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一種倒裝 LED 芯片在線檢測收光測試積分球
本實(shí)用新型公開了一種倒裝 LED 芯片在線檢測的收光積分球，該收光測試組件包括積分球組件和光學(xué)測試組件，其中積分球組件包括積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置；其中積分球模塊包括積分球、積分球 90°轉(zhuǎn)接頭，積分球的開口設(shè)置有石英玻璃，其設(shè)置方式是采用石英玻璃夾具套設(shè)在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內(nèi)側(cè)在略高于收光口的上方設(shè)置有凸臺(tái)，用于放置固定石英玻璃。按照本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的收光測試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測試探針下壓時(shí)的不穩(wěn)定問題，能顯著提高積分球的收光效率，具有高
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種固態(tài)盤閃存芯片閾值電壓感知方法及系統(tǒng)
本發(fā)明公開了一種固態(tài)盤內(nèi)部閃存芯片閾值電壓感知優(yōu)化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗(yàn)碼糾錯(cuò)時(shí)的一種優(yōu)化 方法。該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲(chǔ)模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對(duì)數(shù)似然比計(jì)算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對(duì)原始數(shù)據(jù)利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲(chǔ)模塊主要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；非均勻閾值電壓感知模塊主要對(duì)閃 存芯片進(jìn)行非均勻閾值電壓感知；
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片
本發(fā)明公開了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基電調(diào)空間分辨率全色成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊、面陣全色成像探測器、以及面陣電控液晶微透鏡設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，陶瓷外殼后部固定設(shè)置于金屬支撐和散熱板頂部，驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊固定設(shè)置于陶瓷外殼后部與金屬支撐和散熱板連接處，面陣全色成像探測器平行設(shè)置于驅(qū)控和圖像預(yù)處理模塊頂部，面陣電控液晶微
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置
本發(fā)明公開了一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置，包 括 Z 向進(jìn)給模塊、傳動(dòng)模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其 中 Z 向進(jìn)給模塊用于帶動(dòng)背板上下運(yùn)動(dòng)；氣路模塊中的真空發(fā)生器用 于產(chǎn)生真空，并通過氣管、快接接頭和花鍵軸聯(lián)接，在花鍵軸內(nèi)部產(chǎn) 生真空環(huán)境；傳動(dòng)模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時(shí)姿態(tài)的精準(zhǔn)度； 花鍵軸模塊用于傳遞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過吸嘴 頭與吸嘴桿內(nèi)嵌的密封墊產(chǎn)生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的 開閉，進(jìn)而使吸嘴頭產(chǎn)生不同尺寸的真空域。通過本發(fā)明，應(yīng)能夠僅 采用一
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片的解調(diào)電路
本發(fā)明公開了一種用于無源超高頻 RFID 標(biāo)簽芯片解調(diào)電路， 包括整流電路、取包絡(luò)電路、低通濾波電路、均值產(chǎn)生電路、比較器、 整形電路、使能控制電路、偏置電路。整流電路由主級(jí)和輔助級(jí)構(gòu)成， 采用閾值補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)，取包絡(luò)電路在使能控制電路控制下提取包絡(luò)，低 通濾波電路直接采用 RC 結(jié)構(gòu)，均值產(chǎn)生電路由運(yùn)算放大器、二極管 和電容構(gòu)成，利用峰值檢測的原理實(shí)現(xiàn)，比較器采用開環(huán)的運(yùn)算放大 器實(shí)現(xiàn)，整形電路由兩個(gè)級(jí)聯(lián)的反相器構(gòu)成，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測芯片
本發(fā)明公開了一種液晶基單眼復(fù)眼一體化成像探測芯片，包括陶瓷外殼、金屬支撐和散熱板、以及單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)，陶瓷外殼后部固置于金屬支撐和散熱板頂部，單眼復(fù)眼一體化成像探測架構(gòu)設(shè)置于陶瓷外殼內(nèi)，并包括同軸順序設(shè)置的驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊、面陣可見光探測器以及面陣電控液晶成像微透鏡，面陣電控液晶成像微透鏡用于從陶瓷外殼頂部開口接收可見光，并將該可見光聚焦到面陣可見光探測器，驅(qū)控與圖像預(yù)處理模塊通過通訊與控制信號(hào)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品
本發(fā)明公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn)品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種基于環(huán)熵的多進(jìn)制準(zhǔn)循環(huán)低密度奇偶校驗(yàn)碼構(gòu)造方法
本技術(shù)成果公開了一種結(jié)構(gòu)化的多進(jìn)制準(zhǔn)循環(huán)低密度奇偶校驗(yàn)環(huán)碼(LDPC cycle codes)的構(gòu)造方法，其 步驟為：獲取準(zhǔn)循環(huán)的二進(jìn)制基矩陣Hbqc，采用有限域上的元素乘的方法隨機(jī)填充各個(gè)循環(huán)子矩陣；采用 環(huán)搜索方法來獲得長度與圍長g有關(guān)的所有環(huán)的數(shù)目及環(huán)中元素所在的位置；對(duì)于搜索到的每個(gè)環(huán)，計(jì)算 它的環(huán)熵Ec，然后改變這個(gè)環(huán)中元素的值使得環(huán)熵Ec盡可能增大，直到每個(gè)環(huán)的環(huán)熵都不再增大為止；為 了保持多進(jìn)制LDPC碼校驗(yàn)矩陣的準(zhǔn)循環(huán)的特性，從尋找到的環(huán)中的每一個(gè)元素作為起始元素開始更新循 環(huán)子矩陣，更新采用的方法就是使起始元素所在循環(huán)子矩陣滿足乘規(guī)則；通過這個(gè)方法得到了一個(gè)多進(jìn)制 準(zhǔn)循環(huán)LDPC碼的校驗(yàn)矩陣Hnqc。本技術(shù)成果提出的構(gòu)造方法所構(gòu)造出的碼字具有優(yōu)異的糾錯(cuò)性能——在 相同的信噪比時(shí)可以獲得更低的誤碼率（誤比特率BER，無符號(hào)率SER和誤幀率FER）；所獲得的碼字結(jié) 構(gòu)具有準(zhǔn)循環(huán)特性，提高了編碼速度。 90%以上。 2.創(chuàng)造性建立了基于MapReduce貝葉斯算法的客戶流失預(yù)警模型，采用貝葉斯分類算法預(yù)測客戶流失 高風(fēng)險(xiǎn)群體。本模型預(yù)測準(zhǔn)確率達(dá)62%以上。
中山大學(xué)
2021-04-10
一種高轉(zhuǎn)矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調(diào)制永磁電機(jī)
本發(fā)明提供了一種高轉(zhuǎn)矩密度多盤-多氣隙軸向磁通磁場調(diào)制永 磁電機(jī)，其中該永磁電機(jī)具有多盤多氣隙結(jié)構(gòu)，由沿軸向方向上依次 交錯(cuò)排列的若干定子與轉(zhuǎn)子構(gòu)成而成，若定子數(shù)目為 Ns，轉(zhuǎn)子數(shù)目為 Nr，定子與轉(zhuǎn)子數(shù)目滿足：Ns＝Nr+1(Nr＝2，3，4...)，最外側(cè)兩定子 不放置繞組，內(nèi)側(cè)定子放置環(huán)形繞組。按照本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的調(diào)制永磁電 機(jī)，降低了繞組端部長度，減小了電機(jī)銅耗，提高了效率，兩側(cè)外定 子作為輔助磁路，保留了磁場調(diào)制電機(jī)的高電磁轉(zhuǎn)矩密度、高功率因 數(shù)等特點(diǎn)，提高了電機(jī)的整體轉(zhuǎn)矩密度，同時(shí)兩側(cè)外定子
華中科技大學(xué)
2021-04-14