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H3C X5-030s 商用臺式機
12代CPU性能全面提升，性能實力派，助力高效辦公最高搭載10納米工藝第十二代英特爾®酷睿™ i7-12700處理器，最大全核心睿頻頻率可達4.9GHz，擁有12MB二級緩存，輕松應對各種辦公需求，流暢處理文檔表格，代碼編程，視頻剪輯，平面設計等日常工作，高效完成各類復雜應用。
機箱：10L小體積機箱設計，給辦公桌“減負”
主板：B660芯片商用級主板，安全高效
硬盤：SSD+HDD組合，兼顧速度和容量需求
接口：前置5個USB+1個Type-C接口，方便連接外設
芯片：第十二代智能英特爾® 酷睿™處理器
顯卡：高性能2G/4G 顯存獨立顯卡，疾速圖像處理
擴展：PS/2、RJ-45、VGA、HDMI、DP、串口等應有具有
穩定：110萬小時無故障認證，貼心放心安心的保障
新華三技術有限公司
2022-08-31
一種基于憶阻的非易失性 D 觸發器電路
本發明公開了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯構成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經本身的電荷大小改變的特性，實現了觸發器的鎖存以及觸發功能。本發明所構建 D 觸發器不僅具有傳統觸發器的功能，而且具備響應速度快以及非易失性的特點
華中科技大學
2021-04-14
3656A/B/D矢量網絡分析儀 100kHZ~20GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17
JH60D低溫型全自動變溫霍爾效應測試系統磁場可選
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-13
一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法
本發明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術：調整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發明利用脈沖激光沉積技術制備CsPbBr3薄膜，可實現均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業化生產與應用。
東南大學
2021-04-11
Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復合材料的制備方法
本發明涉及電接觸復合材料的制備，旨在提供一種Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復合材料的制備方法。該方法包括：采用溶膠-凝膠法制備La1-xSrxCoO3體系導電陶瓷微納粉體；將上述La1-xSrxCoO3微納粉體與銀粉在V型混粉器中混合均勻，La1-xSrxCoO3粉體占混合粉體總質量的8％～20％；將混合均勻后的粉體通過等靜壓壓制成坯體，然后依次經過燒結、復壓、復燒工藝，最后熱擠壓成型獲得Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復合材料。本發明通過溶膠-凝膠法制得Ag/La1-xSrxCoO3電接觸復合材料中的增強相La1-xSrxCoO3為納米級粉末，其高比表面活性可改善電弧作用下電接觸材料表面微熔池中的熔體粘度，綜合提高電接觸材料的電導率、機械強度、耐磨性、抗電弧燒蝕等性能，同時不存在加工、成型困難的問題。
浙江大學
2021-04-11
一周科創資訊 ｜6月27日-7月3日
一周科技創新、就業創業政策導讀
高教科創
2022-07-04
一周科創資訊｜2月27日-3月5日
一周高等教育科技創新政策、熱點新聞導讀
高教科創
2023-03-06
(S)-4-氯-3-羥基丁酸乙酯的生物法合成
成果簡介： (S)-4-氯-3-羥基丁酸乙酯((S)-CHBE)是他汀類藥物的關鍵手性中間體。本技術構建了生物合成CHBE的基因工程大腸桿菌，通過葡萄糖脫氫酶和羰酰還原酶共表達的雙酶耦聯系統和輔酶高效原位再生系統、廢棄生物質糖蜜和玉米漿用于工程大腸桿菌的低成本和高密度的發酵、建立基于水相-有機相的反應-分離耦合的生物催
南京工業大學
2021-01-12
利用轉爐 LT 灰制備氧化鐵紅（α-Fe 2 O 3 ）
LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級，利用其物性差異通過強磁場將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質分離，實現氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經過低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產品。
北京科技大學
2021-04-13