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一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法

2021-04-14 00:00:00
云上高博會 http://www.c05ze3x.xyz
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所屬領域:
高端裝備制造
項目成果/簡介:

本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法,

包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串,每一個三維 NAND 存儲串

包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區

域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介

質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧

穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控

制柵電極;圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的

項目階段:
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