4A06)的資助。該研究以我國(guó)廣西巴馬百歲以上長(zhǎng)壽老人腸道分離到的雙歧桿菌及其胞外多糖(EPS)為材料，較系統(tǒng)、全面地進(jìn)行了結(jié)構(gòu)鑒定、功能評(píng)價(jià)及活性產(chǎn)品的研制。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于隨機(jī)和連續(xù)磁盤訪問(wèn)的高速核外圖處理 方法及系統(tǒng)，屬于大數(shù)據(jù)領(lǐng)域的圖計(jì)算與處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括： 應(yīng)用于 I/O 操作子模塊的核外數(shù)據(jù)的快速索引機(jī)制，采用內(nèi)存映射的 方式快速處理核外數(shù)據(jù)；應(yīng)用于算法調(diào)度子模塊的基于位圖管理的同 步與異步模型相結(jié)合的混合調(diào)度策略，達(dá)到減少迭代次數(shù)并節(jié)省內(nèi)存 的目的；應(yīng)用于數(shù)據(jù)管理子模塊的中間計(jì)算數(shù)據(jù)的“核內(nèi)”置放與處 理策略，達(dá)到減少中間計(jì)算數(shù)據(jù)的額外 I/O 開(kāi)

由世界中醫(yī)藥學(xué)會(huì)聯(lián)合會(huì)(簡(jiǎn)稱“世界中聯(lián)”)主辦，山東中醫(yī)藥大學(xué)、濟(jì)南市衛(wèi)生和計(jì)劃生育委員會(huì)、濟(jì)南市中醫(yī)藥管理局承辦的“世界中聯(lián)外治方法技術(shù)專業(yè)委員會(huì)第二屆學(xué)術(shù)年會(huì)”于2018年10月17-18日在中國(guó)山東濟(jì)南隆重召開(kāi)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 EOC5510符合IEEE802.11a標(biāo)準(zhǔn)，外殼采用IP65工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，防雨防塵。內(nèi)置8dbi定向天線，并采用PoE供電，安裝簡(jiǎn)單方便。    EOC5510具有AP、客戶端多種工作模式，一機(jī)多用，最大限度的保護(hù)您的投資。    安全性方面，采用最新的WPA2加密和認(rèn)證方式，最大限度的保證您的數(shù)據(jù)安全。    54M高速連接    符合IEEE 802.11a 標(biāo)準(zhǔn)    發(fā)射功率高達(dá)23dbm    支持點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)(P2MP)無(wú)線連接和WDS分布系統(tǒng)    支持WPA2/WPA/802.1x加密及認(rèn)證方式    11g保護(hù)模式，使b/g混合模式下11g的效率更高    PoE供電，兼容802.3af    支持MAC地址過(guò)濾    可透過(guò)Web /SNMP管理    VPN 透?jìng)?nbsp;   LED 顯示信號(hào)強(qiáng)度    PPPoE(路由橋模式下)    符合IP65室外設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),防風(fēng)、防雨、防水    工作溫度范圍寬，環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)    內(nèi)置8dbi平板天線

本發(fā)明公開(kāi)了一種混合等離子效應(yīng)輔助的槽式波導(dǎo)TE模檢偏器，該檢偏器由下至上依次為硅基襯底、掩埋氧化層、檢偏部件和上包層，其中掩埋氧化層生長(zhǎng)于硅基襯底的上表面，上包層覆蓋掩埋氧化層的上表面，檢偏部件水平生長(zhǎng)于掩埋氧化層的上表面，并被上包層覆蓋；所述檢偏部件包括輸入波導(dǎo)、過(guò)渡波導(dǎo)A、直通波導(dǎo)、過(guò)渡波導(dǎo)B，輸出波導(dǎo)和右路直通波導(dǎo)。本發(fā)明提供的槽式波導(dǎo)TE模檢偏器具有低插入損耗、高消光比、大制造容差以及大工作帶寬的優(yōu)點(diǎn)。

非阿貝爾Majorana零能模的出現(xiàn)和其超導(dǎo)/超流載 體本身的拓?fù)涮匦詿o(wú)關(guān)，即無(wú)論在拓?fù)淦椒不蚍瞧椒驳亩S超導(dǎo)或超流中，均可以獲得滿足非阿貝爾統(tǒng)計(jì)的馬約拉納零 能模，并由此提出實(shí)現(xiàn)馬約拉納零能模的最小化物理實(shí)驗(yàn)?zāi)Ｐ汀?