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產(chǎn)品詳細(xì)介紹 一、概 述 本儀器是依據(jù)JJG622-1997絕緣電阻表檢定規(guī)程、JJG1005-2005電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程和JJG1072-2011直流高壓高值電阻器檢定規(guī)程等有關(guān)文件研制生產(chǎn)的。該儀器設(shè)計(jì)了獨(dú)立的泄漏屏蔽端鈕和接地端鈕。它不僅可用于檢定各種型號的進(jìn)口和國產(chǎn)模擬式絕緣電阻表、數(shù)字式絕緣電阻表、絕緣電阻測試儀的標(biāo)準(zhǔn)，以及作為直流標(biāo)準(zhǔn)高值電阻器使用。具有較長的技術(shù)壽命和機(jī)械壽命。 電阻測量范圍100Ω～2TΩ，調(diào)節(jié)細(xì)度1kΩ。 電壓測量范圍為0～10kV DC。能測量絕緣電阻表的開路電壓、中值電壓和峰值電壓。 二、主要技術(shù)參數(shù) 1.電阻輸出（高壓高阻箱）部分 1.1  電阻輸出部分的準(zhǔn)確度等級及工作電壓（電流） 1.1.1 固定電阻部分

能滿足平安城市、智能交通、室外監(jiān)控和其他惡劣環(huán)境中的部署要求 產(chǎn)品特性： 高品質(zhì)硬件設(shè)計(jì)、穩(wěn)定的設(shè)備性能 虛擬化技術(shù) 豐富的網(wǎng)絡(luò)功能與安全特性 靈活的組網(wǎng)，簡易的管理 高品質(zhì)硬件設(shè)計(jì)、穩(wěn)定的設(shè)備性能 高品質(zhì)硬件設(shè)計(jì)。遵循工業(yè)級設(shè)計(jì)規(guī)范，采用國際大廠主流成熟工業(yè)級芯片、高性能工業(yè)級 CPU、工業(yè)級電源模塊和鋁合金外殼，保證產(chǎn)品的工業(yè)級品質(zhì)。 采用無風(fēng)扇散熱電路設(shè)計(jì)、支持-40~85ºC工作環(huán)境溫度、IP40 防護(hù)等級、防雷電壓>=8KV、防振動保護(hù)電源設(shè)計(jì)、電磁干擾四級標(biāo)準(zhǔn)、耐沖擊和振動，設(shè)備即便在惡劣環(huán)境中也能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行。 虛擬化技術(shù) 支持VSU（Virtual Switch Unit）即虛擬交換單元技術(shù)。通過聚合鏈路連接，最多可將8臺物理設(shè)備虛擬為一臺邏輯上統(tǒng)一的設(shè)備，使其能夠?qū)崿F(xiàn)統(tǒng)一的運(yùn)行，利用單一IP地址、單一Telnet進(jìn)程、單一命令行接口(CLI)、自動版本檢查、自動配置等特性簡化了管理。 豐富的網(wǎng)絡(luò)功能與安全特性 支持VLAN、STP/RSTP 、ERPS、組播、端口鏡像、QoS、端口安全、廣播風(fēng)暴抑制等二層特性；支持靜態(tài)路由等三層網(wǎng)絡(luò)協(xié)議。 通過多種內(nèi)在的安全機(jī)制可有效防止和控制病毒傳播和網(wǎng)絡(luò)流量攻擊，控制非法用戶使用網(wǎng)絡(luò)，保證合法用戶合理化使用網(wǎng)絡(luò)，如端口靜態(tài)和動態(tài)的安全綁定、端口隔離、多種類型的硬件ACL控制、基于數(shù)據(jù)流的帶寬限速、用戶接入控制的多元素綁定等，滿足您網(wǎng)絡(luò)對設(shè)備接入的安全控制。 基礎(chǔ)網(wǎng)絡(luò)保護(hù)（NFPP）通過將報(bào)文分類限速（管理類、轉(zhuǎn)發(fā)類、協(xié)議類），并對報(bào)文進(jìn)行攻擊監(jiān)測，雙重保障保護(hù)CPU和信道帶寬資源免受攻擊煩擾，保證報(bào)文的正常轉(zhuǎn)發(fā)以及協(xié)議狀態(tài)的正常，維護(hù)網(wǎng)絡(luò)的穩(wěn)定。 靈活的組網(wǎng)，簡易的管理 支持傳統(tǒng)的星形組網(wǎng)模式、同時(shí)也支持以太網(wǎng)多環(huán)保護(hù)技術(shù)（ERPS）實(shí)現(xiàn)環(huán)形方式組網(wǎng)，該組網(wǎng)方式具有很高的冗余可靠性，一旦環(huán)路有一節(jié)點(diǎn)出現(xiàn)故障，可以從另一端進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)，切換時(shí)間≤20ms。與此同時(shí)，環(huán)網(wǎng)方式相比星形組網(wǎng)更節(jié)省光纖，可以為您節(jié)省一定的建設(shè)成本。 采用靈活的千兆電口+光口（非復(fù)用）的形式，方便用戶根據(jù)網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)靈活選擇連接形式。 同時(shí)支持使用傳統(tǒng)CLI命令行方式和Web圖形化界面方式配置交換機(jī)，無需了解復(fù)雜的命令行和終端模擬程序，允許簡單、快速的配置交換機(jī)，從而降低部署難度。 Syslog方便各種日志信息的統(tǒng)一收集、維護(hù)、分析、故障定位、備份，便于管理員進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)維護(hù)和管理。

本產(chǎn)品是使用SYBR Green I嵌合熒光法進(jìn)行qPCR反應(yīng)的專用2×預(yù)混液。核心組分Taq DNA Polymerase是基于抗體法封閉的熱啟動DNA聚合酶，能有效抑制低溫條件下的非特異性擴(kuò)增，同時(shí)配以針對qPCR優(yōu)化的反應(yīng)Buffer，非常適合進(jìn)行高特異性、高靈敏度的qPCR反應(yīng)，可以在寬廣的定量區(qū)域內(nèi)得到良好的標(biāo)準(zhǔn)曲線，對靶基因定量準(zhǔn)確、重復(fù)性好、可信度高。同時(shí)本品中含有特殊的ROX Passive Reference Dye，適用于所有qPCR儀器，無需在不同的儀器上調(diào)整ROX濃度。預(yù)混液中添加有藍(lán)色染料，具有加樣示蹤作用，同時(shí)配套提供黃色模板稀釋液，當(dāng)用黃色模板稀釋液稀釋模板，并將其加入到藍(lán)色反應(yīng)預(yù)混液中，顏色由藍(lán)色變?yōu)榫G色，能夠?qū)ε渲品磻?yīng)體系過程起到示蹤作用，防止漏加或錯(cuò)加。該藍(lán)色與黃色染料的光譜與qPCR染料不重疊，不影響反應(yīng)結(jié)果。

清華大學(xué)電子工程系黃翊東教授團(tuán)隊(duì)崔開宇副教授帶領(lǐng)學(xué)生在超光譜成像芯片方面取得重要進(jìn)展，研制出國際首款實(shí)時(shí)超光譜成像芯片，相比已有光譜檢測技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從單點(diǎn)光譜儀到超光譜成像芯片的跨越。

由東南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院尤肖虎教授、趙滌燹教授牽頭，聯(lián)合成都天銳星通科技有限公司、網(wǎng)絡(luò)通信與安全紫金山實(shí)驗(yàn)室等單位完成的“Ka頻段CMOS相控陣芯片與大規(guī)模集成陣列天線技術(shù)”項(xiàng)目成果通過了中國電子學(xué)會組織的現(xiàn)場鑒定。 由中國工程院鄔賀銓院士、陳左寧院士、李國杰院士、呂躍廣院士、丁文華院士以及來自中國移動、信通院、華為、中興、大唐電信和國內(nèi)5所高校的共15位專家組成的鑒定委員會對該項(xiàng)成果進(jìn)行了現(xiàn)場鑒定并給予了高度評價(jià)，一致認(rèn)為：該項(xiàng)目解決了硅基CMOS毫米波Ka頻段相控陣芯片和天線走向大規(guī)模推廣應(yīng)用的核心技術(shù)瓶頸問題，成功研制了Ka頻段CMOS相控陣芯片，并探索出了一套有效的毫米波大規(guī)模集成陣列天線低成本解決方案，多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)屬首創(chuàng)；在硅基CMOS毫米波技術(shù)路線取得重大突破，在大規(guī)模相控陣天線集成度方面國際領(lǐng)先；成果在5G/6G毫米波和寬帶衛(wèi)星通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，在該領(lǐng)域“卡脖子”技術(shù)上取得關(guān)鍵突破，已在相關(guān)應(yīng)用部門得以成功推廣應(yīng)用。 目前，用于射頻芯片的40nm和28nm CMOS工藝特征頻率已經(jīng)超過250GHz，在理論上完全可以滿足毫米波應(yīng)用需求。毫米波硅基CMOS集成電路技術(shù)的突破，將帶來無線通信行業(yè)的一次變革，解決相控陣系統(tǒng)“不是不想用，只是用不起”的問題，把毫米波芯片及大規(guī)模相控陣變成來一種極低成本的易耗品。相比鍺硅工藝和化合物半導(dǎo)體工藝，CMOS工藝在成本、集成度和成品率上具有巨大優(yōu)勢，但其輸出功率相對較低，器件本身寄生效應(yīng)較大。項(xiàng)目組經(jīng)過長達(dá)6年的技術(shù)探索與創(chuàng)新，克服了毫米波CMOS芯片技術(shù)的固有瓶頸問題，所研制的芯片噪聲系數(shù)為3dB，發(fā)射通道效率達(dá)到15%，無需校準(zhǔn)便可實(shí)現(xiàn)精確幅相調(diào)控；基于大規(guī)模相控陣的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片輸出功率受限的問題。

本項(xiàng)目重點(diǎn)研究面向物聯(lián)網(wǎng)極低功耗微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括寬電壓標(biāo)準(zhǔn)單元和片上存儲器設(shè)計(jì)技術(shù)、工藝-電壓-溫度（PVT）偏差檢測技術(shù)與自適應(yīng)動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)、快速響應(yīng)的寬負(fù)載高效率電源轉(zhuǎn)換技術(shù)、低功耗高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)技術(shù)、極低功耗快速啟動晶體振蕩器技術(shù)；面向工業(yè)控制微控制器關(guān)鍵技術(shù)，包括高可靠處理器架構(gòu)、低延時(shí)訪問存儲策略、納秒級中斷響應(yīng)處理技術(shù)、容錯(cuò)型自糾錯(cuò)SRAM 設(shè)計(jì)技術(shù)、高精度時(shí)鐘基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)技術(shù)。

本技術(shù)成果涉及集成電路測試技術(shù)領(lǐng) 域，公開了一種RFID讀寫器芯片中測系 統(tǒng)及方法

隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

利用大規(guī)模集成硅基納米光量子芯片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對高維度光量子糾纏體系的高精度和普適化量子調(diào)控和量子測量。 （圖一）基于硅納米光波導(dǎo)的大規(guī)模集成光量子芯片(可實(shí)現(xiàn)對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量)       集成光學(xué)量子芯片技術(shù)，基于量子力學(xué)基本物理原理，使用半導(dǎo)體微納加工工藝實(shí)現(xiàn)單片集成光波導(dǎo)量子器件（包括單光子源、量子操控和測量光路，以及單光子探測器等），可以實(shí)現(xiàn)對量子信息的載體單光子進(jìn)行處理、計(jì)算、傳輸和存儲等。集成光學(xué)量子芯片具有集成度高、穩(wěn)定性高、性能好、體積小、制造成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)。因此，該技術(shù)被普遍認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的有效技術(shù)手段。      利用硅基納米光波導(dǎo)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，例如與傳統(tǒng)微電子加工工藝兼容、可集成度高、非線性效用強(qiáng)、以及工作波長與光纖量子通信兼容等。然而，迄今為止光量子芯片的復(fù)雜度僅限于小規(guī)模的演示，如集成少數(shù)馬赫-曾德干涉儀對光子態(tài)進(jìn)行簡單操控。因此，我們迫切需要擴(kuò)大集成量子光路的復(fù)雜性和功能性，增強(qiáng)其量子信息處理技術(shù)的能力，從而推進(jìn)量子信息技術(shù)的應(yīng)用。       相干且精確地控制復(fù)雜量子器件和多維糾纏系統(tǒng)是量子信息科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)難點(diǎn)。相對于目前普遍采用的二維體系量子技術(shù)，高維體系量子技術(shù)具有信息容量大、計(jì)算效率高、以及抗噪聲性強(qiáng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。最近，多維度量子糾纏系統(tǒng)已分別在光子、超導(dǎo)、離子和量子點(diǎn)等物理體系中實(shí)現(xiàn)。利用光子的不同自由度，如軌道角動量模式、時(shí)域和頻域模式等，可以有效編碼和處理多維光量子態(tài)。然而，實(shí)現(xiàn)高保真度、可編程、及任意通用的高維度量子態(tài)操控和量子測量，依然面臨很多困難和挑戰(zhàn)。       針對上述問題，英國布里斯托爾大學(xué)、北京大學(xué)、丹麥技術(shù)大學(xué)、德國馬普研究所、西班牙光學(xué)研究所和波蘭科學(xué)院的科研人員密切合作，并取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的多路徑加載高維量子態(tài)方式，即每個(gè)光子以量子疊加態(tài)的形式同時(shí)存在于多條光波導(dǎo)路徑，從而實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高達(dá)15×15的高維量子糾纏系統(tǒng)。通過可控地激發(fā)16個(gè)參量四波混頻單光子源陣列，可以制備具有任意復(fù)系數(shù)的高維度量子糾纏態(tài)。通過單片集成通用型線性光路，可對高維量子糾纏態(tài)進(jìn)行任意操控和任意測量。因此，該多路徑高維量子方案具有任意通用性。與此同時(shí)，團(tuán)隊(duì)充分利用集成光路的高穩(wěn)定性和高可控性，實(shí)現(xiàn)了高保真度的高維量子糾纏態(tài)，如4、8和12維度糾纏態(tài)的量子態(tài)層析結(jié)果分別為96、87% 和 81%保真度，遠(yuǎn)超其他方式制備的高維量子糾纏態(tài)性能。       更重要的是，團(tuán)隊(duì)通過硅基納米光子集成技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了目前集成度最復(fù)雜的光量子芯片（圖一所示），單片集成550多個(gè)光量子元器件，包括16個(gè)全同的參量四波混頻單光子源陣列、93個(gè)光學(xué)移相器、122個(gè)光束分束器、256個(gè)波導(dǎo)交叉結(jié)構(gòu)以及64個(gè)光柵耦合器，從而達(dá)到對高維量子糾纏體系的高精度、可編程、且任意通用量子操控和量子測量。       研究進(jìn)一步利用該高維光量子芯片技術(shù)，驗(yàn)證高維度量子糾纏系統(tǒng)的強(qiáng)量子糾纏關(guān)聯(lián)特性，包括普適化貝爾不等式和EPR導(dǎo)引不等式等，證明量子物理和經(jīng)典物理定律的重要區(qū)別。例如，對4維度量子糾纏態(tài)，實(shí)驗(yàn)觀察得到了2.867±0.014的貝爾參數(shù)，不僅成功違背經(jīng)典物理定律61.9個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差，而且超過普通二維糾纏體系的最大可到達(dá)值的2.8個(gè)標(biāo)準(zhǔn)差。研究還首次實(shí)現(xiàn)高維量子系統(tǒng)的貝爾自檢測和量子隨機(jī)放大等新功能，例如，對3維度最大糾纏態(tài)和部分糾纏態(tài)的自檢測保真度約為76%，對14維以下糾纏態(tài)均實(shí)現(xiàn)了量子隨機(jī)放大功能。