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本發(fā)明公開(kāi)了一種微流控芯片組件，包括微流控芯片以及罩蓋在微流控芯片上的蓋片，所述微流控芯片上設(shè)有中心加樣口、圍繞中心加樣口的若干周側(cè)加樣口以及將若干周側(cè)加樣口分別與中心加樣口導(dǎo)通的流道；所述蓋片上設(shè)有與所述中心加樣口和周側(cè)加樣口對(duì)應(yīng)的通孔；所述微流控芯片與罩蓋轉(zhuǎn)動(dòng)配合，所述蓋片具有保證微流控芯片上所有加樣口與所述通孔對(duì)應(yīng)導(dǎo)通的加樣工作位，以及封堵所有周側(cè)加樣口的封裝工作位；所述微流控芯片與蓋片之間設(shè)有撥片，該撥片用于在蓋片處于封裝工作位時(shí)遮蓋所述中心加樣口。本發(fā)明的微流控芯片組件整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，僅通過(guò)簡(jiǎn)單的旋轉(zhuǎn)即可實(shí)現(xiàn)微流控芯片工作狀態(tài)的切換，封裝和打開(kāi)非常方便，實(shí)用性較強(qiáng)。

成果介紹重金屬離子污染是影響人類生命健康及社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的重大問(wèn)題之一。方便、快捷低成本的重金屬離子檢測(cè)方法及裝置的研發(fā)仍然是分析化學(xué)及儀器分析領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。近年來(lái)開(kāi)發(fā)的低成本紙基微流控芯片逐漸引起了科學(xué)家的廣泛關(guān)注，如何將紙基微流控芯片負(fù)載熒光染料后用于高通量篩查水質(zhì)中的重金屬離子，并且可以方便快捷的分析檢測(cè)結(jié)果仍然是一大難題。基于上述挑戰(zhàn)，本項(xiàng)目擬研制基于紙基微流控芯片重金屬離子檢測(cè)集成裝置，并建立相關(guān)分析方法及分析標(biāo)準(zhǔn)曲線。在檢測(cè)的過(guò)程中紙基微流控芯片可以顯示不同強(qiáng)度的熒光和顏色，然后利用智能手機(jī)通過(guò)集成裝置捕獲光學(xué)信號(hào)，最后通過(guò)建立的分析曲線快速分析樣品中重金屬離子的含量。從而實(shí)現(xiàn)重金屬離子高通量快速篩查與定量分析。技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)及參數(shù)本項(xiàng)目的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在于使用紙基微流控芯片成本較低；負(fù)載熒光染料后分析快捷方便無(wú)需樣品預(yù)處理；熒光染料熒光強(qiáng)度及顏色變化明顯靈敏度高；使用微型集成裝置及智能手機(jī)捕獲光學(xué)信號(hào)可現(xiàn)場(chǎng)快速分析檢測(cè)；集成裝置可通過(guò)3D打印制作費(fèi)用較低；檢測(cè)過(guò)程無(wú)需大型儀器操作簡(jiǎn)單能耗低等。現(xiàn)場(chǎng)快速檢測(cè)是野外水質(zhì)重金屬離子污染檢測(cè)的需求之一，利用研發(fā)的集成裝置搭載微型電源即可完成野外現(xiàn)場(chǎng)的快速檢測(cè)，通過(guò)預(yù)先建立的分析標(biāo)準(zhǔn)曲線可定量檢測(cè)水體中的重金屬離子含量。另外如果開(kāi)發(fā)分析軟件，建立手機(jī)內(nèi)部的分析應(yīng)用程序即可完成用手機(jī)獲取光學(xué)信號(hào)后直觀方便的讀出分析數(shù)據(jù)，可以快速方便的分析較大的樣品量。市場(chǎng)前景目前重金屬離子檢測(cè)主要依賴大型儀器分析，存在樣品預(yù)處理繁瑣、分析儀器操作復(fù)雜、檢測(cè)時(shí)間長(zhǎng)和無(wú)法現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等缺點(diǎn)。本項(xiàng)目研發(fā)的基于紙基微流控芯片重金屬離子檢測(cè)集成裝置可彌補(bǔ)上述缺點(diǎn)。實(shí)現(xiàn)方便、快捷、低能耗、低成本的高通量快速分析檢測(cè)的目標(biāo)，并可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和應(yīng)用。這一裝置將為野外的水質(zhì)重金屬離子污染檢測(cè)提供方便快捷的檢測(cè)策略。

已有樣品/n該成果研發(fā)了一種全功能、可配置的NAND Flash芯片測(cè)試設(shè)備，專為測(cè)試開(kāi)發(fā)，采用完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的NAND Flash控制器。支持基本讀寫(xiě)命令和高級(jí)命令，可根據(jù)NAND Flash Datasheet自定義測(cè)試命令，并且支持覆蓋寫(xiě)、編程干擾、保留時(shí)間、Read Retry等特殊測(cè)試。同時(shí)支持3D Nand Flash，支持SLC，MLC，TLC，支持同步和異步Flash，支持TSOP48，BGA63，BGA100，BGA132，BGA152封裝產(chǎn)品支持Micron、Samsung、T

復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在可編程系統(tǒng)芯片 (SOPC)的器件結(jié)構(gòu)和軟件算法領(lǐng)域經(jīng)過(guò)多年研究積累，基本形成 了系列 SOPC 器件和配套軟件平臺(tái)，并積極拓展產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。FDP 系列器件基于 0.18um 和 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于波前調(diào)節(jié)的電控液晶激光整形芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構(gòu)；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印D形化電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒐搽姌O層、第二基片和第二增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由圓形導(dǎo)電膜和同心設(shè)置在圓形導(dǎo)電膜外圍的至少一個(gè)圓環(huán)形導(dǎo)電膜構(gòu)成，圓形導(dǎo)電膜的圓心與液晶調(diào)相架構(gòu)的

受到技術(shù)出口限制等原因，目前，我國(guó)的紅外探測(cè)技術(shù)無(wú)論是在技術(shù)水平、產(chǎn)品性能、靈敏度、應(yīng)用范圍等方面還具有很大的局限。本項(xiàng)目采用新穎量子點(diǎn)納米材料，制備新型結(jié)構(gòu)高靈敏度光電探測(cè)器，以窄帶隙IV-VI族半導(dǎo)體納米材料為光敏感層，研發(fā)紅外上轉(zhuǎn)換光子探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)對(duì)微弱入射光（特別是紅外光）進(jìn)行探測(cè)及成像的芯片設(shè)計(jì)，并用于其他安監(jiān)和夜視應(yīng)用研究。實(shí)現(xiàn)從紫外到中波紅外（20µm）的一體化、超寬譜段的微弱光探測(cè)與成像。完成超寬光譜微弱光探測(cè)及成像芯片制備，實(shí)現(xiàn)紅外領(lǐng)域高精尖技術(shù)的自主可控及大面積的推廣應(yīng)用，真正實(shí)現(xiàn)紅外“中國(guó)芯”，意義重大、市場(chǎng)廣泛。

基于分布式芯片驅(qū)動(dòng)的 LED 集成化照明模組，將驅(qū)動(dòng)與光源集成為一體化標(biāo)準(zhǔn)模組，克服了開(kāi)關(guān)電源的電解電容壽命瓶頸、可靠性差、成本高等缺點(diǎn)，具有可靠性高、 壽命長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、模塊化設(shè)計(jì)、安裝方便、免維護(hù)、智能化、成本低等優(yōu)點(diǎn)。結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)、Zigbee、 LoRa 等無(wú)線通訊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了大數(shù)據(jù)物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)的智慧城市照明系統(tǒng)，通過(guò)精細(xì)化運(yùn)營(yíng)管理，可達(dá)到 70%的節(jié)能減排效果。實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)芯片化、模組集成化、通訊無(wú)線化、軟件智慧化、系統(tǒng)物聯(lián)化。 

由西安交大開(kāi)元集團(tuán)自主開(kāi)發(fā)的CMOS可視芯片是目前國(guó)際先進(jìn)、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的視覺(jué)芯片，具有集成度高、功能全、體積小、功耗低的特點(diǎn)。以CMOS可視芯片為核心部件的彩色電腦眼是新一代計(jì)算機(jī)圖像輸入器件，具有數(shù)碼相機(jī)、電子相冊(cè)、三維傳真、動(dòng)態(tài)錄像EMAIL、網(wǎng)絡(luò)可視電話、視頻會(huì)議和智能遙控報(bào)警等多種功能。該項(xiàng)目已被列入國(guó)家高新年技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程。

本項(xiàng)目針對(duì)國(guó)內(nèi)高端光電子器件嚴(yán)重依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀問(wèn)題，自主研制Tb/s級(jí)以上 PDM-16QAM的硅基大規(guī)模陣列集成相干光接收芯片。根據(jù)本研究組在硅基集成光電子器件、偏振控制器件、光混頻器等方面的建模仿真、制備測(cè)試基礎(chǔ)，依托“先進(jìn)電子材料與器件”校級(jí)平臺(tái)的先進(jìn)半導(dǎo)體加工能力，制備了高偏振消光比的偏振分束器、偏振旋轉(zhuǎn)器，高相位精度的90度混頻器，大帶寬高響應(yīng)度的探測(cè)器陣列，高效硅基芯片-光纖耦合，以及可調(diào)光功率衰減器。 通過(guò)本項(xiàng)目的實(shí)施，在硅基光接收集成芯片、高端光電子器件及其大規(guī)模集成的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域有所突破，建立關(guān)鍵工藝技術(shù)與器件標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)，形成硅基光電子器件標(biāo)準(zhǔn)加工工藝流程，實(shí)現(xiàn)高端光電子器件的自主制備,改變了我國(guó)硅基光電子器件技術(shù)無(wú)償?shù)叵驀?guó)外轉(zhuǎn)移的歷史，縮短我國(guó)光子集成技術(shù)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，提升我國(guó)光通信產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。部分成果獲得2014年度上海市發(fā)明二等獎(jiǎng)。

本發(fā)明涉及豬ApoE基因敲除載體及其構(gòu)建方法與應(yīng)用，本發(fā)明的載體命名為pApoEKO-DTA-M，其核苷酸序列如SEQ?ID?NO : 1所示，其構(gòu)建方法包括如下步驟：(1)擴(kuò)增豬ApoE基因側(cè)翼序列作為基因打靶的長(zhǎng)臂和短臂；(2)短臂與打靶載體ploxp分別酶切、連接后，再與長(zhǎng)臂連接；去除tk，與dta基因片段連接；(3)在長(zhǎng)短臂之間插入特異性啟動(dòng)子Cre，構(gòu)建得到ApoE基因敲除載體。本發(fā)明的豬ApoE基因敲除載體可用于培育敲除了ApoE基因的豬，用于動(dòng)脈硬化模型動(dòng)物的制備。