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本技術(shù)利用光子晶體微球的顏色對待測生物分子進行編碼，一種顏色的微球可以檢測一種分子，與微孔板或者微流控芯片相結(jié)合，通過自動化的流體控制和光學(xué)檢測完成樣品中多個組分的同時檢測，獲得2011教育部自然科學(xué)一等獎和2014瑞士國際發(fā)明展特別金獎，同時獲專利授權(quán)10余項。本技術(shù)成果包括了光子微球、微流控芯片和自動化芯片分析檢測儀三部分，可以用于腫瘤、感染性疾病（HIV、SARS、肝炎、禽流感等）、心血管疾病（高血壓、心臟病）檢測等。希望合作研發(fā)和生產(chǎn)，投資規(guī)模在200萬人民幣左右。

構(gòu)建了多激子與單個表面等離激元模式耦合相互作用的全量子理論，給出了簡潔的實現(xiàn)強耦合作用的“量子光學(xué)極限條件”。依據(jù)該理論，研究團隊精心設(shè)計和制備出方形銀包金納米棒結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了將光子局域在71 nm3 的超小模體積內(nèi)，同時，巧妙地實現(xiàn)了單激子偶聯(lián)以及小于0.9 nm的超短作用距離的精確控制，最終實現(xiàn)了單個J-aggregate激子與單根納米方棒之間高達～41.6 meV的耦合作用強度，在室溫下成功觀測到1-7個激子與單個等離激元納米方棒的強耦合相互作用。

本發(fā)明涉及一種在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂層的方法，屬于新材料技術(shù)領(lǐng)域。其主要特點在于利用泡沫炭多孔結(jié)構(gòu)及Si3N4納米纖維復(fù)合體對自來水中顆粒及污染物的過濾和吸附功能實現(xiàn)軟凈水一體化功能。

單像素光子計數(shù)成像以一個像素的點探測器利用空間光調(diào)制實現(xiàn)二維空間分辨測量，可以在二維空間的分布中節(jié)約一個維度，相比面陣列探測器節(jié)約了成本，并能用于更多的譜段成像，同時由于大幅提高了測量光通量，在極弱光條件下具有獨特的優(yōu)勢。基于壓縮感知理論發(fā)展出的光子計數(shù)單像素相機，采用統(tǒng)計模型進行隨機調(diào)制，進而實現(xiàn)光子計數(shù)成像，該成像技術(shù)在太赫茲成像、顯微成像、機器視覺等諸多應(yīng)用領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。目前缺少能夠幫助學(xué)生深刻地理解單像素光子計數(shù)成像的基礎(chǔ)知識以及壓縮感知理論的用于教學(xué)的單像素光子計數(shù)成像設(shè)備，故此設(shè)計本設(shè)備，以幫助大學(xué)生理解光子計數(shù)成像的基本原理與應(yīng)用。 圖1.單像素光子計數(shù)成像設(shè)備樣機

項目簡介 一種在鈦金屬表面制備 Ti-Si-C 涂層的方法，其特征是它由涂層合金粉末片制備和 激光熔覆處理組成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉經(jīng)混合球磨烘干后，在壓片機上壓制合 金粉末片，且涂層合金粉末片中各組分的原子個數(shù)百分比為：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明熔覆工藝性能優(yōu)良，涂層組織致密，界面結(jié)合良好，主要組成相為 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，組織為 α-Ti 基體＋

項目簡介： 南開大學(xué)微電子專業(yè)以集成電路設(shè)計為主要發(fā)展目標(biāo)，現(xiàn)有一批 集成電路設(shè)計的師資力量，具有現(xiàn)成的教學(xué)體系，能夠在數(shù)模混合集 成電路、射頻集成電路、SoC 系統(tǒng)集成設(shè)計等方面提供技術(shù)服務(wù)。 具有 10 余批次集成電路流片的經(jīng)驗，具有集成電路設(shè)計與實踐 的軟硬件條件，支持設(shè)立集成電路設(shè)計實驗基地，支持集成電路設(shè)計 的小微企業(yè)的創(chuàng)立和發(fā)展，提供技術(shù)培訓(xùn)、設(shè)計實驗和合作開發(fā)等。 

同時利用紫外光激發(fā)的單光子過程和近紅外光激發(fā)的雙光子過程，成功獲得了雙路徑光子轉(zhuǎn)換的染料@MOF白光材料。該MOF結(jié)構(gòu)設(shè)計中的四苯乙烯骨架配體和所吸附的有機染料分子，均同時具有單光子吸收(OPA)和雙光子吸收(TPA)激發(fā)熒光的特性。經(jīng)過對材料組成、激發(fā)波長、雙光子吸收截面等諸多因素的精準(zhǔn)調(diào)控，最終成功獲得了不同含量的RhB+@LIFM-WZ-6、BR-2+@LIFM-WZ-6和APFG+@LIFM-WZ-6的染料@MOF白光材料體系，而后分別在365 nm紫外光和730~800 nm近紅外光的激發(fā)下，經(jīng)由單光子路徑和雙光子路徑過程，成功實現(xiàn)了能量下轉(zhuǎn)換和上轉(zhuǎn)換的白光發(fā)射。上述研究將不同路徑的光子轉(zhuǎn)換機制成功運用于白光發(fā)射材料的設(shè)計，并為光化學(xué)和光物理的其他相關(guān)領(lǐng)域提供了新的研究思路。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術(shù)發(fā)展和國防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點，Si襯底上外延GaN成為近年來學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對當(dāng)前國際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價值。

小試階段/n本發(fā)明解決單相α-Si3N4超細粉體制備技術(shù)存在的問題，如原料價格高、工藝過程復(fù)雜、不易控制、能耗高和工業(yè)化程度低，所制備的產(chǎn)品純度低、粉體顆粒粒徑分布不均勻和Alpha相含量低。本發(fā)明具有反應(yīng)溫度低、成本低、合成工藝簡單、過程易于控制、產(chǎn)率高和產(chǎn)業(yè)化前景大的特點；所制備的單相α-Si3N4超細粉體粒度為100~500nm，無雜相、活性高、顆粒團聚小和粒度分布均勻。本發(fā)明處于待轉(zhuǎn)化階段，應(yīng)用范圍廣闊，市場前景可觀，預(yù)期經(jīng)濟效益優(yōu)異。

        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         目前的潮流能發(fā)電機組以直驅(qū)液壓變槳及帶變速箱的液壓變槳為主，其發(fā)電機和變速箱均采取機械動密封方式進行密封防水處理，海洋環(huán)境下，機械動密封的可靠性和運行效率往往沖突，密封層級多運行阻力大，效率低，密封層級少，密封可靠性差，機組的運行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一體化集成發(fā)電，波浪能與海流能水輪機對轉(zhuǎn)并通過磁力耦合驅(qū)動發(fā)電機增速，具有多能互補、高效獲能、轉(zhuǎn)換效率高、結(jié)構(gòu)簡單、運行可靠等特點，為規(guī)模化海洋能開發(fā)提供創(chuàng)新型設(shè)計。         意向開展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開發(fā)資金支持