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高頻高功率密度GaN柵驅動電路
作為第三代半導體代表性器件.硅基GaN開關器件由于具有更小的FOM.能夠把開關頻率推到MHz應用范圍，突破了傳統電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關領域的研究對我國在下一代電力電子器件產業的全球競爭中實現彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅動電路和采用先進的環路控制策略，最大程度提高GaN開關應用的可靠性,發揮其高頻優勢。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
特色及先進性；技術指標 電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一種GaN功率整流器新結構（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其結構如圖2所示。新結構較傳統GaN整流器具有更小的導通電阻，更低的開啟電壓和反向漏電。圖3為MG-HAD和傳統SBD正向開啟特性特比，可以看出MG-HAD具有較小的開啟電壓（0.6V）和導通電阻（1.3mΩ?cm2）。圖4可以看出器件直至150 ℃高溫仍然保持優秀的反向阻斷能力，以10μA/mm 為擊穿電流標準，MG-HAD在常溫下擊穿電壓超過1.1kV的儀器測量極限，150 ℃高溫下擊穿電壓為770V。本器件結果能同時具有低導通電阻和高擊穿電壓，因而其baliga優值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二極管報道中為第二高值，見圖5所示。
電子科技大學
2016-06-08
柔性儲能器件及傳感器件
利于層狀納米材料比表面積大的特點，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級電容器，及葡萄糖傳感器。超級電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進水平，成果先后發表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重慶大學
2021-04-11
由生成對抗網絡（GAN）驅動的進化多目標算法
隨著計算智能方法得到更廣泛的應用，其從問題本身學習的能力亟待增強。為此，越來越多研究提出使用機器學習模型來驅動計算智能。通常，這種基于模型的進化算法的性能高度依賴于所采用模型的訓練質量。而傳統機器學習方法需要大量訓練數據進行模型訓練，而且受維度災難的影響，這類方法通常很難解決維度較高的問題，約束了計算智能方法的應用范疇。課題組在
南方科技大學
2021-04-14
采用氫化物氣相外延（HVPE） 技術制備 GaN 襯底
成果簡介隨著技術發展， 對于大功率白光 LED 而言， 發光效率的提高一直是個瓶頸。針對 GaN 基器件， 由于同質 GaN 襯底價格昂貴， 因此一直沒有被普遍應用到 GaN基材料生長領域。 目前一般采用在異質襯底上生長 GaN 基材料， 國內外一般采用藍寶石襯底、 碳化硅襯底、 硅襯底等等。 這導致 GaN 基材料與異質襯底之間的熱膨脹系數、 晶格系數的不匹配， 從而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量級。 高密度的缺陷直接導致光電器件發
安徽工業大學
2021-04-14
磁流變元器件
磁流變液是一種機敏材料，在外加磁場的作用下，液體的粘度發生很大的變化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且連續可控。運用磁流液可以制作磁流變剎車、離合器、減振器和阻尼器等高科技磁液變元器件，它們可以用于車輛懸掛系統，土木工程結構抗震、減振及大型能量動力設備的基礎隔振等方面。此外磁流變阻尼器還可用于制成無級可調式健身器材。我們針對磁流變減振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大學
2021-01-12
新型FinFET?器件工藝
已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類似工藝的常規FinFET 漏電降低1 個數量級，驅動電流增大2 倍，驅動性能在低電源電壓下達到國際先進水平。由于替代了傳統的源漏SiGe 外延技術，與極小pitch 的大規模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術價值。
中國科學院大學
2021-01-12
光學微腔器件
成果創新點 1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進 而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微 腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108， 從而達到國內領先，國際先進水平。 2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光 器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激 光技術
中國科學技術大學
2021-04-14
光學微腔器件
1.在光學微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測方面，分別提出了先進而完善的實施方案，并申請了相關發明專利。現有晶體微腔 Q 值國內最高水平 106，國外達到 109，本項目可優于 108，從而達到國內領先，國際先進水平。
2.在光學微腔器件應用方面，研發例如超窄線寬激光器（精密測量、物理量精密傳感）、超窄線寬濾波器（激光技術）等小型化器件的技術原理和實現方案。與常規產品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個量級，成本可下降 80%。成果可實現的光學微腔器件主要指標：研制出光學晶體微腔，Q 值優于 108，根據用戶要求研制小型化應用模塊。
中國科學技術大學
2023-05-17
分立器件測試機
南京工程學院
2021-04-13