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斜日字單元正三角形布管螺旋折流板電加熱器
工業(yè)大中型電加熱器通常采用多圈環(huán)形分層布置U型電加熱管，并以弓形折流板支撐管束，其U型電加熱管管間距各不相同，使流場分布不均勻，而且存在著有流動死區(qū)、傳熱系數(shù)較低、流動阻力較大，易誘導振動和結(jié)垢、電加熱管表面溫度不均勻、易形成局部熱點，縮短使用壽命等缺點。斜日字單元正三角形布管螺旋折流板電加熱器按正三角形網(wǎng)格布管，流動方向基本不變，具有高效低阻的優(yōu)點。
東南大學
2021-04-10
一種在水性溶液中制備剝離型層狀材料/碳納米管復合物的方法
本發(fā)明公開了一種在水性溶液中制備剝離型LDH/CNT復合材料的方法，先通過尿素法或氨水法在碳納米管的水分散液中合成層狀雙金屬氫氧化物，制得未剝離LDH/CNT復合物，接著通過酸-鹽混合溶液處理將LDH/CNT復合物中LDH層間的碳酸根離子置換成與層板結(jié)合力較弱的陰離子，然后再次通過離子交換將有機離子引入層間，從而制得剝離型LDH/CNT復合物；制得的復合物既呈現(xiàn)LDH的單層或幾層剝離，又保留了CNT良好的分散性。本發(fā)明簡單易行、耗時短、無需有毒溶劑，而且無需在高溫下進行，成本低。
浙江大學
2021-04-11
基于可調(diào)諧二極管激光吸收光譜的高溫高壓氣體診斷方法研究
本項目主要研究高溫高壓環(huán)境下基于可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術的氣體診斷方法。在對高溫高壓下2.0 μm 波段的部分CO2 譜線參數(shù)及可用于譜線擬合的線型進行實驗測量及理論計算分析的基礎上，采用中心波長位于2.0 μm 附近的可調(diào)諧二極管激光器作為光源，結(jié)合固定波長的吸收光譜調(diào)制技術，基于通過一對CO2 譜線的諧波信號所實現(xiàn)的對高溫高壓環(huán)境中溫度以及CO2 濃度測量的相關研究，建立一種可用于高溫高壓環(huán)境下的溫度及組份濃度的測量方法，從而可實現(xiàn)對內(nèi)燃機氣缸等設備的工作過程中燃料利用效率以及CO2 氣體排放的診斷。同時所進行的相關高溫高壓譜線參數(shù)和線型的研究，可對HITRAN 數(shù)據(jù)庫中2.0 μm 波段的部分CO2 譜線參數(shù)進行補充和矯正，并可為高溫高壓環(huán)境下分子譜線的擬合及模擬尋找合適的線型。 現(xiàn)狀特點：可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術是利用二極管激光器波長調(diào)諧特性，獲得被測氣體特征吸收光譜范圍內(nèi)的吸收光譜，從而對氣體進行定性分析或定量分析的一種新技術。該技術具有高靈敏度、非接觸式、實時、動態(tài)、多組分同時測量等優(yōu)點。由于二極管激光器的高單色性，可以利用待測氣體分子的一條孤立吸收譜線進行測量，避免了其他分子譜線的交叉干擾，從而準確地鑒別出待測氣體。TDLAS 在許多領域有著潛在的重要應用價值，是近年來國際上非常熱門的研究領域之一，其主要的應用領域有：分子光譜研究、機動車尾氣測量、工業(yè)過程監(jiān)測控制、天然氣泄漏及有毒有害氣體監(jiān)測、大氣痕量氣體檢測、醫(yī)療診斷、大氣氣溶膠測量等領域。 技術創(chuàng)新：采用價格較為低廉的2.0μm 波段DFB 型半導體激光器，結(jié)合固定波長的調(diào)制光譜技術，通過一對CO2 譜線實現(xiàn)對溫度及CO2 濃度的測量，在保證探測靈敏度的同時，簡化了裝置結(jié)構(gòu)，降低了系統(tǒng)成本，有助于儀器便攜化和產(chǎn)業(yè)化的實現(xiàn)。
江蘇師范大學
2021-04-11
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一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒及方法
本發(fā)明屬于植物生物技術領域，涉及一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒及方法。先提供一種標記蘋果授粉后花粉管微絲細胞骨架的試劑盒，包括：花柱固定液試劑A，花柱洗滌液試劑B，微絲染料試劑C和胼胝質(zhì)免疫熒光試劑D。再應用所述試劑盒標記微絲細胞骨架，步驟為：1)取授粉的花柱；2)用花柱固定液試劑A對花柱固定；3)用花柱洗滌液試劑B對花柱洗滌；4)用微絲染料試劑C和胼胝質(zhì)免疫熒光試劑D的混合溶液對花柱染色；5)對花柱滴加抗熒光猝滅劑，在激光共聚焦顯微鏡下觀察花柱中花粉管微絲細胞骨架。本發(fā)明所述試劑盒和方法實現(xiàn)了快速、靈敏、準確、簡便地觀察蘋果花粉管內(nèi)微絲骨架的結(jié)構(gòu)與排列方式。
中國農(nóng)業(yè)大學
2021-04-11
清華大學任天令教授團隊首次實現(xiàn)亞1納米柵長晶體管
清華大學集成電路學院任天令教授團隊在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實現(xiàn)了具有亞1納米柵極長度的晶體管，并具有良好的電學性能。
清華大學
2022-03-11
大學.jpg){kind=logo}
一種內(nèi)置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543020.9） 簡介：本發(fā)明公開了一種內(nèi)置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法，屬于土木工程技術領域。該組合柱的制作方法為：（1）制作PVC-FRP管；（2）在PVC-FRP管內(nèi)綁扎鋼筋，澆筑混凝土，制成PVC-FRP管高強混凝土芯柱；（3）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱外綁扎鋼筋，制作帶加勁肋的異形鋼管；（4）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱和異形鋼管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置PVC-
安徽工業(yè)大學
2021-01-12
一種去阻調(diào)距加補風的旋轉(zhuǎn)導向管噴動床糧食干燥裝置
項目簡介 本項目涉及新型噴動床糧食干燥設備領域，主要用于糧食干燥。采用一種去除啟動 阻力即去阻和靈活調(diào)節(jié)導噴距即調(diào)距的噴動床結(jié)構(gòu)，獨立設計噴動床環(huán)隙區(qū)糧食的補風 結(jié)構(gòu)，融合旋轉(zhuǎn)導向管噴動床直徑放大結(jié)構(gòu)，提供一種具有新的干燥特性和操作能力的 批式糧食噴動床干燥裝置。整個裝置相對于現(xiàn)有的噴動床干燥設備，表現(xiàn)出了整體綜合 創(chuàng)新后具有了新的干燥性能、操作性能和放大能力的優(yōu)點。本發(fā)明裝置適用于大麥、小 麥、水稻、大豆和玉米的批式干燥。成果已取得發(fā)明專利授權(quán)，發(fā)明
江蘇大學
2021-04-14
DT640硅二極管溫度傳感器低溫溫度測量裸片溫度計
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-21
DT640硅二極管溫度計溫度傳感器低溫測量儀器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-04-11