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磁致伸縮導波單方向檢測方法
磁致伸縮導波單方向檢測方法，屬于無損檢測領域。該方法將兩激勵信號分別輸入兩激勵傳感器，在待測構件中激勵出單向傳播的導波，兩接收傳感器分別接收導波信號，選擇將其中一個接收傳感器接收的導波信號延時處理后與另一個接收傳感器接收的導波信號相減，最終得到與導波同向的檢測信號。本發明利用雙磁致伸縮激勵傳感器進行激勵，疊加后的激勵信號幅值加倍，從而提高了激勵能量，也提高了信噪比；同時，本發明利用雙磁致伸縮接收傳感器進行接收，接收到的兩個導波信號通過信號疊加處理能進一步提高信噪比，提高了缺陷的檢測精度。
華中科技大學
2021-04-14
磁約束脈沖渦流檢測方法與裝置
本發明涉及無損檢測領域，并公開了一種磁約束脈沖渦流檢測 方法與裝置。其方法是在被測構件表面設置一個圓環形永磁體，其上 下端面為磁極且極性相反，并使永磁體的中心線與被測構件表面的法 線重合；依次同軸設置接收線圈和激勵線圈在永磁體的內部；在激勵 線圈中加載直流電流，以產生穩恒的一次磁場；在關閉激勵線圈中的 直流電流的同時，測量接收線圈的感應電壓，得到檢測信號。其裝置 包括脈沖渦流傳感器、激勵控制單元、信號處理單元、A/D 轉換單元 和計算處理器，脈沖渦流傳感器中設置有圓環形永磁體。本發明利用 上下端面為磁極的圓環形永磁體，在被測構件中產生垂直于其表面的 偏置磁場，約束了被測構件中感應渦流的向外擴散，可有效提高檢測 靈敏度。
華中科技大學
2021-04-11
ZnO@ZIF-8核殼結構微球及其制備方法
本發明公開了一種ZnO@ZIF-8核殼結構微球及其制備方法。微球由ZnO和ZIF-8組成核殼結構微球，其中，核為ZnO、殼為ZIF-8，球狀ZnO核的直徑為250～300nm、表面為粗糙面，ZIF-8殼厚為40～60nm，其由塊狀多面體構成，微球的比表面積≥300m2/g；方法為先按照重量比為3.5～7.5：250的比例，將兩水合醋酸鋅加入二乙二醇中，并于140～180°C下回流至少1h，得到反應液，再待反應液冷卻至室溫后，對其依次進行固液分離、洗滌和干燥的處理，得到球狀ZnO，接著，按照重量比為0
安徽建筑大學
2021-01-12
核殼結構NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法
本發明公開了核殼結構NiO-CdS同軸納米纖維及其制備方法。以醋酸鎳、草酸銨和三乙胺為反應原料，水浴反應后，收集含鎳沉淀物，煅燒獲得NiO納米粉。稱取0.1gNiO，加入到30mL含一定量醋酸鎘水溶液中，超聲分散10～20分鐘，得分散液A；稱取1mmol硫脲，加入30mL去離子水，滴加0.1mL乙二胺，溶解得溶液B；將溶液B加入到分散液A中，磁力攪拌12小時后，置于家用微波爐中，低火加熱30分鐘；反應結束后，趁熱過濾沉淀物，即得本發明的核殼結構NiO-CdS同軸納米纖維。核殼結構NiO-CdS同軸納
安徽建筑大學
2021-01-12
一種核殼結構合金納米顆粒的制備方法
本發明公開了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包括：使用有機硅烷偶聯劑在氧化物基底表面生長出自組裝單分子層。隨后在生長有自組裝單分子層的基底表面通過原子層沉積生長一種金屬核心，接著在金屬核心上通過原子層沉積選擇性地生長另一種包覆核心的金屬殼層。該方法可以通過調節原子層沉積的生長循環次數控制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發明使用的基底改性方法實現核殼結構合金顆粒的制備，由于采用了原子層沉積的工藝，因此對于生長的核殼結構合金顆粒能夠達到納米級的可控性。并且基于基底改性的方法對
華中科技大學
2021-04-14
一種核殼結構合金納米顆粒的制備方法
本發明公開了一種核殼型合金納米顆粒的制備方法。該方法包 括：使用有機硅烷偶聯劑在氧化物基底表面生長出自組裝單分子層。 隨后在生長有自組裝單分子層的基底表面通過原子層沉積生長一種金 屬核心，接著在金屬核心上通過原子層沉積選擇性地生長另一種包覆 核心的金屬殼層。該方法可以通過調節原子層沉積的生長循環次數控 制核心尺寸與殼層厚度，以及核與殼的合金成分比例。按照本發明使 用的基底改性方法實現核殼結構合金顆粒的制備，由于采用了原子層 沉積的工藝，因此對于生長的核殼結構合金顆粒能夠達到納米級的可 控性。并且基于
華中科技大學
2021-04-14
一種磁隧道結及其制備方法
本發明公開了一種磁隧道結及其制備方法。磁隧道結包括第一 電極層，以及依次形成在第一電極層上的第一磁性層、絕緣隧穿層、 第二磁性層和第二電極層；第一磁性層和第二磁性層至少其中之一為 CoFe(R)/FePt 結構；CoFe(R)/FePt 結構由 CoFe(R)層和 FePt 層疊加而 成，CoFe(R)層較 FePt 層靠近所述絕緣隧穿層；CoFe(R)層的材料為摻 入 R 的 CoFe，R 為 B、Al 和 Ni 至少其中之一。
華中科技大學
2021-04-14
酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種酸性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用酸性烤藍工藝在軟磁合金粉末表面包覆由尺寸均勻的納米Fe3O4形成的包覆層，經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型的軟磁復合材料。本發明的優點是：采用酸性烤藍工藝制備Fe3O4方法簡單，并且容易控制Fe3O4層的厚度, 由于該反應是原位反應，因此制備的絕緣層致密，與磁粉的結合度高。與傳統的軟磁復合材料相比，由于絕緣層為亞鐵磁性的Fe3O4，有效減少了磁稀釋現象，從而可以得到具有高飽和磁通密度、高磁導率的軟磁復合材料。
浙江大學
2021-04-11
堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法
本發明公開了一種堿性烤藍工藝制備高飽和磁通密度軟磁復合材料的方法。采用堿性烤藍工藝使磁粉表面氧化生成一層均勻的Fe3O4的絕緣層，然后經粘結、壓制成型、熱處理工藝，制備新型軟磁復合材料。本發明的優點是：采用堿性烤藍工藝制備的Fe3O4是在軟磁粉末的表面原位生長，因此絕緣包覆層與磁粉之間結合度高，并且包覆均勻致密；由于Fe3O4具有較高的電阻率，因此具有較好的絕緣效果；另一方面，用亞鐵磁性的Fe3O4作為絕緣包覆劑，克服了傳統非磁性物質作為包覆劑的磁稀釋現象，可以獲得更高的磁導率及磁通密度；堿性烤藍工藝操作簡單，成本較低，有利于實現工業化生產。
浙江大學
2021-04-11
一種基于缺陷磁泄漏域反向場的漏磁檢測方法與裝置
本發明公開了一種基于磁真空泄漏原理的漏磁檢測方法及其裝置。該方法為①將待檢測導磁構件磁化；②在上述被磁化的導磁構件外圍，剔除已有背景磁場，形成磁真空區域；③采用磁敏元件布置于磁真空區域，拾取無磁壓縮效應的缺陷漏磁場并轉化為電壓信號，如果電壓信號中存在突變，則說明待檢測導磁構件中存在缺陷，否則無缺陷。裝置采用穿過式線圈對被檢測導磁構件實施局部磁化，以便激發出該磁化區域內導磁構件上缺陷的漏磁場；在其內腔布置永磁體對，產生反向磁場與原背景磁場疊加抵消，形成磁真空區域以供缺陷的漏磁場泄漏擴散進來，同時消除由
華中科技大學
2021-04-14