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輸出電容低ESR開(kāi)關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置
本成果來(lái)自國(guó)家科技計(jì)劃項(xiàng)目，現(xiàn)已結(jié)題，并獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)（ZL201310022469.0），知識(shí)產(chǎn)權(quán)屬于西南交通大學(xué)。該成果公開(kāi)了一種輸出電容低ESR開(kāi)關(guān)變換器雙緣PFM調(diào)制電壓型控制方法及其裝置，檢測(cè)流過(guò)輸出電容的電流ic以及輸出電壓Vo，將兩者相加得到信號(hào)Vos，電壓控制信號(hào)Vc與Vos經(jīng)過(guò)時(shí)間運(yùn)算器生成可變時(shí)間，結(jié)合預(yù)設(shè)的恒定時(shí)間，再經(jīng)過(guò)控制時(shí)序生成器產(chǎn)生由恒定時(shí)間和可變時(shí)間組成的控制時(shí)序，控制開(kāi)關(guān)變換器開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷。本成果具有輸出電壓低紋波且無(wú)低頻振蕩、穩(wěn)定范圍廣、瞬態(tài)響應(yīng)速度快、穩(wěn)壓精度高的優(yōu)點(diǎn)。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
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一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備方 法，適合鍶、鈰、鈀等元素?fù)诫s鈷酸鑭納米棒陣列氣敏傳感器的制備。 本方法采用陽(yáng)極氧化法制備納米棒陣列模板，采用溶膠凝膠法在模板 上形成摻雜鈷酸鑭納米棒，并采用晶種的方式將納米棒與電極基板接 觸。該方法可以完好的保留納米棒的形貌，并能在室溫下對(duì)一氧化碳 有較好的響應(yīng)。采用該方法制備的室溫一氧化碳傳感器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，性 能優(yōu)異。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法， 包括多個(gè)垂直方向的三維 NAND 存儲(chǔ)串，每一個(gè)三維 NAND 存儲(chǔ)串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個(gè)分立的電荷存儲(chǔ)層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個(gè)電荷存儲(chǔ)層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個(gè)繞組橋臂及一個(gè)共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個(gè)繞組橋臂分為 N 個(gè) A 組繞組橋臂以及 N 個(gè) B 組繞組橋臂，每一個(gè)繞組橋臂設(shè)置一個(gè)可控開(kāi)關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個(gè) 可控開(kāi)關(guān)，通過(guò)改變可控開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間控制通過(guò)每個(gè)繞組的電流， 實(shí)現(xiàn)對(duì)多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵(lì)磁電流在 公共接點(diǎn)處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過(guò)共用橋臂可控開(kāi)關(guān)的電流，降低了開(kāi)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍?cè)谒龌咨系母叻瓷淠ひ约板冊(cè)谒龈叻瓷淠ど系膿借F硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時(shí)摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補(bǔ)了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過(guò)摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對(duì)激光進(jìn)行調(diào)制實(shí)現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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類(lèi)環(huán)狀流微膜蒸發(fā)板翅式冷凝蒸發(fā)技術(shù) 新型高效冷凝蒸發(fā)器
該項(xiàng)目是在國(guó)家自然科學(xué)基金委的大力支持下，由西安交通大學(xué)吳裕遠(yuǎn)教授主持的課題組經(jīng)過(guò)15年的艱苦努力，突破傳統(tǒng)機(jī)理，銳意科技創(chuàng)新，所取得的最新成果，榮獲2001年國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)。該項(xiàng)目是西安交通大學(xué)，擁有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),非常適宜在制氧、石油、化工、乙烯等換熱器領(lǐng)域推廣應(yīng)用。
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法
（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410284167.5） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超聲波振動(dòng)式結(jié)晶器的不銹鋼生產(chǎn)方法，屬于鋼鐵冶金技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉(zhuǎn)爐冶煉并進(jìn)行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經(jīng)過(guò)步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過(guò)程中采用水平連鑄結(jié)晶器，在水平連鑄結(jié)晶器上產(chǎn)生超聲波振動(dòng)。本發(fā)明中無(wú)需依靠結(jié)晶器的機(jī)械振動(dòng)，而僅僅依靠超聲波振動(dòng)力使初生坯殼與結(jié)晶器內(nèi)壁自動(dòng)“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產(chǎn)生；結(jié)晶器
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于酞菁納米線(xiàn)具有紅外響應(yīng)的有機(jī)憶阻器及陽(yáng)離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱(chēng)記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實(shí)現(xiàn)非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器。并且，基于憶阻的隨機(jī)存儲(chǔ)器的集成度、功耗、讀寫(xiě)速度都要比傳統(tǒng)的隨機(jī)存儲(chǔ)器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線(xiàn)性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機(jī)憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機(jī)理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開(kāi)發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機(jī)憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于運(yùn)算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線(xiàn)和列線(xiàn)的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個(gè)新的共用行線(xiàn)和列線(xiàn)的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線(xiàn)一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)運(yùn)算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點(diǎn)后與其所對(duì)應(yīng)行線(xiàn)連接；控制器，其具有至少(M+1)個(gè)IO端口以及至少N個(gè)ADC采樣端口，其中的(M+1)個(gè)IO端口與所述（M+1）個(gè)運(yùn)算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14