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科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
新型硅基環(huán)柵納米線MOS?器件
已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過(guò)采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無(wú)損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測(cè)試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開(kāi)啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場(chǎng)提供了一種新選擇。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
陽(yáng)離子基阻變器件電流-保持特性
已有樣品/n通過(guò)石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數(shù)量，集中化/離散化陽(yáng)離子基阻變器件中導(dǎo)電通路的分布來(lái)調(diào)控其穩(wěn)定性,此工作是該領(lǐng)域首次在相同結(jié)構(gòu)阻變器件中實(shí)現(xiàn)電流-保持特性的雙向調(diào)控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調(diào)控方法，也能夠移植應(yīng)用到離子電池，離子傳感等研究領(lǐng)域。
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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高速光通信用微結(jié)構(gòu)光纖器件
項(xiàng)目簡(jiǎn)介本成果提出新型微結(jié)構(gòu)光纖器件，提出基于非對(duì)稱(chēng)耦合理論的實(shí)現(xiàn)模式轉(zhuǎn)換、波分 復(fù)用等功能器件。已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利 6 項(xiàng)，其中已授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利 3 項(xiàng)（ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6）。 性能指標(biāo) （1）模式轉(zhuǎn)換效率可達(dá) 80%以上，帶寬在 100 nm 以上。 （2）實(shí)現(xiàn) 1310、1550 nm 波長(zhǎng)復(fù)用、解復(fù)用，消光比低于-25 dB。 適用范圍、市場(chǎng)前景 適用范圍：高速光通信關(guān)鍵器件，組成高速、大容量光 通信
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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極深紫外光源與納米器件制造
徐永兵課題組于2014年啟動(dòng)了國(guó)家重大儀器研究計(jì)劃（飛秒級(jí)時(shí)間分辨并自旋分辨電子能譜探測(cè)系統(tǒng)，項(xiàng)目編號(hào)61427812）。此項(xiàng)目就是旨在建立國(guó)內(nèi)第一套極深紫外的光源系統(tǒng)。目前已經(jīng)成功地在實(shí)驗(yàn)室中，實(shí)現(xiàn)了波長(zhǎng)為120~24 nm左右的脈沖光源，脈沖重復(fù)頻率為1kHz，單個(gè)脈沖為30fs。單個(gè)光子能量最大到50 eV左右，亮度為1 ′ 1011光子/s。從光
南京大學(xué)
2021-04-14
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低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時(shí)，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對(duì)擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開(kāi)關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)
武漢大學(xué)
2021-04-14
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高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件
高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利12項(xiàng)（5項(xiàng)授權(quán)）。項(xiàng)目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項(xiàng)目研究成果，填補(bǔ)了我國(guó)在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種仿人機(jī)械臂體感控制系統(tǒng)及控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種仿人機(jī)械臂體感控制系統(tǒng)及控制方法，引入 臂型角來(lái)定義手臂肩關(guān)節(jié)、肘關(guān)節(jié)和腕關(guān)節(jié)形成的平面與參考平面的 夾角大小。通過(guò)手掌和肩關(guān)節(jié)的位置差來(lái)確定手臂末端的位置，手臂 末端的姿態(tài)通過(guò)手掌、拇指和手掌末端形成的平面與肩關(guān)節(jié)坐標(biāo)系的 相對(duì)姿態(tài)來(lái)確定。得到人體手臂的臂型角以及手臂末端的位置和姿態(tài)， 就可以由控制系統(tǒng)計(jì)算出機(jī)械臂的七個(gè)自由度的角度，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)械 臂的精確控制。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn):基于手臂臂 型角的仿人機(jī)械臂體感的控制方法，將人體手臂的位置和姿態(tài)進(jìn)行了 完整的定義，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種仿人機(jī)械臂體感控制系統(tǒng)及控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種仿人機(jī)械臂體感控制系統(tǒng)及控制方法，引入 臂型角來(lái)定義手臂肩關(guān)節(jié)、肘關(guān)節(jié)和腕關(guān)節(jié)形成的平面與參考平面的 夾角大小。通過(guò)手掌和肩關(guān)節(jié)的位置差來(lái)確定手臂末端的位置，手臂 末端的姿態(tài)通過(guò)手掌、拇指和手掌末端形成的平面與肩關(guān)節(jié)坐標(biāo)系的 相對(duì)姿態(tài)來(lái)確定。得到人體手臂的臂型角以及手臂末端的位置和姿態(tài)， 就可以由控制系統(tǒng)計(jì)算出機(jī)械臂的七個(gè)自由度的角度，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)械 臂的精確控制。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：基于手臂臂 型角的仿人機(jī)械臂體感的控制方法，將人體手臂的位置和姿態(tài)進(jìn)行了 完整的定義，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
二氧化碳 間接式 感溫自啟動(dòng)滅火裝置
裝置構(gòu)成及原理由裝有滅火劑的容器、容器閥、充壓探火管、釋放管、噴嘴、壓力表以及探火管專(zhuān)用接頭等組成。間接式二氧化碳感溫自啟動(dòng)滅火裝置的探火管通過(guò)容器閥連接到滅火劑容器上，進(jìn)行火源檢測(cè)，遇火時(shí)探火管爆破，利用探火管中的壓力下降，啟動(dòng)容器閥，通過(guò)釋放管至噴嘴把滅火劑釋放。釋放方式：間接式型號(hào)規(guī)格：WZ-Q/T-JE40SF滅火劑充裝量：40kg（0-5%）20℃貯存壓力：5.17MPa最大工作壓力：15MPa單位體積所需滅火劑最小量：1.5kg/m3探火管最大長(zhǎng)度：25m釋放管最大長(zhǎng)度：12m探測(cè)啟動(dòng)溫度：150℃±10℃工作溫度范圍：0~50℃
青島中陽(yáng)消防科技股份有限公司
2021-09-10