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高光效黃光LED材料與芯片制造技術

2021-04-14 00:00:00
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所屬領域:
電子信息
項目成果/簡介:

中心通過“裝備與工藝的協同創新”,創新發展了具有自主產權的大科學裝置—MOCVD高端裝備,并在硅襯底上生長第三代半導體InGaN黃光LED材料,取得了歷史性突破,將黃光LED的光效由國際上報道的不足10%,提升到了27.9%,結束了國際市場上長期缺乏高光效黃光LED的局面。國際同行、諾貝爾獎獲得者中村修二教授高度稱贊這項成果:“硅基黃光LED的技術水平國際領先,這是屬于中國人首次發明的照明技術,它有非常大的價值。”陳良惠院士領銜的12位業內專家,對

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