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面向AI等應用發展趨勢推出的新一代高性能、高密度插卡式交換機 產品特性： 固化4個擴展插槽，每槽位最大可支持32個100G端口，更好滿足數據中心網絡演進需求 支持2+2電源與5+1風扇熱插拔，支持GR完美重啟，實現硬件與鏈路可靠性雙重保護 三層路由功能輕松適配多重業務，數據傳輸高效有保障 多重管理方式選擇 網絡維護簡單有效 構建下一代數據中心網絡 AI/機器學習等應用的高速發展，驅動下一代數據中心網絡向100G/400G演進。下一代數據中心網絡，要求設備在單位空間內，具備更高的性能、更大的帶寬，RG-S6920-4C在4U高度空間內，最大可提供128個100G端口，或64個100G端口+16個400G端口，更好的滿足下一代數據中心網絡的演進需求。 構建高性能、低延時數據中心網絡 RG-S6920-4C交換機配合RG-S6510系列交換機，基于PFC/ECN等網絡流控技術，以及MMU調優技術，可構建端到端、無損、低時延轉發的RDMA（Remote Direct Memory Access，遠程直接內存訪問）基礎承載網絡，滿足AI/機器學習、高性能計算、分布式存儲大數據等應用場景的網絡部署要求。 電信級可靠性保護 RG-S6920-4C交換機支持2+2電源冗余，5+1風扇冗余，所有電源模塊以及風扇模塊均可以熱插拔而不影響設備的正常運行。此外整機還支持電源和風扇的故障檢測及告警，可以根據溫度的變化自動調節風扇的轉速，更好的適應數據中心的環境。還具備設備級和鏈路級的多重可靠性保護。采用過流保護、過壓保護和過熱保護技術。 除了設備級可靠性以外，該系列還支持豐富的鏈路可靠性技術，比如支持GR快速重啟、BFD快速轉發檢測等機制。當網絡上承載多業務、大流量的時候，降低異常對網絡業務的影響，提升整網可靠性。 IPv4/IPv6雙棧協議多層交換 RG-S6920-4C交換機，硬件支持IPv4/IPv6雙協議棧多層線速交換，硬件區分和處理IPv4、IPv6協議報文，支持多種Tunnel隧道技術（如手工配置隧道等等），可根據IPv6網絡的需求規劃和網絡現狀，提供靈活的IPv6網絡間通信方案。 支持豐富的IPv4路由協議，包括靜態路由、RIP、OSPF、IS-IS、BGP4等，滿足不同網絡環境中用戶選擇合適的路由協議靈活組建網絡。 支持豐富的IPv6路由協議，包括靜態路由、RIPng、OSPFv3、BGP4+等，不論是在升級現有網絡至IPv6網絡，還是新建IPv6網絡，都可靈活選擇合適的路由協議組建網絡。 完善的管理性 支持豐富的管理接口，例如Console、MGMT口、USB口，支持SNMPv1/v2/v3，支持通用網管平臺。支持CLI命令行， Telnet，集群管理，使設備管理更方便，并且支持SSH2.0、SSL等加密方式，使得管理更加安全。 支持SPAN/RSPAN鏡像和多個鏡像觀察端口，可以將網絡流量輸出分析以采取相應管理維護措施，使原本不可見的網絡業務應用流量變得一目了然，可以為用戶提供多種網絡流量分析報表，幫助用戶及時優化網絡結構，調整資源部署。

項目成果/簡介:本發明提供高效降解黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的溶桿菌及其用.具體地,本發明提供一株雙功能高效降解菌(Lysobacter?sp.)CW239及其在降解低污染濃度黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A中的應用.與現有的黃曲霉毒素降解菌相比,本發明的菌株CW239能夠在低濃度毒素污染條件下達到極佳的降解效果.在液體發酵條件下,在含有黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A終濃度20μg/L的發酵培養液中,12h菌株CW239對赭曲霉毒素A的降解率為53.1%,48h降解率達到99.8%;12h菌株CW239對黃曲霉毒素B1的降解率為42.5%,48h降解率達到83.4%.用菌株CW239處理毒素污染的飼料(終濃度20μg/kg),48h對赭曲霉毒素A降解率為68.7%,黃曲霉毒素B1降解率為52.1%.菌株CW239在食品及飼料生物脫毒應用方面具有實質性的應用價值和重大意義.

本發明提供高效降解黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的溶桿菌及其用.具體地,本發明提供一株雙功能高效降解菌(Lysobacter?sp.)CW239及其在降解低污染濃度黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A中的應用.與現有的黃曲霉毒素降解菌相比,本發明的菌株CW239能夠在低濃度毒素污染條件下達到極佳的降解效果.在液體發酵條件下,在含有黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A終濃度20μg/L的發酵培養液中,12h菌株CW239對赭曲霉毒素A的降解率為53.1%,48h降解率達到99.8%;12h菌株CW239對黃曲霉毒素B1的降解率為42.5%,48h降解率達到83.4%.用菌株CW239處理毒素污染的飼料(終濃度20μg/kg),48h對赭曲霉毒素A降解率為68.7%,黃曲霉毒素B1降解率為52.1%.菌株CW239在食品及飼料生物脫毒應用方面具有實質性的應用價值和重大意義.

本發明涉及以苯基?2?吡咯烷基芐醇類化合物以CSA為催化劑，以DCE為溶劑，在100℃的條件下，反應10小時，制得二苯并[b,e]吖庚因類化合物。本發明以苯基?2?吡咯烷基芐醇類化合物在酸性條件下脫水生成碳正離子，四氫吡咯鄰位碳上的氫以氫負離子的形式遷移到碳正離子，原位上生成的亞胺正離子，再對另一苯環發生傅克反應得到二苯并[b,e]吖庚因類化合物。實現了通過氫遷移/環化策略構建二苯并[b,e]吖庚

大規模MIMO是一類搭載大量天線陣列，支持對天線單元幅值與相位的精準控制，可以將無線信號能量匯集到特定方向上的5G/B5G關鍵通信技術。在大規模MIMO場景中，通信節點本來不容易受到非法竊聽者的攻擊。然而，一種新型的視距攻擊能夠利用視距通信系統中的信道相關性，在用戶的通信鏈路上對信息進行竊取。王銳課題組設計了一種基于用戶協作的通信安全方案，通過對竊聽區域的預測，優先選擇安全系數高的用戶作為信息中轉點，禁止竊聽區域附近的用戶進行傳輸，從而有效地對抗視距攻擊。 相比現有的大規模MIMO場

目前，國內各類學校電工、模擬、數字電路、電氣控制實驗大多是分體的，也有部分學校根據教學要求自制各種形式的實驗設備，由于加工量少，受自身加工能力的限制，加工工藝粗糙，功能不全，滿足不了實驗要求，也容易發生人身及設備事故，且實驗元器件繁多難購置、難以管理，很難開出實驗大綱規定的實驗。基此，我廠吸取德國及國內同類產品的優點，結合我國高教，職教教學大綱要求而研制本系列產品。 ? 本系列產品的特點: 實驗臺具有較完善的安全保護措施，較齊全的功能。實驗操作桌中央配有通用電路插扳，電路插板注塑而成，表面均布有九孔成一組相互聯通的插孔，元件盒在其上任意拼插成實驗電路；元件盒盒體透明，直觀性好，盒蓋印有永不褪色元件符號，線條清晰美觀。盒體與盒蓋采用較科學的壓卡式結構，維修、更換元件拆裝方便。元器件放置在實驗操作桌下邊左右柜內，實驗時取存方便，大大提高了管理水平，規劃化程度，大大減輕了教師實驗準備工作。 適用范圍： 適用于高等院校及要求較高的中專、技校、職業學校，可完成電工學、電工原理、電路分析、模擬電子技術、數字電路，電氣控制設備等課程實驗。該設備是現有實驗室設備的更新換代或新建、擴建實驗室的理想產品，它的配備是學校上水平、上等級的重要標志。 本系列設備實驗臺和實驗操作桌結構和功能相同： 1、實驗臺構成與性能: 1.1.?電源及參數 1.1.1 輸入電源:三相四線電源，輸入時指示燈亮（SBK－528模電、數電實驗室成套設備為單相三線輸入） 1.1.2 電源輸出：有保險絲和漏電保護開關二級保護功能。 A組:單、三相可調交流電源，提供三相0～430V連續可調的交流電源，同時可得到0～240V單相可調電源(配有一臺1.5KVA的三相自耦調壓器，配有三只指針式交流電壓表，指示調壓器輸出電壓)。注：SB－2003B模電、數電實驗室成套設備無三相調壓輸出，改為一臺0.5KVA單相0－250V輸出。 B組：低壓交流電壓3－24V分七檔可調，最大輸出電流1.5A，電流表指示。 C組：低壓直流穩壓電源，電壓5V，電流0.5A，電流表指示。 D組:雙路恒流穩壓電源，二路輸出電壓均為0～30V，由多圈電位器連續調節，具有預設式限流過載保護功能，輸出最大電流為1.5A，每路電源輸出有0.5級數字電流表、電壓表指示。電壓穩壓度

石墨烯是材料科學領域的一顆迅速崛起的明星，開啟了二維材料的大門。作為納米光電子器件廣泛使用的理想電極材料，石墨烯除了具有優異的彈性和剛度外，還具有最高的載流子遷移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而，石墨烯作為一種典型的半金屬材料，它的零帶隙極大地限制了其在半導體工業的應用。自石墨烯被發現以來，它的零帶隙一直是世界范圍內最具挑戰性的難題之一。  多年來，人們一直致力于解決這一關鍵問題，最主要的打開石墨烯帶隙方法可以概括為下面兩種。第一種是通過摻雜、吸附、襯底相互作用、外加電場、應變、建立二維異質結等方法直接打開石墨烯的帶隙。不幸的是，在打開石墨烯帶隙的同時，保持其具有超高載流子遷移率的線性電子色散的多種嘗試，至今仍未成功。第二種方法是開辟新的路徑，尋找新的具有超高載流子遷移率（線性色散）的二維材料，如二硫化鉬、硅烯、鍺烯和磷烯等，它們構成了新的二維材料家族。遺憾的是，迄今還沒有發現任何具有類似石墨烯線性電子色散和超高載流子遷移率的二維半導體。 北京大學物理學院史俊杰教授及其研究團隊注意到：鈣鈦礦材料具有多樣的組成和結構，如ABX3(具有三個不同原子位置的三維結構)、A'2[An-1BnX3n+1] (二維Ruddlesden-Popper型結構)、A'[An-1BnX3n+1] (二維Dion-Jacobson型結構)、A'2An-1BnX3n+3(二維111型結構)和AnBnX3n+2(二維110型結構)等，為材料設計提供了一個理想和龐大的平臺。此外，鈣鈦礦結構中陽（陰）離子價態的劈裂和置換，陽（陰）離子的混合等，為組分工程提供了更多的可能性，從而極大地調節了所設計的鈣鈦礦材料的電子結構（帶隙和電子色散）及物理、化學性質，為尋找具有新奇性質的材料開辟了一條新的道路。圖注：左圖為二維Ca3Sn2S7鈣鈦礦結構示意圖，中圖為它的三維線性色散能帶圖（帶隙0.5 eV），右圖為它的光吸收系數，并與光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系數作對比。 最近，他們在硫化物鈣鈦礦的研究中，意外發現了一種新奇的穩定且環境友好的二維鈣鈦礦半導體Ca3Sn2S7材料，它具有類似石墨烯的線性Dirac錐電子色散，直接的本征準粒子帶隙0.5 eV，超小載流子有效質量0.04m0，室溫下載流子遷移率高達6.7×104 cm2V-1s-1，光吸收系數高達105 cm-1（超越鈣鈦礦光伏明星材料MAPbI3）, 從一個全新的角度實現了打開石墨烯帶隙的夢想。該研究將會為二維鈣鈦礦材料的設計和研發提供新的思路，并進一步促進半導體產業的發展。

一種 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料、制備方法及其應用。具體是將 g-C3N4 和 NiCo2S4 混合得到，該混合可以是固相混合，也可以是液相 混合，本發明得到的 g-C3N4/NiCo2S4 復合材料能極大的增加了提高材 料的穩定性，將復合電極作為超級電容器工作電極材料進行測試，在 大電流密度條件下仍能具有較高的比電容量、較好的倍率性能和循環 穩定性。