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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種適用于高水分寬粒徑低階煤的流化床分級(jí)干燥裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種適用于高水分寬粒徑低階煤的流化床分級(jí)干燥裝置，包括流化床分級(jí)預(yù)熱室、粗粒流化床干燥室、中粒流化床干燥室和細(xì)粉流化床干燥室，粗粒流化床干燥室設(shè)置在流化床分級(jí)預(yù)熱室下部，中粒流化床干燥室和細(xì)粉流化床干燥室分別設(shè)置在流化床分級(jí)預(yù)熱室一側(cè)的前后部，煤粒通過(guò)分級(jí)預(yù)熱室進(jìn)行分級(jí)和預(yù)熱，經(jīng)分級(jí)后的煤粒從不同的溢流管溢出，分別送入粗粒干燥室和中粒干燥室中，隨排氣帶出的細(xì)粉由旋風(fēng)分離器分離后送入細(xì)粉干燥室中干燥，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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無(wú)鹵高效磷系阻燃劑及其高阻燃透明環(huán)氧樹脂復(fù)合材料制備技術(shù)
項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 環(huán)氧樹脂固化物具有較好的熱穩(wěn)定性、絕緣性、 粘結(jié)性、良好的力學(xué)性能、優(yōu)良的成型工藝性能及較低的成本等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子元器件的粘接、封裝、印制線路板的 制造及航天等領(lǐng)域， 是目前最為
西華大學(xué)
2021-04-14
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高活力內(nèi)切-外切復(fù)合菊粉酶酶制劑及在高純度果糖生產(chǎn)中的應(yīng)用
菊粉內(nèi)切酶是能夠使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-鍵連接的聚果糖）在糖鏈內(nèi)部隨機(jī)降解，產(chǎn)生低聚果糖的生物酶；菊粉外切酶是在聚果糖鏈的一端逐個(gè)酶解，產(chǎn)生果糖的生物酶；菊粉內(nèi)切酶和外切酶的復(fù)合酶制劑能夠高效率地水解聚果糖產(chǎn)生果糖。果糖是一種高品質(zhì)的甜味劑，甜度是蔗糖的1.8倍，是所有天然糖中甜度最高的糖，具有口感好、血糖升糖指數(shù)低以及不宜導(dǎo)致齲齒等優(yōu)點(diǎn)，可以替代蔗糖，市場(chǎng)巨大。目前甜味劑大量使用蔗糖和高果糖漿。蔗糖價(jià)格較高且價(jià)格波動(dòng)較大。高果糖漿生產(chǎn)工藝使用淀粉水解得到
山東大學(xué)
2021-04-14
高活力菊粉內(nèi)切酶酶制劑生產(chǎn)及其在菊粉低聚果糖生產(chǎn)中的應(yīng)用
菊粉內(nèi)切酶是能夠使菊科植物菊芋或菊苣所含多糖（-鍵連接的聚果糖）在糖鏈內(nèi)部隨機(jī)降解，生產(chǎn)低聚果糖的生物酶。低聚果糖具有增殖腸道雙歧桿菌、排除體內(nèi)有害物質(zhì)、增強(qiáng)免疫力、降低膽固醇、預(yù)防結(jié)腸癌、抗衰老等多種生理功能，作為保健品具有巨大的市場(chǎng)。目前亞洲國(guó)家和地區(qū)，如中、日、韓、臺(tái)灣等，都是以蔗糖為原料利用果糖基轉(zhuǎn)移酶合成的（合成法）。產(chǎn)品純度低、工藝復(fù)雜、成本高，需要色譜分離才能得到純度高的產(chǎn)品。菊芋或菊苣產(chǎn)量高、種植成本低、富含菊糖（-鍵連接的聚果糖）。
山東大學(xué)
2021-04-14
科學(xué)技術(shù)大學(xué).jpg){kind=logo}
中國(guó)科大提出“離子精餾”新單元操作，實(shí)現(xiàn)高鎂鋰比鹽湖鹵水直接提鋰
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐銅文教授團(tuán)隊(duì)在高鎂鋰比鹽湖鹵水提鋰領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,啟發(fā)于傳統(tǒng)的多級(jí)塔板精餾機(jī)制與層析色譜分離機(jī)制，針對(duì)化工特種分離領(lǐng)域復(fù)雜物料分離難題，團(tuán)隊(duì)原創(chuàng)性地提出一種“離子精餾”概念，并首次應(yīng)用于高鎂鋰比鹽湖提鋰。
中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2022-06-02
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高可見(jiàn)光活性納米氮摻雜TiO2規(guī)模化制備及應(yīng)用技術(shù)
所屬行業(yè)領(lǐng)域 環(huán)境凈化新材料、新技術(shù) 成果簡(jiǎn)介 該成果解決了氮摻雜納米TiO2（N-TiO2）粉體的低成本規(guī)模化制備及其在水相中的均勻分散和懸浮穩(wěn)定等關(guān)鍵技術(shù)，建成了年產(chǎn)能達(dá)百噸級(jí)的高可見(jiàn)光活性的納米N-TiO2光催化噴劑中試生產(chǎn)線；制定了國(guó)內(nèi)首個(gè)納米N-TiO2光催化噴劑產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)；建立了高效氣相和液相
北京科技大學(xué)
2021-04-14
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提高 700MPa 強(qiáng)度級(jí)高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種提高 700MPa 強(qiáng)度級(jí)高合金化 7000 系鋁合金抗腐蝕性能的方法，其特征是它由 預(yù)回復(fù)（ 250 ℃×24 h+300 ℃×6 h+350 ℃×6 h+400 ℃×6 h ）、 固 溶 （450℃×2h+460℃×2h+470℃×2h 保溫后室溫水淬）、預(yù)變形（2%的塑性變形）和時(shí)效 （121℃×24h）組成。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) 本發(fā)明能在不降低合金強(qiáng)度的情況下，顯著提高合金的抗晶間腐蝕和抗剝落腐蝕性158 能。 合作方式
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標(biāo)記及應(yīng)用
本發(fā)明提供了一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標(biāo)記及應(yīng)用，屬于分子標(biāo)記技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明通過(guò)測(cè)定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高來(lái)體現(xiàn)紫花苜蓿刈割后一定時(shí)間內(nèi)植株再生的能力。所述分子標(biāo)記的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示，插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于擴(kuò)增分子標(biāo)記的引物對(duì)，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1～2所示。本發(fā)明所述分子標(biāo)記對(duì)應(yīng)的引物對(duì)能夠鑒定或輔助鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同時(shí)本發(fā)明還提供了利用所述分子標(biāo)記快速鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法，該方法簡(jiǎn)便快捷，鑒定結(jié)果準(zhǔn)確，具有良好的推廣應(yīng)用前景。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
一種高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩及其制備方法
本發(fā)明提供了一種高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩的制備方法，包括以下步驟：步驟S1，將二維材料的粉末加入反應(yīng)容器，滴加有機(jī)結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑并混合均勻，得混合液，對(duì)混合液依次進(jìn)行超聲處理和離心處理后取上層清液，得液相剝離后的薄層二維材料分散液；步驟S2，將薄層二維材料分散液、去離子水、堿金屬源和鋁源配制成溶液，在溶液中緩慢加入硅源，攪拌溶解，陳化處理，得溶膠凝膠；步驟S3，溶膠凝膠進(jìn)行水熱晶化后，得反應(yīng)產(chǎn)物，進(jìn)行洗滌、離心和干燥處理后，得高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩。本發(fā)明中采用六方氮化硼或硫化鉬作為外延生長(zhǎng)二維沸石的模板，無(wú)需額外添加除六亞甲基亞胺或哌啶之外的有機(jī)模板劑，合成得到結(jié)晶性好且橫縱比大的二維MWW型沸石。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
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高穩(wěn)定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術(shù)
成果與項(xiàng)目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來(lái)說(shuō)，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù)(TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí)會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜穩(wěn)定性高。通過(guò)在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來(lái)提高電阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過(guò)程中, 可通過(guò)通入微量的氧來(lái)提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。技術(shù)指標(biāo)如下：溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過(guò)載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
應(yīng)用領(lǐng)域：
集成電路、電子元器件
合作方式及條件：具體面議
天津大學(xué)
2021-04-11