|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
一種鋁合金周期性點陣多孔結構的快速成形制造方法
本發明公開了一種鋁合金周期性點陣多孔結構的快速成形制造 方法。通過 CAD 軟件構建基于點陣單元的周期性點陣多孔結構的三維 模型，將模型以 STL 格式輸出，導入到 SLM 成形設備中，激光束根 據切片層的數據選擇性地熔化區域內的鋁合金粉末得到二維的金屬結 構，經層層堆積最終可以得到與 CAD 模型一致的三維鋁合金多孔結 構，再經過熱處理、分離、噴砂等后續處理即可得到表面光潔、性能 良好的鋁合金周期性點陣多孔結構。本
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動調控系統及其控制方法
本發明公開了一種梯度溫度場主動調控系統及其控制方法，系 統由溫度場監控系統、加熱系統和控制系統；溫度場監控系統用于測 量成形區域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統，加熱系統根據控制系統指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區獨立實時調節，以實現在加工過程中整 個加工區域的溫度場恒定，保證已加工區域與未加工區域處于合理的 溫度梯度，避免熱應力導致構件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學
2021-04-14
一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝
本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO<sub>2</sub>，將光刻的圖形轉移到 SiO<sub>2</sub>層、4)鍍Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微
華中科技大學
2021-04-14
制造有機場效應晶體管的方法、實現該方法的噴嘴及裝置
本發明公開了應用混合型噴嘴噴印制造有機場效應晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導電單元及覆在導電單 元上的油層；4)轉印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發明工藝簡 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實現簡單，對環 境要求也較低；成本低，設備成本低，同時制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；
華中科技大學
2021-04-14
一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工藝
本發明公開了一種光電化學太陽能電池光電極微納結構制造工 藝，包括步驟：1)在潔凈硅片上熱生長一層 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 層的硅片表面光刻出圓孔陣列圖形、3)刻蝕暴露的 SiO2，將光刻的圖 形轉移到 SiO2 層、4)鍍 Cu 膜、5)去除表面的光刻膠及光刻膠表面的 Cu、6)生長 Si 微米線陣列、7)在 Si 微米線表面鍍一層 ZnO 膜、8)在 Si 微米線表面生長 ZnO 納米線、9)在 ZnO 納米線表面制備一層 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 結 構 表 面
華中科技大學
2021-04-14
江西省科技廳關于發布2022年度重大科技研發專項“揭榜掛帥”（人工智能交互終端設備、高端智能傳感器）榜單的通知
按照省委、省政府工作部署和科技體制改革攻堅三年行動的要求，改進科技項目組織管理方式，經研究決定，啟動實施2022年度重大科技研發專項“揭榜掛帥”（人工智能交互終端設備、高端智能傳感器）項目，現公開發布榜單，征集遴選揭榜方（以下統稱項目申報單位、申報人）。
江西省科技廳
2022-10-25
我國制造業增加值連續12年世界第一（新數據 新看點）
2021年，我國制造業增加值規模達31.4萬億元，占GDP比重達27.4%。自2010年以來，我國制造業增加值已連續12年世界第一。
人民日報
2022-03-11
工信部等五部門聯合印發《制造業可靠性提升實施意見》
到2025年，重點行業關鍵核心產品的可靠性水平明顯提升，可靠性標準體系基本建立，企業質量與可靠性管理能力不斷增強，可靠性試驗驗證能力大幅提升，專業人才隊伍持續壯大。
工業和信息化部科技司
2023-07-03
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構拓撲優化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14