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電機項目針對高效能電機綜合設計方法與技術進行了系統深入的研究，提出了一套具有自主知識產權的高效能電機智能化綜合設計技術，解決了電機效能提升的關鍵技術難題，在關鍵技術和推廣應用方面取得了實質性創新和重大突破。項目成果大幅提升了企業的市場競爭力，在意大利ZEL等單位得到了全面推廣，并且在推動產業進步

       上海頎高儀器有限公司始創于1986年，是由原上海石油儀器廠和武漢理工大學資深技術專家組成，是以研制、生產、銷售石油化工及煤化工領域分析儀器的專業生產廠商。產品適用于石油、電力、化工、科研、質檢及大專院校等相關行業領域。本公司研制生產的常規化工分析及專用實驗室儀器十三個系列，共260余種。同時每年還應對市場及用戶的各種個性需求，單獨開發和定制生產非標類特殊用途的儀器約20余種。上海頎高是國內同行業中產品門類最全、配套能力最強、發展速度最快的企業之一。公司堅定嚴格按照國標行標的試驗方法規定，絕不靠偷工減料來降低成本，保證儀器部件尺寸精度以及材料性能，真正讓用戶實驗數據滿足重復性和精密度的要求。近年來我司產品精細獨特的設計，節能可靠的系統，均被工礦企業、鐵路部隊、科研院校和質監部門廣泛采用，受到用戶一致好評。公司內部已實施CRM、ERP項目管理，為產品品質及企業的長遠發展提供了強有力的保障。面對未來，頎高人堅守“嚴謹、求實、高效、創新、合作、發展”的企業精神，精益求精，以一流的產品、優質的服務滿足客戶需求，為促進提高民族分析儀器工業的振興發展作出貢獻。 　  多年來，公司非常注重新技術、新工藝、新器件、新材料的應用，不斷提升公司儀器的自動化、智能化水平。據不完全統計，目前公司儀器中使用單片機技術或筆記本電腦進行控制測量、分析計算的儀器，已經達到近100種。儀器的技術含量和技術檔次得到極大的提高，深受國內外用戶的歡迎。多年的研發和實踐，讓上海頎高儀器更加精致穩定，更加符合國標及行標的試驗要求。公司秉承“以人為本，科技創新”的理念，將銷售收入的10%～15%用于研發，致力于將產品升級換代至世界一流水準。依靠“高、精、尖“的科技人才隊伍及運用行業領先的開發手段，使得頎高產品質量更有保障，品種不斷更新，始終處于行業領先地位。        未來的一年，我們仍將兢兢業業，樂于研發，不斷提升，生產出質量更好、性能更完備的油品儀器，來滿足市場和答謝各位朋友的關心與支持。同時繼續秉承“質量優、服務好、價格適中”的宗旨，竭誠向各位新老用戶提供質量優異的石油化工及煤化工分析儀器和良好的售后服務。歡迎各界人士惠顧考察與指導！

規格：6個操作鍵，內置鋰電，具有LCD顯示、數據儲存功能，能脫離計算機進行采集、顯示、記錄數據。與計算機的連接支持兩種方式:（1）通過數據采集線直接與計算機USB相連；（2）通過藍牙與計算機相連。 測量范圍：0～30000μs/cm，分辨率：0.1μs/cm

量程：0～10mS/cm；分辨率：0.005mS/cm；用于測量水溶液的電導率，分析飲用水的純度等。

NELD-NPR163型氮氣滲透率測試儀，是耐爾得根據GB36900.2-2018《低、中水平放射性廢物高完整性容器——混凝土容器》標準，自主研發的產品。氮氣滲透率測試方法適用于以測定混凝土的氣體滲透率來確定混凝土抗氣體滲透性能。氮氣滲透率測試儀試件夾具采用304不銹鋼材質，采集儀表高精度數顯，充氣橡膠囊高耐壓，皂膜流量計數字顯示，測量精度高。該產品支撐采用福馬輪，可水平調節、可支撐、可固定、可滾動、可防塵。產品設計巧妙科學，操作方便，是科研單位、質檢機構理想的試驗設備。

本發明提供的具有高單縱模成品率的脊波導分布反饋(DFB)半 導體激光器，是由自下而上依次排列的 N 型電極(1)、襯底(2)、下包層 (3)、下分別限制層(4)、應變多量子阱有源層(5)、上分別限制層(6)、緩 沖層(7)、光柵層(8)、上包層(9)、第一脊條(10)、第二脊條(11)、第一 脊條上的 P 型電極(12)、第二脊條上的 P 型電極(13)組成。本發明通過 在單個半導體激光器管芯上制作端面反射率相位相差π/2 的兩個

產品詳細介紹產品簡介：　　 NMI20核磁共振造影劑馳豫率分析成像測試儀是一款經典的小核磁，專為核磁共振造影劑研究應用設計開發而成，該設備配套有造影劑專用弛豫時間測試軟件,磁共振成像軟件，可以直接測試得到不同濃度造影劑樣品的T1、T2弛豫時間，R1、R2弛豫速率以及造影劑樣品的弛豫效率r，并可完成T1加權成像，,T2加權成像和質子密度加權成像。弛豫時間測試過程非常簡單，樣品無需特別配置，軟件實現中英文雙語選擇界面，操作簡便，易學易用。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.5±0.08T，儀器主頻率：21.3MHz；3、探頭線圈直徑：15mm；應用解決方案：1、Gd類，Fe類，Mn類等核磁共振造影劑T1、T2弛豫時間測試，弛豫效率r測試；2、不同濃度造影劑樣品成像，T1,T2加權成像，直觀評價造影效果；3、細胞液弛豫測試與成像　　.....應用案例一：四氧化三鐵，T2磁共振靶向造影劑弛豫率測試，磁共振成像測試應用案例二：Gd+ 類T1 磁共振造影劑測試實例，T1弛豫時間測試，T1加權成像應用案例三：不同濃度磁共振造影劑對比成像注：儀器外觀如有變動，以產品技術資料為準。

已有樣品/nCMOS 研究團隊創新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對InP 進行表面鈍化處理并結合低溫原子層高k 介質沉積技術，有效抑制了在介質沉積以及金屬化后退火過程中的表面氧化和磷原子脫附效應，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

? 研究面向分布式虛擬環境數據管理系統的底層支撐環境。通過建立協同開發方式的系統，提高仿真資源的可重用性，縮短開發過程，充分共享資源并且為仿真環境提供高效的資源管理機制。研究包括對統一資源命名和定位管理技術的研究；分布式文件系統在分布式仿真環境中的應用及在此基礎上實現的資源集成；數據的標準化表示和傳輸的研究。該技術目前已經在一體化仿真平臺上得到了初步的應用。