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一種二維陣列光耦合模塊
：本發明公開了一種二維陣列光耦合模塊，包括陶瓷基底、光收 發芯片陣列、微透鏡陣列，驅動單元陣列、光纖陣列和光纖連接器。 本發明中，光纖陣列耦合端采用 45 度反射面，通過微透鏡與光收發芯 片陣列實現了有效耦合，耦合效率高，體積小，便于封裝；提出的對 準與定位方法較易實現，有利于工業制造；采用異形陶瓷基底，能夠 減小光程差對于數據傳輸速率的影響，對于光耦合效率也有一定提升； 而且，制作成本相對于聚合物波導來說較低。本發
華中科技大學
2021-04-14
一種消不良光的全息變焦系統
本發明提出一種消不良光的全息變焦系統。該系統包括激光器、濾波器I、準直透鏡、LCOS、固體透鏡、濾波器II、液體透鏡、接收屏。其中濾波器I、準直透鏡用于將激光器發出的激光擴束形成準直平面光，固體透鏡位于LCOS的后面，濾波器II位于固體透鏡的焦平面位置，液體透鏡位于接收屏和濾波器II之間。該系統不僅可以消除全息系統中的不良光，而且可以實現變焦的功能。
四川大學
2016-10-11
全數字式自動變光焊接面罩
研究內容：本項目通過對控制電路的設計， 克服了液晶變光的非線性， 實現了不同遮光號的準確設置，并極大地縮短了變光響應時間；通過對產 品面罩添加成分的研究和基于力學原理的結構設計， 提高了產品阻燃和耐 高、低溫性能，以及抗沖擊能力；變光鏡組的內外保片除了具有防護功能 外，還具有超強的除霧氣能力，有效防止由于霧氣造成的意外事故。 技術特點： 本項目屬于焊接加工行業的設備制造。該產品在焊接過程 中能夠自動變光
南昌大學
2021-04-14
高光效黃光LED材料與芯片制造技術
中心通過“裝備與工藝的協同創新”，創新發展了具有自主產權的大科學裝置—MOCVD高端裝備，并在硅襯底上生長第三代半導體InGaN黃光LED材料，取得了歷史性突破，將黃光LED的光效由國際上報道的不足10%，提升到了27.9%，結束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面。國際同行、諾貝爾獎獲得者中村修二教授高度稱贊這項成果：“硅基黃光LED的技術水平國際領先，這是屬于中國人首次發明的照明技術，它有非常大的價值?！标惲蓟菰菏款I銜的12位業內專家，對
南昌大學
2021-04-14
光頻梳精密測距和坐標測量儀
1.痛點問題
隨著高端裝備制造、工業機器人末端定位、工業產品尺寸檢測等領域高速發展，亟需匹配大量程、高精度、高測速和基準可溯源的絕對距離檢測能力，現有激光雷達和激光干涉等測距手段因其測量原理和性能限制，均無法滿足要求。
2.解決方案
本項目團隊經過十余年的技術攻關，成功研制了國內外首臺具備自主知識產權的光頻梳絕對測距儀器，實現了百米級量程、微米級精度和千赫茲級測速，并應用于高精度大尺寸三坐標測量。本項目成果可服務于飛機、船舶等裝備制造，工業機器人末端定位、工業產品尺寸檢測對高性能空間定位的迫切需求。預期形成光頻梳絕對測距儀和光頻梳三坐標測量儀等自主知識產權產品和配套解決方案。
技術創新：
（1）提出基于光頻梳的多外差干涉測距技術，解決傳統干涉法難以進行高精度絕對距離測量的問題；
（2）提出基于光頻梳絕對測距的高精度三坐標測量技術，解決跟蹤儀絕對定位能力不足的問題。
合作需求
（1）市場資源對接：有末端定位需求的機器人公司、有高精度距離和坐標測量需求的智能制造公司；
（2）資本對接：聚焦關注高端裝備、智能制造、光電產業領域的一線風險投資機構（非FA機構）；
（3）技術合作：承接國家和省部級項目的企業，在專項中對精密測距和高精度坐標測量的需求，可與本團隊聯合項目攻關。
清華大學
2022-07-19
基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片
本發明公開了一種基于電控液晶雙模微透鏡的控光芯片。該芯片包括面陣電控液晶雙模微透鏡；其包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向層、第一電極層、電絕緣層、第二電極層、第一基片和第一增透膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向層、公共電極層、第二基片和第二增透膜；第一電極層由其上布有 m×n 元陣列分布的圓孔的一層勻質石墨烯膜構成，公共電極層和第二電極層分別由一層與第一電極層同質的勻質石
華中科技大學
2021-04-14
中遠紅外波段光場局域化和剪裁
提出采用規則幾何納米結構和摻雜來實現光場在納米尺度上的精確局域化和調控，實現了單層石墨烯規則幾何納米結構剪裁中紅外電磁場在單原子二維平面的局域分布、波長與強度調控。通過構建單層石墨烯規則幾何納米結構，利用邊界對表面等離激元波的反射，形成多重干涉效應，實現了對10.7 μm入射波的光場局域化，并且通過納米結構的幾何形狀調控其空間分布，結果以封面文章發表在Light: Science & Applications 2017, 6, e17057上。另外，通過對單層石墨烯進行硝酸根化學摻雜，實現了單層石墨烯表面等離激元強度提高了約2倍、波長由150 nm提高到了280 nm?還發現了二維層狀范德華α-MoO3晶體的中紅外雙曲聲子極化激元效應，將聲子極化激元體系推廣至半導體。二維層狀α-MoO3晶體具有豐富的光學聲子模式，該研究揭示了它們能夠與中紅外電磁場進行有效地耦合激發聲子極化激元，從而實現二維平面上高度的電磁場局域。另外，該研究利用α-MoO3晶體較大的層間間距，通過金屬離子插層的方法，實現了對其聲子極化激元的傳播調制以及“關閉”
中山大學
2021-04-13
一種光生物污水處理設備
對于難降解的有機高濃度廢水，采用常規污水處理工藝難以達到排放標準，本發明，涉及光催化和生物處理協同作用，與其它處理設備或構筑物相比較，工藝流程短，處理效果明顯提高30％～ 60％，運行費用降低21％～ 38％。對于一般性質的難以降解的污水，去除率可以達到90％以上；處理設備可與多種處理工藝的組合，運行方式靈活，節省工程的投資，減少占地面積。處理水量及對象：依據設備規模而定；難降解高濃度廢水，如印染廢水，化工廢水出水水質：可以達到國家排放標準的一級標準或更高標準要求產生的污泥量：少
上海理工大學
2021-04-13
2D材料寬光譜光探測器
在這種獨特的vdW p?g?n結中，互補帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結內形成的垂直內置電場的組合為增強的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉移提供了無可比擬的優勢。研究發現，石墨烯夾層在增強探測率和拓寬光譜范圍方面起到關鍵作用(圖2e)。優化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過2600 A/W的光響應度(圖2b)、快的光響應速度(圖2c)、高達1013 Jones的比探測率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發下，其比探測率也高達1.06×1011 Jones，可媲美商業的短波紅外探測器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測器)。 這些研究結果為寬帶的超高性能光電探測器提供了切實可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測器件方面以及未來的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應用潛力。
南方科技大學
2021-04-13
光自旋（量子弱測量）實驗教學系統
簡單、實用，低成本實驗儀器做前沿物理學研究。
成都華芯眾合電子科技有限公司
2023-04-25