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《自然·通訊》報道西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實(shí)現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)
近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)張進(jìn)成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進(jìn)展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。
西安電子科技大學(xué)
2022-08-30
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以靶標(biāo)蛋白甾醇14α-脫甲基酶三維結(jié)構(gòu)篩選的小分子化合物及其在制備殺菌劑中的應(yīng)用
本發(fā)明公開了以靶標(biāo)蛋白甾醇14α?脫甲基酶三維結(jié)構(gòu)篩選的小分子化合物及其在制備殺菌劑中的應(yīng)用，所述小分子化合物為((1R,5S)?3?((3?苯基?1,2,4?噁二唑?5?基)甲基)?3,4,5,6?四氫?1H?1,5?甲撐吡啶并[1,2?a][1,5]二氮環(huán)辛?8(2H)?酮鹽酸鹽。本發(fā)明通過室內(nèi)藥劑敏感性測定，證明了所述小分子化合物對引起小麥赤霉病害的主要植物病原真菌禾谷鐮刀菌具有良好的抑制活
青島農(nóng)業(yè)大學(xué)
2021-01-12
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基于 4- 羥基苯乙酸-3- 羥化酶突變體的基因工程大腸桿菌發(fā) 酵生產(chǎn)左旋多巴
帕金森病是一種是老年人群中常見的慢性、進(jìn)行性、運(yùn)動障礙性中樞神經(jīng)系統(tǒng)疾病。帕金森病主要是由于大腦中缺乏多巴胺引起的．左旋多巴(Levodopa，L-dopa)為目前治療帕金森病的主要藥物．多巴胺不能夠通過血腦屏障到達(dá)大腦治療帕金森病，而 L-dopa 能夠通過血腦屏障，到達(dá)中樞神經(jīng)系統(tǒng)，并在體內(nèi)脫羧酶的作用下轉(zhuǎn)變?yōu)槎喟桶罚瑥亩委熍两鹕。Ｒ姷闹委熍两鹕〉乃幬锒酁?L-dopa 及其與其他藥物的復(fù)合物，如美多芭、息寧等。在全球 500 強(qiáng)暢銷藥物市場中，抗帕金森治療市場超過 20 億美元。來源于大腸桿菌的 4-羥基苯乙酸-3-羥化酶（ p-hydroxyphenylacetate3-hydroxylase ，PHAH) 具有較寬的底物范圍，可以將 L-酪氨酸轉(zhuǎn)化為 L-dopa，反應(yīng)單向進(jìn)行，產(chǎn)物均為 L 型，且該酶不會進(jìn)一步氧化 L-dopa。但由于 L-酪氨酸并不是 PHAH 的最適底物，該方法催化生成 L-dopa 反應(yīng)速率慢，到目前文獻(xiàn)報道的最高產(chǎn)率為 12.5g/L，并不能實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用。前期本實(shí)驗(yàn)室通過對大腸桿菌芳香族氨基酸代謝途徑進(jìn)行改造，已獲得從葡萄糖發(fā)酵生成 L-酪氨酸高產(chǎn)大腸桿菌菌株，發(fā)酵水平僅次于美國麻省理工學(xué)院與美國杜邦合作文獻(xiàn)報道的 L-酪氨酸發(fā)酵水平.本課題對 4-羥基苯乙酸-3-羥化酶進(jìn)行突變改造，獲得了一催化反應(yīng)速度大幅提升的突變體。在 L-酪氨酸的代謝途徑的基礎(chǔ)上，含 4-羥基苯乙酸-3-羥化酶突變體的大腸桿菌培養(yǎng) 38 小時轉(zhuǎn)化生成左旋多巴產(chǎn)率即可達(dá) 50g/L 以上，且培養(yǎng)發(fā)酵簡單易行為世界上首個采用此法可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用的左旋多巴生產(chǎn)路線。目前左旋多巴市場價格約為50 萬/噸，此法生產(chǎn)成本遠(yuǎn)低于左旋多巴市場價格。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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北京大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院季雄團(tuán)隊(duì)鑒定RNA聚合酶II轉(zhuǎn)錄工廠控制因子RUVBL2
研究者通過多種質(zhì)譜篩選鑒定和多學(xué)科技術(shù)證實(shí)，AAA+家族ATPase分子RUVBL2能夠直接控制活躍啟動子附近的Pol II轉(zhuǎn)錄工廠。
北京大學(xué)
2022-11-08
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硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用。該硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯(lián)劑、有機(jī)溶劑和冰醋酸混合后反應(yīng)得到，可應(yīng)用于處理含有機(jī)污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發(fā)明的硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強(qiáng)，可同時去除有機(jī)污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復(fù)使用。
湖南大學(xué)
2021-04-10
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一種四氧化三鈷納米線陣列、其制備方法以及作為鋰離子電池負(fù)極的用途
本發(fā)明涉及一種四氧化三鈷納米線陣列、其制備方法以及作為鋰離子電池負(fù)極的用途。該四氧化三鈷納米線陣列，其形貌為菱形結(jié)構(gòu)，菱形的邊長為100nm~500nm，菱形內(nèi)角的銳角為30°~60°，陣列長度為5μm~20μm。本發(fā)明還提供了制備該四氧化三鈷納米線陣列的方法，以一定摩爾比的鈷鹽、化學(xué)結(jié)合劑、堿性反應(yīng)物和水在常溫下進(jìn)行混合攪拌，將混合均勻的溶液移入反應(yīng)釜中，并將干凈的襯底置于溶液中進(jìn)行水熱反應(yīng)后取出沖洗，再在惰性氣氛中熱處理，得到四氧化三鈷納米線陣列。本發(fā)明的四氧化三鈷納米線陣列可直接作為鋰離子電池負(fù)極，能明顯提高電池的比容量和循環(huán)性能，放電容量高達(dá)1000mAh/g以上，是一種理想的鋰離子電池電極材料。
浙江大學(xué)
2021-04-11
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超臨界二氧化碳燃煤循環(huán)流化床鍋爐及發(fā)電系統(tǒng)與發(fā)電方法
本發(fā)明公開了一種超臨界二氧化碳燃煤循環(huán)流化床鍋爐及發(fā)電系統(tǒng)與發(fā)電方法，鍋爐包括爐膛、分離器、尾部煙道和位于分離器回料段中的外置式換熱器，爐膛內(nèi)設(shè)有冷卻壁和中溫過熱器，外置式換熱器內(nèi)設(shè)有高溫再熱器和分別與冷卻壁和中溫過熱器連通的低溫過熱器，尾部煙道內(nèi)設(shè)有低溫再熱器、高溫過熱器、上級省煤器、下級省煤器和空氣預(yù)熱器，其中，高溫過熱器與中溫過熱器連通，低溫再熱器與高溫再熱器連通；鍋爐的工質(zhì)為超臨界二氧化碳。本發(fā)明鍋爐能有效控制冷卻壁壁溫，保證鍋爐安全可靠運(yùn)行且熱效率高；發(fā)電機(jī)組趨于小型化，具有更快的負(fù)荷響應(yīng)速度，深度調(diào)峰適應(yīng)性強(qiáng)，充分發(fā)揮煤炭資源優(yōu)勢，提高能源利用率，保障能源安全。
東南大學(xué)
2021-04-11
超臨界二氧化碳循環(huán)流化床燃煤鍋爐及其驅(qū)動的發(fā)電系統(tǒng)
本發(fā)明公開一種超臨界二氧化碳循環(huán)流化床燃煤鍋爐，采用超臨界二氧化碳代替現(xiàn)有循環(huán)流化床鍋爐內(nèi)蒸汽作為吸熱做功的工質(zhì)，工質(zhì)吸熱過程包括一次分流和一次再熱。超臨界二氧化碳循環(huán)流化床鍋爐工質(zhì)受熱面包括設(shè)置在爐膛內(nèi)的二氧化碳冷壁屏式加熱器和高溫再熱器；分離器出口處至爐膛在回料器段并行布置以灰作為熱源的外置上級省煤器；尾部煙道內(nèi)沿?zé)煔饬鲃臃较蚴軣崦姘ǖ蜏卦贌崞骱拖录壥∶浩鳌１景l(fā)明還公開了該超臨界二氧化碳循環(huán)流化床燃煤鍋爐驅(qū)動發(fā)電的發(fā)電系統(tǒng)。本發(fā)明的超臨界二氧化碳循環(huán)流化床燃煤鍋爐強(qiáng)化了再熱器高溫段的煙氣傳熱，同時也緩解了尾部煙道熱量需求壓力，能夠有效降低污染物的排放量、排煙溫度，增大鍋爐效率。
東南大學(xué)
2021-04-11
硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料及其制備方法和應(yīng)用。該硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料主要由二氧化鈦納米管陣列、硅烷偶聯(lián)劑、有機(jī)溶劑和冰醋酸混合后反應(yīng)得到，可應(yīng)用于處理含有機(jī)污染物和/或重金屬污染物的廢水中。本發(fā)明的硅烷偶聯(lián)劑修飾二氧化鈦納米管陣列材料氧化還原能力強(qiáng)，可同時去除有機(jī)污染物和重金屬污染物，且去除效果好，可反復(fù)使用。
湖南大學(xué)
2021-02-01
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一種厚度可控的納米二氧化硅修飾毛細(xì)管柱的制備方法
本發(fā)明公開一種用于毛細(xì)管色譜內(nèi)壁修飾固定相及其制備方法，其采用納米SiO2顆粒作為修飾試劑，采用多層組裝法在毛細(xì)管內(nèi)壁修飾納米SiO2修飾層，修飾好的納米SiO2修飾層的厚度可控、修飾層厚度可在160～600nm間調(diào)節(jié)，有效地解決了毛細(xì)管電色譜的固定相柱容過低的問題。本方法一次修飾可獲得6～7層納米顆粒修飾層，三次修飾即可達(dá)到22～23層，修飾效率高，修飾時間短，毛細(xì)管內(nèi)徑選擇范圍廣，是一種制備毛細(xì)管開柱的理想方法。
安徽建筑大學(xué)
2021-01-12