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SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料
將高性能陶瓷增強(qiáng)體加入到金屬的鋁基體中，制成鋁基復(fù)合材料，得到單一材料所不具有的強(qiáng)度、模量、塑性等各種優(yōu)異性能，且性能可以通過人工設(shè)計(jì)和復(fù)合而進(jìn)行控制。材料性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平，建立了國內(nèi)第一個(gè)航天鋁基復(fù)合材料技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，形成了高性能鋁基復(fù)合材料的批量、多品種研制和生產(chǎn)能力，并成功推廣應(yīng)用。
上海交通大學(xué)
2023-05-09
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高性能鋼（鐵）基復(fù)合材料
金屬耐磨材料導(dǎo)熱性好、耐沖擊，在電力、礦山、冶金、建材等行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。目前常用的高鉻鑄鐵、高錳鋼等金屬耐磨材料，存在磨損速度快、更換周期短等不足，開發(fā)高耐磨鐵基復(fù)合材料是彌補(bǔ)上述不足的重要途徑。 本創(chuàng)新成果采用表面鑄滲技術(shù)，通過設(shè)計(jì)開發(fā)金屬基體組成、增強(qiáng)體結(jié)構(gòu)和性能，在保持鑄件整體成份和組織不變的條件下，在高鉻鑄鐵、普通碳鋼、球墨鑄鐵等鑄件表面形成厚度可控的復(fù)合材料耐磨層，可方便地生產(chǎn)襯板、磨輥等耐磨件。該技術(shù)突破了以往復(fù)合層厚度只能達(dá)3~10mm的限制，實(shí)現(xiàn)了復(fù)合層厚度的可調(diào)可
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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電子封裝用鋁基復(fù)合材料
電子封裝用鋁基復(fù)合材料主要包括SiCp/Al、AlNp/Al和Sip/Al等復(fù)合材料。它們采用專利擠壓鑄造方法制備，該工藝生產(chǎn)成本低、設(shè)備投資少、制成的材料致密度高，且對增強(qiáng)體和基體合金幾乎沒有選擇，便于進(jìn)行材料設(shè)計(jì)。“金屬基復(fù)合材料工程技術(shù)研究所”在這一工藝上擁有多項(xiàng)發(fā)明專利，技術(shù)成熟，并具有獨(dú)立開發(fā)新型材料的能力。 本電子封裝材料具有低膨脹、高導(dǎo)熱、機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，可以與Si、GaAs或陶瓷基片等材料保持熱匹配。與目前常用的W/Cu、Mo/Cu復(fù)合材料相比，導(dǎo)熱性、熱膨脹性能相
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
高性能鋼（鐵）基復(fù)合材料
項(xiàng)目簡介金屬耐磨材料導(dǎo)熱性好、耐沖擊，在電力、礦山、冶金、建材等行業(yè)得到廣泛應(yīng)用。目前常用的高鉻鑄鐵、高錳鋼等金屬耐磨材料，存在磨損速度快、更換周期短等不足，開發(fā)高耐磨鐵基復(fù)合材料是彌補(bǔ)上述不足的重要途徑。本創(chuàng)新成果采用表面鑄滲技術(shù)，通過設(shè)計(jì)開發(fā)金屬基體組成、增強(qiáng)體結(jié)構(gòu)和性能，在保持鑄件整體成份和組織不變的條件下，在高鉻鑄鐵、普通碳鋼、球墨鑄鐵等鑄件表面形成厚度可控的復(fù)合材料耐磨層，可方便地生產(chǎn)襯板、磨輥等耐磨件。該技術(shù)突破了以往復(fù)合層厚度只能達(dá) 3~10mm 的限制，
江蘇大學(xué)
2021-04-14
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鎂基可降解骨釘、骨板
骨釘、骨板用于骨損傷后內(nèi)固定修復(fù)，目前市場應(yīng)用的產(chǎn)品是鈦的骨釘骨板，患者在骨愈合后需要重新手術(shù)取出器械，本產(chǎn)品植入后完成骨釘功能后即在體內(nèi)降解消失，不需要二次手術(shù)，節(jié)約費(fèi)用，減少痛苦，并可加快骨愈合治療，是換代性產(chǎn)品。
西南交通大學(xué)
2016-06-28
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高性能鋁基合金制備及其應(yīng)用
本成果為一系列鋁基合金材料，包括鋁硅合金、鋁碳化硅梯度復(fù)合材料以及高硅鋁合金殼體的成形方法和模具。將鋁硅合金粉末和鋁基復(fù)合材料的板坯直接鋪設(shè)進(jìn)行熱壓燒結(jié)，不需要經(jīng)過冷壓成型，減小熱膨脹系數(shù)，易于控制鋁基復(fù)合材料層的厚度和形狀，確保工藝的可重復(fù)。
將鋁硅合金與鋁碳化硅有機(jī)結(jié)合，構(gòu)成具有多層梯度結(jié)構(gòu)的鋁硅/鋁碳化硅梯度復(fù)合材料，一方面利用鋁碳化硅復(fù)合材料的高強(qiáng)度和高模量，為電子器件提供良好的機(jī)械性能，另一方面充分發(fā)揮鋁硅合金的易加工、可鍍覆、可激光焊接等優(yōu)點(diǎn)，有利于加工成具有復(fù)雜形狀的封裝殼體，為高功率密度電子器件提供封裝保護(hù)。本成果還提供一種加工模具，可以對高硅鋁合金殼體的尺寸進(jìn)行約束，使得成型后尺寸偏差小，且通過模具設(shè)計(jì)可以獲得不同形狀大小的封裝殼體，成形后尺寸偏差小，合格率高。
中南大學(xué)
2023-08-03
高性能銅基合金及其制備方法
本成果制備的高抗變色金色銅合金金色度高，不含貴金屬元素，成本較低，同時(shí)加入微量鈷，大大提高合金抗脫鋅腐蝕性能。通過首創(chuàng)的Cu-Fe合金短流程制備裝備及工藝制備出的Cu-Fe合金，經(jīng)過形變強(qiáng)化、細(xì)晶強(qiáng)化以及微米級/亞微米級/納米級Fe相多尺度協(xié)同析出強(qiáng)化等共同作用，使Cu-Fe合金具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)電性能。本成果提出一種合金化無氧銅的制備方法，有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中無氧銅條在進(jìn)行生產(chǎn)功率模塊的熱處理工藝時(shí)，隨著熱的輸入，晶粒會急劇增大，從而在下一道接合工藝或是與其他零部件接合時(shí)發(fā)生各種故障問題，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了即使850℃高溫時(shí)，也可以抑制晶體顆粒增大。
中南大學(xué)
2023-08-03
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凹凸棒石基催化載體材料
光催化劑的實(shí)用化研究一直受到人們的廣泛重視，目前的研究熱點(diǎn)主要集中在探索新型光催化材料，將凹凸棒土的高吸附特性和光催化技術(shù)結(jié)合起來，將活性光催化劑負(fù)載在凹凸棒土表面，可以解決光催化劑的固定化問題，明顯提高催化劑的光催化性能；同時(shí)，由于凹凸棒土的特殊棒晶狀結(jié)構(gòu)，使光催化劑易于沉降、分離，重復(fù)利用， 解決了催化劑的重復(fù)利用問題，具有突出的優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)。 技術(shù)特點(diǎn)：一種 CO2 轉(zhuǎn)化為環(huán)碳酸酯的高效納米催化劑及其制備方法，通過將天然凹凸棒礦石粉碎篩選，去除雜質(zhì)，得到凹凸棒粉末 后分散到第一溶劑中，加入改性劑
蘭州大學(xué)
2021-01-12
凹凸棒石基無機(jī)環(huán)保顏料
無機(jī)環(huán)保顏料是無機(jī)顏料品種中新出現(xiàn)的一類能夠滿足人們對 環(huán)境和健康要求的顏料。這類顏料的特點(diǎn)是組成中不含有對人體和環(huán) 境有害的元素和化學(xué)物質(zhì)。無機(jī)環(huán)保顏料中最重要的就是環(huán)保型彩色 混相無機(jī)顏料。 技術(shù)特點(diǎn)：凹凸棒石是一種以凹凸棒石為主要成分的含水富鎂、鋁硅酸鹽礦物，其獨(dú)特的納米棒狀結(jié)構(gòu)和表面活性硅烷醇基團(tuán)賦予其大的比表面積和優(yōu)異的吸附性能，可利用凹凸棒石的元素組成與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，研制出不同種類的無機(jī)環(huán)保顏料，改善顏料純度和色澤，降低顏料成本。
蘭州大學(xué)
2021-01-12
硅基光電子集成技術(shù)
基于硅材料和CMOS工藝制備光電子器件及其集成技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)低成本、批量化生產(chǎn)，并具有和微電子單片集成的潛力，是目前國際光電子前沿研究領(lǐng)域。該技術(shù)不僅可以用于片上光互連，也可為骨干網(wǎng)、光接入網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心提供高性能、低成本收發(fā)模塊。 在國家973計(jì)劃項(xiàng)目《超高速低功耗光子信息處理集成芯片與技術(shù)基礎(chǔ)研究》的支持下，針對硅基材料不具備線性電光效應(yīng)、而利用自由載流子等離子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電光調(diào)節(jié)效率低、功耗高等科學(xué)難題，提出了一系列解決思路和具有創(chuàng)新性的器件結(jié)構(gòu)，形成了硅基光電子集成器件設(shè)計(jì)方法和基于CMOS工藝的制備工藝流程，成功制備了一系列硅基光電子集成芯片。 該技術(shù)不僅為我國硅基光電子集成技術(shù)的發(fā)展和華為等知名電信設(shè)備企業(yè)新一代產(chǎn)品提供了有力的技術(shù)支撐，也引起了國際同行的密切關(guān)注。美國光學(xué)學(xué)會《Optics & Photonics News》曾出版專題報(bào)道“Integrated Photonics in China”，對本項(xiàng)目的部分工作進(jìn)行了介紹。2014年底，Nature Photonics將本項(xiàng)目首次在硅基上研制成功的大容量可編程光緩存芯片作為Research Highlight加以報(bào)道。高速低功耗16*16光交換芯片版圖大容量可編程光緩存芯片（左：芯片照片，中：封裝后的結(jié)構(gòu)，右：性能測試結(jié)果）為華為公司研制的400G可調(diào)光模塊。
上海交通大學(xué)
2021-04-13