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北京交通大學(xué)（前沿）高速鐵路設(shè)備設(shè)施服役狀態(tài)智能感知與態(tài)勢分析研究項(xiàng)目競爭性磋商

近日，我校楊莉研究員團(tuán)隊(duì)受邀在質(zhì)譜研究領(lǐng)域國際著名期刊Mass Spectrometry Reviews發(fā)表綜述文章，題為Advances in mass spectrometry imaging for toxicological analysis and safety evaluation of pharmaceuticals。文章系統(tǒng)總結(jié)了基于“空間辨析、原位表征”理念的質(zhì)譜成像分析技術(shù)在藥物安全性評價中的應(yīng)用進(jìn)展。

華中師范大學(xué)化學(xué)發(fā)光成像系統(tǒng)、數(shù)碼顯微鏡、研究級倒置熒光顯微鏡等設(shè)備項(xiàng)目競爭性磋商

此項(xiàng)工作進(jìn)一步展示了GCaMP-X優(yōu)于GCaMP的神經(jīng)元相容性，實(shí)現(xiàn)了離體培養(yǎng)神經(jīng)元（共聚焦）和活體小鼠大腦皮層（雙光子）的長時程GCaMP-X成像，定量揭示了自發(fā)鈣振蕩與神經(jīng)元形態(tài)發(fā)育的緊密關(guān)聯(lián)，為神經(jīng)科學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域的長期鈣成像提供了簡便而有效的新方案。

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個數(shù)量級。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時序，可以對納米線生長動態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。