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人才需求：化工、高分子材料等領域，技術、研發等方面的人才。
化工、高分子材料等領域，技術、研發等方面的人才。
山東兄弟科技股份有限公司
2021-08-31
人才需求：對高分子化學有一定的理論基礎
對高分子化學有一定的理論基礎
煙臺永盛金屬涂印有限公司
2021-08-31
一種高電阻率高磁性能核殼結構NdFeB磁粉及用途
本發明公開了一種高電阻率高磁性能核殼結構NdFeB磁粉，該發明首先將配好的原料進行感應熔煉，制成平均厚度為0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；將制得的速凝片進行氫破碎，脫氫后得到粗破碎磁粉；然后在惰性氣體保護氣氛下，進行氣流磨，得到粒度在1~6μm之間且粒度接近的磁粉；然后將磁粉放入管式爐中，通入流速為50~300mL/min的氨氣加熱到300~400oC并且保溫5~30min后隨爐冷卻。保溫和隨爐冷卻時繼續通入氨氣，即可得到核殼結構的NdFeB磁粉。該磁粉由于氮化層的隔絕效果，具有電阻率高、耐腐蝕性強、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化層厚度可控以及氮化層包覆均勻等特點。
浙江大學
2021-04-13
負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法
本發明公開了一種負低老化率負溫度系數熱敏電阻器陶瓷材料的制備方法，該熱敏電阻器陶瓷材料的名義化學組成為Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以組成陽離子的氧化物為起始原料，球磨，經過多次煅燒，加入有機粘結劑造粒成型后，燒制而成，燒成片狀樣品后，兩端面上銀電極，電極燒滲后，在富氧環境下將樣品無電極處覆蓋柱面處用中溫玻璃釉封接。通過所述制備工藝所制備的熱敏電阻器陶瓷材料，在25°C的電阻率為3-1000Ω·m,25-85°C溫區的B值為3000-4000K,150°C
安徽建筑大學
2021-01-12
解析超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構
超高遷移率層狀Bi2O2Se半導體的電子結構及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質量的層狀Bi2O2Se半導體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對所得Bi2O2Se單晶塊材進行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導體完整的電子能帶結構信息，測得了電子有效質量（~0.14 m0）、費米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關鍵物理參量。?
北京大學
2021-04-11
甲基硅氧烷大氣轉化導致低揮發性物種及高產率甲醛的形成
該研究發現一種新的過氧自由基自氧化機制，闡明甲基硅氧烷大氣轉化會生成甲醛，增加其釋放的環境風險。該研究不僅拓展了對大氣過氧自由基化學的理解，還為甲基硅氧烷環境行為模擬和風險評估提供了重要的基礎數據。
大連理工大學
2021-01-12
一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構成的一層圖案化陽極和一層平面金屬納膜陰極/陽極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學介質層的兩個外表面上；在加電態下，圖案化陽極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽極間形成局域彎曲的銳化電場陣，陰極/陽極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的陣列化納電場驅控，向各納電場中電場強度最強部位聚集。本發明基于金屬基平面納尖簇電
華中科技大學
2021-04-14
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高單模成品率的漸變脊波導分布反饋激光器
一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內，其等效折射率沿諧振腔腔長方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長方向變化；該激光器輸出單縱模。本發明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時使激光器的模式增益沿腔長方向變化， 并通過在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍邊或者紅邊光激射的概率，
華中科技大學
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14