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高等教育領域數字化綜合服務平臺
高功率超短脈沖激光傳輸光纖
北京工業大學
2021-04-14
大功率半導體激光器
北京工業大學
2021-04-14
高壓大功率薄膜電容器
該成果由于采用新型的安全膜結構和絕氧吸弧工藝（減小金屬材料在加工過程中的氧化，降低接觸電阻、電勢壘等），產品具有自愈性，在高壓大電流的沖擊下不會發生短路擊穿現象，無需防爆裝置；由于采用端面高密度、低電阻的等離子放電噴射沉積制備技術和大功率電容器電極的電阻焊接技術，寄生電阻和發熱量減小，使產品在可靠性、穩定性上具有明顯的優勢。
揚州大學
2021-04-14
電動乘用車大功率充/放電設備
直流輸出 1000V 大功率乘用車充/放電設備
中國科學技術大學
2021-04-14
一種超聲波功率測量系統
一種超聲波功率測量系統，本發明屬于測量儀器，解決現有輻 射力天平法測量超聲波功率對環境要求較高、儀器達到穩定測量狀態 所需時間較長的問題。本發明包括激光器、擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡、CCD 攝像機、計算機、激光電源和光學平臺，所述激光器、 擴束鏡、衰減片、水槽、成像透鏡和 CCD 攝像機沿光路依次固定在光 學平臺上，成像透鏡的軸線與激光器 1 發出的平行光的軸線重合，CCD 攝像機放置在成像透鏡的焦點上，用于接收衍射圖案，并將該圖像傳
華中科技大學
2021-04-14
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
高功率因數雙向PWM變換器
兩電平與三電平主電路適用于能量四像限運行，三電平更適于直流高壓場合，可用于并網逆變，老化電子負載，蓄電池充放電機的前級，高功率因數整流器， 用作微電網與電網間的接口電路，可實現微網與電網間的能量互換，可用于直流充電樁的前級，實現網側的高功率因數自主知識產權。
揚州大學
2021-04-14
大功率鋰電池管理系統（BMS）
本項目研究開發內容是開發適用于面向大功率電池組的電動汽車動力電池管理系統，使得研究成果能夠盡快使用電動汽車動力系統中，并借助汽車行業的快速發展使大功率動力電池組的研究取得技術進步。 大功率電池組的電動汽車動力電池管理系統的要求是：（1）首先滿足大功率充放電的要求，電動機額定功率為200kW，瞬時最大功率更是達到400kW，電池在工作中最大充放電電流達到600A，持續電流為300A左右；（2）足夠的抗干擾能力，電動機驅動使用變頻裝置，
河海大學
2021-04-14
饋網節能型雙向電子功率負載
成果簡介本項目屬于自主研發的饋網節能型模擬交直流雙向電子負載， 主要用于交直流電源出廠試驗、 可靠性試驗及電源輸出性能檢測的能夠模擬實際負載特性的新型電力電子裝置。 它能夠實現對所模擬實際負載值的無級調節， 并能夠將負載試驗中有功電能無污染地回饋電網， 實現電能的再生利用。 該裝置具有高效節能、體積小、 重量輕、 節省安裝空間、 試驗性能優良等優點。項目的主要技術是將能量無污染回饋電網和負載特性的任意模擬技術。 本項目實施后， 可解決現有無源負載（阻性、 感性、 容性等）
安徽工業大學
2021-04-14
大功率 LED 封裝及熱管理技術
成果的背景及主要用途：
對于大功率白光 LED(半導體發光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高，在其工作過程中會產生很多熱量，在現有的封裝技術下，不能提供足夠的散熱能力來維持極限條件下的可靠運行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問題的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。
技術原理與工藝流程簡介：
采用納米銀焊膏的低溫燒結技術，利用其納米銀低熔點的性能，使燒結溫度降低到 280℃，而燒結后銀連接具有高熔點（960℃）、高導電和高導熱性能，非常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運行。以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silverepoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊膏的高導熱性，在大電流下發光效率提高 7~10%，說明散熱效率提高，有效地降低了結溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。
技術水平及專利與獲獎情況：
獲發明專利“以納米銀焊膏低溫燒結封裝連接大功率 LED 的方法”，發明專利 ZL200610014157.5，授權日：2008.11.19。
應用前景分析及效益預測：
此項技術可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場前景，進一步可以推廣到大功率半導體激光器的封裝中。
應用領域：電子封裝
技術轉化條件：
本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經驗，可進行電子封裝的熱分析及熱管理設計。
合作方式及條件：根據具體情況面議
天津大學
2021-04-11