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一種Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201510578249.5） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni型三元Mg?Ni?Cu可逆儲氫材料及其制備方法，屬于儲氫技術領域。該儲氫材料成分范圍為：Mg占合金原子百分比為66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比為33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比為0～12％，原料的純度均不低于99.5％。該儲氫材料制備的關鍵在于首先制備高化學穩定性的Ni(Cu)固溶體粉末，然后將固溶體粉末和Mg粉按比例混合燒結得到高純Mg2Ni型三元Mg20Ni10?xCux(0<x≤1.2)可逆儲氫合金。本發明涉及的材料具有高的儲氫容量(3.5wt％以上)和良好的低溫放氫動力學等特性，Cu替代貴金屬Ni降低了材料的使用成本。本發明涉及的制備方法具有工藝溫和、簡單、易控，生產設備投資少，生產過程無污染，易于工業化大規模生產的顯著優點。
安徽工業大學
2021-04-11
三元Ni-Ru-S多相催化劑的制備方法
（專利號：ZL 201310571526.0） 簡介：本發明公開一種三元Ni-Ru-S多相催化劑的制備方法，屬于釕催化劑制備技術領域。該催化劑由載體和活性組分構成，載體為ZSM-5、SBA-15、γ-Al2O3以及SiO2中的任一種，活性組分為Ru、Ni，將RuCl3·3H2O、(CH3COO)2Ni·4H2O溶于乙醇中，將載體放入其中，充分攪拌混合均勻后烘干，然后放入高壓反應釜中進行預硫化，將預硫化所得到的黑色固體放入真空干燥箱烘干后制
安徽工業大學
2021-01-12
一種Mg－In－Ag三元儲氫材料及其制備方法
（專利號：ZL 201310592272.0） 簡介：本發明公開了一種新型的Mg－In－Ag三元儲氫合金體系及其制備方法，屬于儲氫材料技術領域。該儲氫材料成分組成為：(Mg+In)的原子百分數為80~85%，其中In在(Mg+In)中的占比為3~6%，其余為Ag。按合金成分稱取Mg塊和Ag片，采用感應熔煉爐先熔煉Mg－Ag二元低熔點合金，再按配比稱取In塊與上述二元合金一起再次熔煉得到Mg－In－Ag三元合金；將該合金除去表面氧化皮后研磨
安徽工業大學
2021-01-12
一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法
（專利號：ZL 201510578254.6） 簡介：本發明公開了一種Mg2Ni0.9Co0.1H4基儲氫材料的制備方法，屬于儲氫材料技術領域。該方法通過濕法球磨得到Ni(Co)固溶體粉末；按母合金Mg2Ni1?xCox(x＝0.1～0.2)的成分，將一定量的固溶體和Mg粉真空燒結得到母合金，母合金的化學成分范圍為：Mg的原子百分數為65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分數為10～20％；然后將燒結合金置于氫化爐中氫化獲得目標儲氫材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基體相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相組成。該儲氫材料具有高的儲氫容量(大于3.5wt％)、低的起始放氫溫度(220℃)和優良的放氫動力學性能。本發明制備方法具有工藝簡單、高效、產率高、無污染的顯著特點。
安徽工業大學
2021-04-11
一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發明避免了石 墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數目，通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學
2021-04-14
一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法
本發明公開了一種石墨烯/Cu/Ni 復合電極及其制備方法。復合 電極包括 Cu/Ni 合金層和覆蓋在 Cu/Ni 合金層上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金層由 Ni 膜和覆蓋在 Ni 膜上 Cu 膜發生 Ni 原子與 Cu 原子的 相互擴散形成，Ni 膜與 Cu 膜的厚度比為 1:(3～10)。本發明避免了石 墨烯轉移過程和圖形化過程對石墨烯質量的破壞，減少了石墨烯缺陷 的數目，通過調整 Ni 膜與 Cu 膜的厚度，采用分段
華中科技大學
2021-04-14
鉗形表MG28
供中專技校學生測量電流、電壓、電阻使用。
交流電流0-5-25-50-100-250-500A
交流電壓0-50-250-500V
直流電流0-0.5-10-100mA
直流電壓0-10-50-250-500V
電阻×10，×100，×1000.
杭州電表廠
2021-08-23
Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應用
本發明公開了一種 Ni 納米線、NiO/Ni 自支撐膜及其制備方法和應用。所述 Ni 納米線為平均長度 50,000 至 200,000nm 的超長納米線；其制備方法為：首先配置 Ni 納米線液相生長液；然后在外加磁場下制備 Ni 納米線單質；最后分離純化 Ni 納米線。所述 NiO/Ni 自支撐膜包括所述 Ni 納米線及其煅燒制得的表面為 NiO 的 Ni 納米線；其制備方法為：首先將所述 Ni 納米線分散在表面活性劑溶液中；然后抽濾將 Ni 納米線轉移到微孔濾膜上，制得 Ni 自支撐膜；最后將
華中科技大學
2021-04-14
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化, 乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優良的傳熱性能, 加入少量強化元素, 通過固溶強化和彌散強化提高其強度, 同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標 1.抗拉強度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導電率：60～80%IACS。
上海理工大學
2021-04-11
大規模集成電路用引線框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成電路是微電子技術的核心，與國防和國民經濟現代化，乃至人們的文化生活都息息相關。集成電路由芯片和框架經封裝而成，其中框架既是骨架又是半導體芯片與外界的聯接電路，是芯片的散熱通道，又是連結電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規模和超大規模的迅速推進，對集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優良的傳熱性能，加入少量強化元素，通過固溶強化和彌散強化提高其強度，同時僅稍微損失導熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強中導、高強中導、高強高導合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關鍵技術與國外先進水平有較大差距，我國所使用的大規模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進口。目前，本課題組通過一系列研究，開發了具有自主知識產權的Cu-Ni-Si系合金，并實現了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產化大規模生產。
上海理工大學
2021-04-13