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創新工藝有望實現常關型射頻器件
AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道，為一常開器件，不利于射頻功率放大器電路設計與安全性。如果器件能夠實現常關特性，則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而，目前常見實現器件常關特性工藝需要對半導體層進行刻蝕，而刻蝕工藝會對器件引入缺陷，降低器件特性，因此市面上的常關型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。
南方科技大學
2021-04-14
多元共滲技術在地鐵工務器件上應用
本成果通過技術鑒定，獲得省、市、部科技進步獎及專利；大規模應用于廣州地鐵、鐵路中彈條螺旋道釘擋板等工務配件操作中，可提高工務配件防腐蝕性能與疲勞性能；大幅度延長使用壽命減少維修成本。
西南交通大學
2016-06-28
微波毫米波新型基片集成導波結構及器件
基片集成類導波結構是近十幾年來微波毫米波學界發展起來的一種新型高性能平面集成導波結構，它具有極低的電磁泄露和互擾，其品質因數和功率容量遠高于傳統平面傳輸線，國內外數百所大學和研究機構開展了大量研究，使之成為微波毫米波領域最受關注的研究分支之一。 學科洪偉教授課題組是國際上這一學術分支的主要倡導者和貢獻者之一，在IEEE系列刊物上發表學術論文120余篇，在美、英、德、日、韓、波、葡等國家召開的國際會議上作大會報告、特邀報告20余次，論文被40多個國家的學者正面他引5000余次，獲授權國家發明專利50余項。 該研究成果在國內外都產生了比較大的影響，獲2016年度國家自然科學二等獎。
東南大學
2021-04-13
一種鈮酸鋰納米器件的刻蝕方法
本發明屬于光電器件制備技術領域，具體為一種鈮酸鋰材料的刻蝕方法。本發明方法包括：在鈮酸鋰表面制備金屬鈍化層，用來提高納米圖形的保形性以及側壁刻蝕傾斜角；沉積硬掩膜，并采用微電子光刻技術進行圖形化處理；在待刻蝕的鈮酸鋰區域沉積活性金屬薄膜，以提高刻蝕深度；將覆蓋有活性金屬層的鈮酸鋰晶體在還原氣氛中進行退火；然后采用相應的酸溶液和堿溶液去掉鈮酸鋰表面的金屬及其與鈮酸鋰的反應物，得到具有一定刻蝕深度的鈮酸鋰納米圖形。所制備的大規模鈮酸鋰納米器件陣列尺寸可控，保形性和重復性好，側壁傾斜角大于80°，圖形凸塊表面光滑。鈮酸鋰納米器件制備步驟簡單，難度低，可降低大規模生產成本。
復旦大學
2021-01-12
可注射干細胞 3D 微組織治療實現微創高效再生醫學
以組織工程和干細胞治療為代表的再生醫學是現代醫學最具發展潛力的領域，有望成為繼藥物和器械治療之后下一個醫療健康行業的支柱產業。再生醫學已在臨床成功地用于皮膚再生，關節軟骨重建，肌腱、脊髓損傷修復，免疫系統功能重建等，并在治療疑難病癥（如遺傳性疾病和心血管類疾病）和各類器官組織（如神經、肝臟、心臟、胰腺等）修復和再生的動物模型和臨床試驗中顯示出良好效果。3D 微組織療法目前在科研領域內，也在大動物（犬）椎間盤蛻變、小動物（鼠）皮膚損傷及小動物（鼠）肝衰竭等模型中得到有力驗證。這種可注射3D 微組織平臺技術可輔助各種類型的細胞治療和組織 再生，有望像藥物傳遞對于藥物治療一樣在細胞治療領域產生廣泛而重大的影響。其潛在市場主要是各大 醫院和醫療機構，將成為未來治療重大疑難疾病的利器。
清華大學
2021-04-11
微氣泡發生器及基于擴壓破碎技術的船舶微氣泡發生裝置
本發明公開了一種微氣泡發生器，包括氣泡噴口、流體芯、外殼和端蓋；所述的外殼或端蓋上開設有進水口。流體芯呈中空梭形結構，且在橫截面直徑最大處環繞開設有排氣孔；流體芯放置于氣泡發生器外殼內；外殼一端由端蓋密封，另一端為與外界相連的氣泡噴口。基于擴壓破碎技術的萬噸級船舶微氣泡發生裝置，包括進水管、過濾裝置、水泵、連接軟管、微氣泡發生器、進氣管和鼓風機；進水管與水泵相連，且進水管上設有過濾裝置；水泵通過連接軟管與微氣泡發生器的進水口相連；微氣泡發生器的進氣口通過進氣管與鼓風機相連。本發明克服了現有氣幕減阻技術中存在的難以同時滿足氣泡直徑小和氣量大以及制造成本高、制造困難的問題。
浙江大學
2021-04-11
微波毫米波新型基片集成類導波結構及器件
成果介紹基片集成類導波結構是近十幾年發展起來的一類新型平面集成高性能導波結構，2011年被國際微波雜志列為“改變未來無源與控制器件的十大非凡發明”之首（Microwave Journal, Nov. 2011）。本項目組是國際上這一領域的主要貢獻者之一，在國家自然科學基金委創新群體基金和國家973項目等的資助下，對基片集成類導波結構的傳輸特性、諧振特性、損耗機理、模式轉換機理、極化轉換機理等科學問題及其在多個分支的創新應用開展了系統深入的研究，建立了精確有效的設計方法，構建了基礎設計公式，提出并命名了半模基片集成波導等新型導波結構，提出了一系列基片集成類無源元件新結構等。技術創新點及參數1、在國際上最早提出并發展了適合于周期性基片集成類導波結構的頻域有限差分和直線法全波分析模型，揭示了其傳輸機理，并在此基礎上構建了一組閉式設計公式。這組公式已被廣泛用于基片集成類導波結構元器件的設計。相關代表作單篇正面他引均超過150次。2、提出并命名了半模基片集成波導、折疊半模基片集成波導等新型導波結構，系統研究了其導波特性、損耗機理和模式轉換機理等，構建了設計公式，并在此基礎上發展了一系列新型微波毫米波高性能元器件，其中代表作單篇正面他引均超過100次。3、提出了多種基片集成波導無源新結構，深入研究了其諧振特性、耦合特性和損耗機理，并在此基礎上發展了一系列高性能新型元器件及單基片集成系統。相關代表作合計正面他引350余次。4、在基片集成波導天線輻射機理研究的基礎上，突破了經典Elliott設計公式的局限性，建立了相應的分析模型和設計方法，發展了一系列新穎的高性能基片集成類天線及陣列，相關代表作由于其基礎性和創新性被合計正面他引300余次。市場前景項目研究成果已獲54項授權國家發明專利，其中部分專利已進行技術轉讓并應用于企業產品中。
東南大學
2021-04-11
微波毫米波新型基片集成類導波結構及器件
該項目以基片集成類導波結構的工作機理與創新應用為主線，對這類結構及器件的傳輸特性、損耗機理等基礎科學問題進行了深入研究，提出了半模基片集成波導等多種新型平面導波結構，發展了相應的設計方法，并發明了一系列新型高性能微波毫米波器件，部分器件已得到實際應用。
東南大學
2021-04-10
硅基上III-V的直接外延及器件集成
采用光互連技術可以有效的解決集成電路進一步發展的尺寸限制同時可以極大的提高芯片間信息傳輸的速度和頻率。Si基光子集成是實現集成電路光互聯的核心技術和重要研究方向。然而，Si因為其間接帶系的特性很難作為發光材料使得Si基光源的缺失成為制約Si基光子芯片的瓶頸，而傳統Ⅲ-Ⅴ族材料如GaAs，InP等由于優良的光電轉換效率已經在光電子器件領域得到廣泛的應用。因此，Si基與Ⅲ-Ⅴ的集成是實現Si基光子芯片的一種理想途徑。
南京大學
2021-04-14
鎢酸鎘閃爍單晶材料的制備技術與器件應用
寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。
一、項目分類
關鍵核心技術突破
二、成果簡介
閃爍單晶是廣泛應用于高能射線探測成像技術的光學功能材料。寧波大學晶體材料實驗室在國際上首次成功開發鎢酸鎘(CWO)閃爍單晶的坩堝下降法生長技術，自主掌握CWO單晶材料制備專利技術。近年來所制備閃爍單晶性能完全達到射線探測器制造所要求實用化指標，CWO閃爍單晶材料可廣泛應用于安檢設備、集裝箱檢查系統、CT診療儀等技術領域。迄今已經形成單晶原坯、多規格晶片和單晶陣列的批量生產能力，相關材料產品已銷往國內外相關射線探測成像設備制造廠商。
寧波大學
2022-08-16