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三角波激勵磁場下磁性納米粒子粒徑分布測量系統及方法
本發明公開了一種三角波激勵磁場下磁性納米粒子粒徑分布測量系統及方法，屬于納米測試技術領域。本發明在準確測量三角波激勵磁場和磁性納米粒子磁化強度信號的基礎上，得到磁性納米粒子的磁化曲線。再將磁化曲線在 Matlab 最優化工具箱中進行擬合，最終得到磁性納米粒子的粒徑分布。磁性納米粒子的磁化曲線可以在實驗裝·747·置上獲取，不需要借助其他外部磁場測量設備,測量成本低。利用全局搜索等優化算法可以從磁化曲線中
華中科技大學
2021-04-14
西湖大學馬仙玨團隊揭示三維器官大小調控新機制
2022年11月15日，西湖大學生命科學學院馬仙玨課題組在Cell Reports發表了題為“Ptp61F integrates Hippo,TOR and actomyosin pathways to control three-dimensional organ size”的研究論文。利用黑腹果蠅為研究對象，課題組揭示了磷酸酶Ptp61F在生理及病理狀態下通過同時調控細胞數量、細胞大小及細胞高度從而在3D層面對器官大小進行精確調控的分子機制。
西湖大學
2022-11-16
西湖大學馬仙玨團隊揭示三維器官大小調控新機制
團隊利用果蠅遺傳學技術（MARCM）在幼蟲眼成蟲盤上誘導產生GFP標記的原癌基因RasV12過表達克隆，并在此基礎上針對果蠅體內的磷酸酶進行了RNAi篩選，發現敲低/敲除Ptp61F可以與RasV12協同誘導過度增殖并產生惡性腫瘤。
西湖大學
2022-11-29
一種基于多層形變模型的高保真人臉三維重建方法
本發明公開了一種基于多層形變模型的高保真人臉三維重建方法。所述方法以視頻圖像序列作為輸入數據，經過光流特征點檢測與·718·跟蹤，人臉特征點提取與匹配、相機標定，從而利用運動恢復結構技術恢復相機參數與相機軌跡，提出了人臉多層次形變模型，進而進行紋理映射得到目標人臉的高保真人臉三維模型。本發明將形變模型技術與運動恢復結構技術結合起來，提出了人臉多層次形變模型，能夠獲得與目標人臉高度相似的重建結果，同時，本
華中科技大學
2021-04-14
三相六開關整流器負載電流觀測的直接功率預測控制方法
三相六開關整流器負載電流觀測的直接功率預測控制方法。本發明公開了一種三相整流器負載電流觀測的直接功率預測控制技術，其步驟是：A、通過電流傳感器、電壓傳感器分別測出三相電流、三相電網電壓和直流側電容電壓；B、通過測量的直流電容電壓計算出八種開關組合(000,001,010,100,011,101,110,111)對應的電壓矢量；C、給定的直流電壓通過濾波器后得到本采樣周期的瞬時參考電壓，根據直流側和交流側功率守恒原則獲
華中科技大學
2021-04-14
一種三相交流電機定子變極繞組的設計方法
本發明公開了一種三相交流電機定子變極繞組的設計方法，要 給定變前極極對數 p1 和變后極極對數 p2，選擇槽數系數 k，由此確定 定子槽數 Z 后作兩種極數槽號相位圖，將 p1 槽號相位圖按列等分為 120°相帶，每相再去掉位于相帶邊沿的槽號，使得剩下的槽號為 5 的 倍數，然后按每相 3 條支路比率 1:2:2 分配這些槽號，對 p1 相位而言，比率 1 槽號位置在 120°相帶中間，比率 2 槽號分為兩組位于比率 1 槽號左右兩側，分別調整比率 2 兩組槽號各自所代表線圈的匝數比， 使 3 條支
華中科技大學
2021-04-14
一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法
本發明公開了一種非易失性三維半導體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導體區域、分別位于半導體區 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導體區域的隧穿電介 質、圍繞隧穿電介質上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質以及多個電荷存儲層的阻隔電介質層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導體區域包括多個存儲單元的
華中科技大學
2021-04-14
一種三軸攪拌摩擦增材制造裝置及攪拌摩擦增材沉積方法
本申請公開了一種三軸攪拌摩擦增材制造裝置，其包括兩個沉積攪拌頭和一個均化攪拌頭，兩個沉積攪拌頭的排列方向垂直于三軸攪拌摩擦增材制造裝置的移動方向，均化攪拌頭位于兩個沉積攪拌頭的下游側；沉積攪拌頭的沉積軸肩具有沿徑向向外突出的突出部，在突出部內具有向上凹陷而成的布料腔，布料腔連通沉積攪拌頭內的下料孔；兩個相鄰突出部之間形成槽區，每個沉積攪拌頭的突出部插入到另一沉積攪拌頭的槽區內；均化攪拌頭的均化軸肩的下端面上設置有向下突出的均化攪拌針。本申請還公開了攪拌摩擦增材沉積方法。本申請利用兩個沉積攪拌頭一次性形成更寬的單層熱沉層，并利用均化攪拌頭對單層熱沉層的中間區域進行再次攪拌，提高中間區域的均勻性。
南京工業大學
2021-01-12
一種三聚氰胺-二醛縮合物及其合成方法和應用
本發明涉及一種聚合物熒光納米材料的合成方法及應用，其合成方法基于西弗堿反應原理，將三聚氰胺和二醛類化合物作為起始原料，采用一步溶劑熱法，在高溫下進行縮聚反應獲得。該納米材料不但具有強烈的熒光，還有很強的散射，在染料敏化太陽能電池中，既可充當染料敏化劑來吸收太陽光進行光電轉換又可代替光散射層重新捕獲未吸收的太陽光，減小能量損失。
技術特點：聚合物納米顆粒中既沒有多環芳烴結構也沒有長鏈共軛結構，但卻能發出很強的熒光。同時，其熒光顏色可以通過改變激發波長調節。獲得的聚合物納米材料是一種純粹的有機物熒光納米材料，其中不含任何Cd、Hg、Pb等重金屬離子，而且顆粒之間以共價鍵連接，具有良好的穩定性。主要指標：白光發射譜帶很寬，半峰寬可達150 nm，量子產率22%。應用情況：材料性質穩定，量子產率高。
蘭州大學
2021-01-12
一種應用于光柵三維投影測量中的相位誤差補償方法
本發明公開了一種應用于光柵三維投影測量中的相位誤差補償方法，包括如下步驟：生成正弦光柵條紋；采集經物體表面調制之后的光柵條紋；對圖像預處理；根據預處理的條紋圖像利用相移法解相位；投射單一灰度值的灰度圖像于標準白板表面；將步驟(5)的分區域結果，通過求得的理想相位映射到投影儀靶面；根據分區域結果建立不同區域的分區域校正模型；
向物體投射正弦光柵條紋；利用相移法求解初相位，根據建立的分區域誤差補償對相位進行補償，求解實際相位；
利用標定好的相機參數和求取的絕對相位，根據空間交匯法計算出被測物體的三維坐標信息。本發明可以解決由于Gamma非線性所導致的相位誤差和測量誤差。
東南大學
2021-04-11