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XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型 ? XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型演示錐體外系傳導、紋狀體-黑質、皮質-紋狀體、紋狀體環路、背側丘腦-皮質環路等。 ? 尺寸：34×34×69cm 材質：PVC材料+木框 ? 標準配置： ■ XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動模型：1臺 ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

本發明涉及一種用于組織/器官芯片集成制造的三維打印方法及裝置，包括以下步驟：1)設計三維芯片的三維結構圖，并轉化為片層圖形文件格式；2)開啟三維打印裝置，將打印墨水吸入各個噴頭中；導入片層圖形文件；3)三維打印裝置分別將主體材料打印墨水、犧牲材料打印墨水和不同的細胞打印墨水打印到底板系統預先設計的位置；4)重復步驟3)逐層累積完成三維芯片結構打印，直至片層圖形文件打印完成；5)加熱或制冷整體打印完成的三維芯片，使通道犧牲材料變為溶膠態；6)將變為溶膠態的通道犧牲材料使用移液槍吸出，去除通道犧牲材料，形成完整的三維芯片結構；7)對未被融化的細胞打印墨水材料進行交聯，灌流培養基。

本發明公開了一種具有內置營養通道的三維生物結構的打印裝置，包括噴頭、噴頭移動方向控制單元以及供液裝置，所述噴頭包括：帶有內腔的安裝管；同軸密封固定在內腔兩端的外噴頭和內噴頭，所述內噴頭的出料端伸入外噴頭的噴腔內且繼續延伸至與外噴頭的出料端平齊；所述外噴頭和內噴頭分別通過管路與所述的供液裝置連通。本發明操作簡單，成本低，具有可更換的噴頭和夾具，適用于不同尺寸和不同材料的生物結構打印。

（專利號：ZL 201410317209.0） 簡介：本發明公開了一種以含鐵冶金塵泥為主要原料制備Fe2O3/Al2O3載氧體的方法，屬于固體廢棄物利用技術領域。該方法通過酸解和pH調節的溶膠凝膠方法在含鐵冶金塵泥中得到含有Fe-Al粒子的溶液，將該溶液氧化得到復合粒子溶液，以此為Fe-Al源進行pH調節，產生兩種元素的氫氧化物沉淀，最后在氧氣或者空氣氣氛下焙燒生成Fe2O3/Al2O3載氧體。與傳統方法相比，該方法制備Fe2O3/Al2

本發明公開一種 Caspase 激活及募集結合域 3(Card3)基因在冠狀動脈粥樣硬化性心臟病中的功能 和應用。本發明以 Card3 基因敲除小鼠和心臟特異性 Card3 轉基因小鼠為對象，通過阻斷小鼠心臟左冠 狀動脈前降支造成心肌梗死模型進行研究，結果表明與 WT 小鼠對比，Card3 基因敲除

主要應用領域：國防以及電力部門 特點： ？ 體積小 ？ 抗電磁干擾 （一）ns級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為ns量級的電磁脈沖（如核電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 V/m到超過100 kV/m，帶寬范圍從100 kHz到1 GHz。 （二）μs級電磁脈沖場測量系統 主要技術指標：能夠對上升時間、半寬均為μs量級的電磁脈沖（如雷電電磁脈沖）進行時域波形測量；線性測量范圍從100 kV/m到1000 kV/m。 （三）連續波電場測量系統 主要要技術指標：帶寬范圍從100 kHz到18 GHz，靈敏度達20 mV/m。

本發明一種方鈷礦系熱電材料的合成方法采用鈷、銻、鐵、鎳、錫的氯化鹽或硝酸 鹽作原料，在內襯聚四氟乙烯的高壓釜中于 140-190o C 進行反應，經過濾洗滌后進行熱 處理最終制得所需產物，因此本發明方法具有原料便宜易得、設備簡單、合成溫度低、 工藝簡單易于實現控制、產物粒度細、純度高等優點。為制備高效熱電轉換器件提供優 質材料。

在化工及環保等領域中氣液傳質是重要的一個基本過程之一。氣液傳質在傳統的氣液傳質設備如各種塔器和攪拌槽等在重力場下除與氣液接觸面的大小、氣液流動狀況、氣液本身的物性因素等有關外，還與重力加速度g密切相關。Onda等關聯了大量氣液傳質數據，分別提出了液相、氣相傳質系數的經驗關聯：液相傳質系數，而氣相傳質系數與g無關。Vivian等通過對濕壁塔氣體吸收過程的研究，Norman等利用溶質滲透理論，都導出。但在重力場中g是一個恒定的有限值，因此在重力場中，無論采用何種新填料，如何改進塔和釜的結構，改變氣液進出口以及塔中的流動狀況都不能從根本上大幅度提高傳質效率。 70年代未，英國帝國化學公司（ICI）受美國宇航局在太空失重時傳質不可能發生這一實驗結果的啟發，設計出了一種超重力新型傳質設備—旋轉填充床（Rotating Packed Bed, 簡稱RPB）。    RPB超重新型傳質技術的問世將導致傳質設備發生革命性的變化，它通過提高離心力，使重力場中的g轉變為旋轉加速度g/，這一加速度不再是常數，其大小由轉速和床層結構決定，以突破重力場下g的限制而強化體積傳質系數，又由于超重力場獨特的操作方式，可以使填料的有效相界面積增大，最終使液相體積傳質系數得以增大，從而大幅度提高傳質速率。    本技術就是利用超重力場設備對脫硫技術難題進行了深入的研究，開發了超重力場脫除氣體中二氧化硫、氨氣技術。

硅烷偶聯劑是一類重要的、應用日漸廣泛的處理劑，它最初用來處理玻璃表面，隨著化工產品的不斷發展，逐漸在各個領域獲得應用。在化學工業上，最常用于無機材料和有機材料的表面處理。3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷是硅烷偶聯劑中的一種，異氰酸酯能與羥基、氨基反應，用于一些有機材料中，能起偶聯作用，并對無機材料有優異的附著力。目前世界上只有美國和日本生產這種偶聯劑，價格昂貴。我國主要從日本進口，每公斤售價在一千元以上，附加值高。從國外的專利文獻來看，現這種偶聯劑主要是通過3-氨基丙基三乙氧基硅烷與光氣的反應來制備。光氣是一種劇毒氣體，使用不便。固體光氣是一種理想的光氣的替代品，而且我國有多家廠家生產，價格便宜。我們研究了用固體光氣生產3-氨基丙基三乙氧基硅烷，進行了小試。所合成的產品在外觀和性質上與國外進口產品一致。合成3-氨基丙基三乙氧基硅烷所需的原料便宜，它的附加值高是因為在生產過程中有較高的技術要求。所以，這種產品適合作為高新技術開發的產品。

北京大學量子材料中心王健研究組與合作者在鈦酸鍶（SrTiO3）襯底上外延生長的單原胞層厚（0.55 nm）鐵硒（FeSe）薄膜中觀測到了具有磁激發跡象的玻色模式和強非磁性雜質誘導的準粒子束縛態。兩項發現為超導機制備受爭議的單原胞層鐵硒薄膜提供了異號配對的重要實驗證據，表明在該體系中盡管界面電–聲耦合被認為可以增強超導特性，自旋漲落對于庫珀對的配對有著不可忽略的作用，或對鐵基高溫超導機理的統一理解提供重要參考。 提升超導轉變溫度和理解庫珀配對機制是超導領域兩個最重要的研究方向。在以往的鐵基超導研究中，基于電子–空穴費米口袋嵌套的s±波配對被廣泛接受。然而對于AxFe2?ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1?xFex)OHFe1?ySe，尤其是單原胞層 FeSe/SrTiO3等一系列重電子摻雜鐵硒化合物，重電子摻雜會導致費米能級上移，進而導致布里淵區中心Γ點的空穴費米口袋降至費米能級以下，使得電子–空穴費米口袋嵌套理論失效。因而，鐵基超導中的s±配對圖像受到嚴峻挑戰。 鈦酸鍶襯底上外延生長的鐵硒薄膜具有鐵基超導家族最簡單的分子結構和最高的超導轉變溫度（能隙閉合溫度的典型值為65 K），自2012年被清華大學薛其坤團隊發現以來在國際凝聚態物理領域掀起了研究熱潮。前期，北京大學王健研究組與薛其坤研究組合作采用電輸運和抗磁性測量首次報道了單層鐵硒中高溫超導的直接證據（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science編輯選擇文章Science 343, 230 (2014)報道）。然而，其中的超導配對機制，一直存在爭議，始終懸而未決。 為了揭示單層鐵硒中的超導配對機制，王健研究組開展了一系列系統的實驗。實驗中的單層鐵硒超薄膜采用分子束外延技術生長于鈦酸鍶襯底。通過原位超高真空（~10?10 mbar）原位掃描隧道譜探測，研究組發現超導能隙外存在由電子–玻色子耦合導致的鼓包（hump）結構。系統的掃描隧道譜實驗揭示以該鼓包為特征的玻色模式更接近磁激發信號（圖1），極有可能是充當配對媒介、且連接布里淵區近鄰角落（M點）電子費米口袋的(π,π)自旋漲落。超導序參量作為復數，其在費米面上的分布存在同相位（保號：sign-preserving）與反相位（異號：sign-reversing）兩種情形。雜質散射作為一種相位敏感技術，已廣泛應用于以往超導配對研究。其中非磁性雜質尤為特殊，其選擇性地局域破壞s±波、d波等異號配對，實驗上表現為誘導超導能隙內的束縛態，而對傳統保號s波配對無明顯效應，因此可用于區分異號和保號配對圖像。王健研究組采用沉積于單層鐵硒表面的強非磁性雜質鉛（Pb）吸附原子作為散射中心，實驗中發現相對于正常超導譜形，鉛原子在超導帶隙邊界附近誘導出電子型譜權重增強，同時超導能隙減弱（圖2）。該特征是‘隱’束縛態的典型信號。系統的勢散射強度調節（圖2(d)）等實驗也印證了這一觀點，有力地說明單層鐵硒超導能隙函數存在異號。同時，基于異號配對圖像，如擴展s±波（圖2(e)），南京大學王強華教授與南京師范大學高繹教授理論上定性復現了非磁性雜質誘導的超導譜形重構。上述的玻色模式與非磁雜質散射兩項研究成果一致支持單層鐵硒中存在以自旋漲落為媒介的異號配對，為最終澄清單層鐵硒的界面高溫超導機制奠定了重要基礎，同時也預示具有不同費米面構型的鐵基高溫超導體或存在統一解釋。圖1. 單原胞層 FeSe中具有磁激發跡象的玻色模式。(a) 單原胞層 FeSe的掃描隧穿譜，顯示超導能隙外由電子–玻色子耦合導致的鼓包結構；(b) Ω/2Δ1與Δ1的統計負關聯（Ω：玻色模式能量；Δ1：內超導能隙）。圖2. 單原胞層 FeSe中強非磁性雜質誘導的準粒子束縛態。(a) Pb吸附原子的STM形貌圖；(b) Pb吸附原子和正常單原胞層 FeSe的掃描隧穿譜，顯示9.5 mV處存在‘隱’束縛態；(c) 跨Pb吸附原子的掃描隧穿線譜；(d) 101組Pb吸附原子掃描隧穿譜（黑實線下方）與無吸附原子時的掃描隧穿譜（黑實線上方）對比；(c) 擴展s±波圖像下非磁性雜質的模擬局域態密度譜。 兩項工作分別于2019年5月22日和2019年7月15日發表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464?3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。論文鏈接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大學博士生劉超飛為第一作者，北京大學王健教授為通訊作者；Physical Review Letters文章，北京大學博士生劉超飛、王子喬和南京師范大學高繹教授為共同第一作者，北京大學王健教授和南京大學王強華教授為共同通訊作者。 以上工作得到了國家自然科學基金、國家重點研發計劃、量子物質科學協同創新中心、中科院卓越創新中心、北京市自然科學基金、江蘇省自然科學基金等經費的支持。王健特別感謝謝心澄、王垡、徐莉梅、任澤峰以及量子物質科學協同創新中心在北大超高真空分子束外延與低溫掃描隧道顯微鏡實驗室搭建過程中給予的支持。