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南方科技大學
南方科技大學 廣東省
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創新工藝有望實現常關型射頻器件

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
關鍵詞: 射頻器件
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項目成果/簡介:

AlGaN/GaN HMET射頻器件有一原生的電子信道,為一常開器件,不利于射頻功率放大器電路設計與安全性。如果器件能夠實現常關特性,則射頻功率放大器電路可因此簡化。然而,目前常見實現器件常關特性工藝需要對半導體層進行刻蝕,而刻蝕工藝會對器件引入缺陷,降低器件特性,因此市面上的常關型AlGaN/GaN HMET射頻器件非常少見。

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