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本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻 VDMOS 器件及制備方法，在傳統(tǒng)的 VDMOS 器件結(jié)構(gòu)中引入一塊與 源區(qū)摻雜雜質(zhì)相同的摻雜區(qū)。該摻雜區(qū)位于柵氧層正下方且與基區(qū)和柵氧層緊密接觸。相應(yīng)地，新?lián)诫s 區(qū)上方的柵極采用中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明 VDMOS 器件可有效降低溝道導(dǎo)通電阻和頸區(qū)電阻，從而降低 VDMOS 器件的導(dǎo)通電阻；同時，采用中空結(jié)構(gòu)的柵極既可避免新?lián)诫s區(qū)對擊穿電壓的影響，也可降低 柵極與漏極間結(jié)電容，提高 VDMOS 的開關(guān)速度。本發(fā)明方法工藝簡

高效有機(jī)磷光發(fā)光材料及OLED器件，2012年12月獲四川省科技進(jìn)步三等獎，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平；申請發(fā)明專利12項（5項授權(quán)）。項目中所制備的銥配合物磷光電致發(fā)光材料在四川虹視顯示技術(shù)有限公司的3款OLED器件（1.1英寸、分辨率為96×64；1.8英寸、分辨率為128×64；2.2英寸、分辨率為160×128）樣品中使用，該項目研究成果，填補(bǔ)了我國在新型平板顯示器件---高效有機(jī)磷光電致發(fā)光材料及OLED器件方面的材料制備和器件化工藝的空白。 

【發(fā) 明 人】馬宏躍；段金廒；詹瑧；蕭偉；王團(tuán)結(jié) 【摘要】 本發(fā)明提供了一種中藥注射液致敏性的檢測評價方法，該方法是將中藥注射液制劑經(jīng)1至3KD超濾富集制備致敏性的大分子部位，然后將大分子部位加入到單個核細(xì)胞(PBMC)溶液中，共培養(yǎng)1至3天，然后采用優(yōu)選的臺盼藍(lán)或熒光染料染色活細(xì)胞數(shù)目，以計算、評價中藥注射液的致敏性強(qiáng)度。該方法具有方便、快捷和靈敏的優(yōu)勢，可廣泛適用于各種中藥注射液致敏性、刺激性的評價和檢驗，可為中藥注射液的安全性評價，中藥注射液的質(zhì)量控制，為保證臨床用藥的安全性，提供科學(xué)的依據(jù)。

本發(fā)明公開了一種疊層片式熱壓敏復(fù)合電阻器及其制備方法， 復(fù)合電阻器由壓敏電阻部分、中間過渡層部分及熱敏電阻部分疊加組 成，壓敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為壓敏電阻瓷片—第一電極層—壓敏電阻瓷 片—第二電極層的交疊層壓組合，第一電極層與第二電極層分別錯開； 熱敏電阻部分的結(jié)構(gòu)為：熱敏電阻瓷片—第三電極層—熱敏電阻瓷片 —第四電極層的交疊層壓組合，第三電極層與第四電極層分別錯開， 中間過渡層部分位于熱敏電阻部分與壓敏電阻部分的中間。

本發(fā)明公開了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的雙粒子濾波導(dǎo)航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、PDR定位模塊、VLC定位模塊、測姿粒子濾波器和定位粒子濾波器；本發(fā)明在測姿濾波器的設(shè)計中，三維姿態(tài)誤差和三軸陀螺儀漂移作為6維的狀態(tài)向量。基于慣導(dǎo)機(jī)械編排的誤差方程作為其系統(tǒng)方程，用于更新粒子狀態(tài)。觀測方程包括加速度計觀測量更新和磁力計觀測量更新，用于計算粒子權(quán)重。測姿濾波器輸出VLC接收器的姿態(tài)給VLC定位模塊以校正姿態(tài)的影響。在定位濾波器的設(shè)計中，二維平面的位置信息作為系統(tǒng)狀態(tài)向量，基于行人航位推算的誤差方程作為系統(tǒng)方程，而VLC的定位結(jié)果則作為定位濾波器的觀測方程。

本發(fā)明公開了一種基于MEMS傳感器和VLC定位融合的單粒子濾波導(dǎo)航裝置和方法，包括MEMS傳感器、INS模塊、VLC定位模塊、PDR定位模塊和測姿定位單粒子濾波器模塊；本發(fā)明中基于INS慣導(dǎo)機(jī)械編排的誤差方程作為融合濾波器的系統(tǒng)方程，用于對粒子群的粒子進(jìn)行更新。觀測方程包括VLC定位信息更新、PDR定位信息更新和磁力計觀測量更新，用于計算各個粒子的權(quán)重。輸出姿態(tài)信息給VLC定位模塊和PDR定位模塊。本發(fā)明首次在VLC定位領(lǐng)域使用融合測姿準(zhǔn)確估計VLC接收器的姿態(tài)信息，解決VLC定位容易受接收器姿態(tài)影響以及在光信號被遮擋情況下定位不連續(xù)的問題，并消除姿態(tài)對VLC定位的影響。

在海洋環(huán)境、酸雨污染、高溫高濕等的環(huán)境條件下，紫銅、黃銅及其合金的加工器件在中間工序存放和使用過程中會造成點(diǎn)蝕，進(jìn)而擴(kuò)展為大面積腐蝕，而作為連接部件會加劇縫隙腐蝕引發(fā)應(yīng)力腐蝕斷裂。該項目成功研制了耐腐蝕耐磨防腐蝕環(huán)保涂料，大大延長銅類尤其是紫銅的自然存放期，對銅器件生產(chǎn)和運(yùn)輸過程中起到了很好的保護(hù)作用；由于耐蝕性優(yōu)異，也可作為長期防護(hù)涂層。該技術(shù)獲得的涂層在厚度為5μ條件下測試相關(guān)主要技術(shù)指標(biāo)如下：   外觀    無色透明   可保留銅的金屬光澤；可調(diào)整任意顏色   粘度    25秒      《涂料粘度測定法》（涂-4杯）（GB/T 1723-1993）    附著力  0級      《色漆和清漆漆膜的劃格試驗》（GB/T9286-1998）    耐鹽霧   200h       《色漆和清漆耐中性鹽霧的測定》（GB/T1771-1991）   耐沖擊  50Kg·cm   《漆膜耐沖擊測定法》GB/T1732-1993   耐磨擦  0.005千克 《漆膜耐磨性測定法》（GB/T1768-1989）   硬度    4H        《涂膜硬度鉛筆測定法》（GB/T6739-1996）   相容性  與彈藥相容 《真空安定性試驗-壓力傳感器法》（GJB772A-97 501.2） 該技術(shù)適合噴涂、刷涂、輥涂等工藝，不含任何有害稀釋劑，為環(huán)保產(chǎn)品。該產(chǎn)品用量少、性能和使用工藝優(yōu)于防銹油；其另一特色在于必要時很容易去除，比防銹油的去除要容易的多。

本發(fā)明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計創(chuàng)造產(chǎn)值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎，并且本專利獲得中國專利優(yōu)秀獎。

本項目將提供一款高品質(zhì)的非晶 ZnTiSnO 微型半導(dǎo)體氣體傳感器，為一種具有納米材料特征的薄膜型氣體傳感器，用于可燃性氣體（特別是乙醇）的檢測。該半導(dǎo)體氣體傳感器具有下述優(yōu)點(diǎn)：靈敏度高、選擇性好、響應(yīng)快、穩(wěn)定性好、抗干擾性強(qiáng)、可室溫工作、易于微型化、與微電子系統(tǒng)兼容，而且制作工藝簡單、組裝成本低、價格低廉。 （1）半導(dǎo)體氣體傳感器件的核心材料為氣敏層，即非晶ZnTiSnO 薄膜，該材料質(zhì)量如何直接決定了器件的性能。通過前期預(yù)研究，我們設(shè)計并合成了具有表面微納結(jié)構(gòu)的絨面 a-ZnTiSnO 薄膜，如何進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù)，更加提升 a-ZnTiSnO 薄膜高質(zhì)量，實現(xiàn)精確可控生長，依然是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （2）氣體傳感器的實用性在于器件參數(shù)的確立，因而，通過系統(tǒng)研究，建立非晶 ZnTiSnO 氣體傳感器各氣敏性能與氣體參數(shù)之間的定量關(guān)系曲線，特別是室溫工作條件下的定量關(guān)系，是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。 （3）為使氣體傳感器獲得廣泛應(yīng)用，器件良好的穩(wěn)定性至關(guān)重要。通過工藝優(yōu)化、器件設(shè)計和封裝保護(hù)等措施，實現(xiàn)非晶ZnTiSnO 氣體傳感器的高穩(wěn)定性和抗干擾性，使器件具有長的使用壽命，也是本項目擬解決的關(guān)鍵技術(shù)。制備出高質(zhì)量非晶 ZnTiSnO 薄膜，具有均勻且均一的表面微納結(jié)構(gòu)，絨度大于35%；薄膜與襯底附著力大于 21N。非晶 ZnTiSnO氣體傳感器性能指標(biāo)：氣敏層尺寸 10~300μm，易于集成化；對可燃性氣體有高選擇性，其中對乙醇的敏感度最高；室溫工作條件下，對 100ppm 乙醇的響應(yīng)度不低于 30；響應(yīng)時間小于 1.8s，恢復(fù)時間小于 1.5s；穩(wěn)定性好，有效使用壽命不低于3 年。 理論與實驗相結(jié)合，揭示出 a-ZnTiSnO 氣體傳感器室溫氣敏性能和穩(wěn)定性機(jī)理，建立理論模型，闡明器件的耐候性規(guī)律。研制出具有實用價值的高品質(zhì) a-ZnTiSnO 半導(dǎo)體氣體傳感器，建立一套非晶 ZnTiSnO 材料生長和器件制備的完整工藝，關(guān)鍵技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)。 應(yīng)用范圍：  納米氧化銅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類抗菌、抗紫外線、空氣凈化產(chǎn)品中，如抗菌保鮮膜、抗菌塑料、抗菌纖維、抗菌整理液、抗菌陶瓷、抗菌地板、抗菌紡織品、防嗮化妝品、室內(nèi)甲醛治理等產(chǎn)品中。 納米CuO應(yīng)用前景 催化劑：主要用于國防領(lǐng)域，作為復(fù)合固體推進(jìn)劑的重要成分，用來調(diào)節(jié)推進(jìn)劑燃耗性能。 傳感器：納米氧化銅對外界環(huán)境的溫度，光，濕氣等十分敏感，并且可以提高傳感器的響應(yīng)速度，靈敏度和選擇性。 在超導(dǎo)，陶瓷，電極活性材料等領(lǐng)域作為一種重要的無機(jī)材料有廣泛的應(yīng)用。 用作玻璃，瓷器的著色劑，光學(xué)玻璃磨光劑，有機(jī)合成的催化劑，油類的脫硫劑，氫化劑。 用于制造人造寶石及其它銅氧化物，用于人造絲的制造，以及氣體分析和測定有機(jī)化合物等。 用于飼料中，提高銅的表觀消化率。 用于抗菌劑，納米氧化銅具有清潔，高效，能耗低，污染小，被廣泛用于醫(yī)藥，紡織等領(lǐng)域。 用于粒子助力制冷器節(jié)能，提高熱傳遞效率。 降低冷凍機(jī)油的粘度。 提高煙氣脫硝性能。 應(yīng)用范圍： 橡膠工業(yè)中硫化活性劑，石油化工行業(yè)催化及添加劑，是汽車輪胎、飛機(jī)輪胎、工業(yè)電纜行業(yè)材料以及氧化鋅陶瓷； 涂料油漆、透明橡膠、乳膠和塑料行業(yè)用，可增加產(chǎn)品強(qiáng)度和致密性、粘合性、光潔度； 抗菌抑菌和除臭材料、醫(yī)藥衛(wèi)生用殺菌材料、玻璃陶瓷殺菌自潔材料、醫(yī)藥行業(yè)殺菌敷料； 電子工業(yè)和儀表工業(yè)、制造電器件、無線電、無線熒光燈、圖像記錄儀、變阻儀、熒光體； 軍事工業(yè)：紅外吸收材料。   五、納米氧化鋅分散液 項目 Item 標(biāo)準(zhǔn) Standard 氧化鋅(W/%) ZnO 4% 外觀 Exterior 乳白略顯黃色易流動液體 Milky white slightly yellow liquid PH 7.2   分散液氧化鋅含量可以根據(jù)需要在30%以下定制

已有樣品/nSTT-MRAM 是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當(dāng)前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM 及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團(tuán)隊通過3 年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM 關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS 工藝成