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基于分數(shù)階的伺服系統(tǒng)位置環(huán) IP 控制器無模型自校正方法
本發(fā)明公開了一種基于分數(shù)階的伺服系統(tǒng)位置環(huán) IP 控制器無模 型自校正方法，包括以下步驟:設(shè)定參考模型，激勵系統(tǒng)獲取離線數(shù) 據(jù)庫，初始化系統(tǒng)相關(guān)參數(shù)，然后根據(jù)當前時刻新采集的輸入和輸出 數(shù)據(jù)進行數(shù)據(jù)庫的更新，接著根據(jù)相似度準則函數(shù)進行相似數(shù)據(jù)隊列 的選擇，之后進行分數(shù)階控制器階次的選取，最后采用粒子群優(yōu)化算 法對分數(shù)階 IP 控制器參數(shù)進行自校正。
華中科技大學
2021-04-14
一種制備高亮度白光發(fā)射的錳摻雜鈣鈦礦量子點的方法
本發(fā)明公開了一種制備高亮度白光發(fā)射的錳摻雜鈣鈦礦量子點的方法，該量子點為Ｍｎ：ＣｓＰｂ２（Ｂｒ／Ｃｌ）５。其制備方法包括如下步驟：
（１）分別將ＰｂＢｒ２、ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ３Ｂｒ、ＭｎＣｌ２·４Ｈ２Ｏ以及ＣｓＢｒ溶于Ｎ，Ｎ?二甲基甲酰胺（ＤＭＦ）中制成反應(yīng)物的前驅(qū)體溶液；
（２）將前驅(qū)體溶液依次轉(zhuǎn)移至攪拌的甲苯中，轉(zhuǎn)換方式為以速率２０～６０滴／分鐘進行滴加，形成量子點材料。本發(fā)明無需使用復(fù)雜的熱力學過程控制誘導Ｍｎ的摻雜，反應(yīng)條件溫和，過程簡單，操作方便，且前驅(qū)體溶液穩(wěn)定性好，可重復(fù)多次使用，適用于工業(yè)推廣。
東南大學
2021-04-11
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法
本發(fā)明具體涉及一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法。技術(shù)方案一：以20——30wt%的單質(zhì)硅和70——80wt%的堿金屬無機鹽為原料，再外加所述原料0——3wt%的催化劑，混合，干燥；然后在氮氣氣氛和1200——1400℃條件下保溫2——5h，自然冷卻，洗滌，制得氮化硅粉體。技術(shù)方案二：以5——15wt%的含硅源的物質(zhì)、70——80wt%的堿金屬無機鹽和5——15wt%的碳黑為原料，再外加所述原料0——3wt%的催化劑，混合，干燥；然后在氮氣氣氛和1200——1400℃條件下保溫2——5h，自然冷卻，洗滌，得到氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體。本發(fā)明具有生產(chǎn)成本低、工藝簡單和易于工業(yè)化生產(chǎn)的特點；所制備的氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體粒度均勻、晶體形貌好和物相純度高。
（注：本項目發(fā)布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
一種鈮鉬復(fù)合微合金化高強度貝氏體鋼及其制備方法
本發(fā)明涉及一種鈮鉬復(fù)合微合金化高強度貝氏體鋼及其制備方法。其技術(shù)方案是：將鑄坯采用熱軋機組進行軋制，粗軋開軋溫度為1150——1200℃，精軋開軋溫度為950——1000℃，精軋終軋溫度為900——950℃；然后以30——50℃/s的速度冷卻至420——450℃，再空冷至330——380℃，在330——380℃條件下保溫30——45min，然后水冷至室溫。所述鑄坯的化學成分及其含量是：C為0.19——0.224wt%，Si為1.43——1.50wt%，Mn為1.94——2.05wt%，Nb為0.025——0.027wt%，Mo為0.142——0.15wt%，P<0.008wt%，S<0.002wt%，N<0.004wt%，剩余部分為Fe及不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明具有成本低廉、工藝簡單和生產(chǎn)周期的特點，所制備的制品的強度與塑形良好匹配，綜合性能優(yōu)良。
（注：本項目發(fā)布于2015年）
武漢科技大學
2021-01-12
一種虛擬現(xiàn)實型的可見即可控智能家居控制系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開了一種基于虛擬現(xiàn)實型的可見即可控智能家居控制系統(tǒng)及方法，虛擬現(xiàn)實圖像編輯模塊構(gòu)建虛擬現(xiàn)實家居圖像，在顯示模塊上顯示，用戶模塊采集用戶信息，根據(jù)用戶選定的房間切換到對應(yīng)房間的虛擬現(xiàn)實圖像，再根據(jù)用戶選定的房間內(nèi)的被控家電設(shè)備以及用戶的命令內(nèi)容生成命令信息，用戶模塊將命令信息傳輸至家電控制集成模塊，家電控制集成模塊根據(jù)命令內(nèi)容實現(xiàn)對被控設(shè)備的正向控制，并實時讀取設(shè)備的狀態(tài)信息經(jīng)通訊模塊反饋到用戶模塊，形成閉環(huán)系統(tǒng)。本發(fā)明采用看與控一體的人機交互控制革命了菜單模式的控制，用戶控制智能家電設(shè)備時，如同真實控制一樣通過看到、想到就能做到，用戶控制體驗效果極為簡易、人性化。
浙江大學
2021-01-12
基于電流檢測及壓電介質(zhì)的寬頻空間電場探測頭、其檢測電路及其探測方法
本發(fā)明提供了一種基于電流檢測及壓電介質(zhì)的寬頻空間電場探測頭、其檢測電路及其探測方法，涉及電場探測技術(shù)領(lǐng)域。探測頭包括壓電介質(zhì)，配置在壓電介質(zhì)上下表面的上電極板和下電極板，設(shè)置在上電極板上方的半圓形電極；半圓形電極與上電極板通過導電介質(zhì)連接，半圓形電極與下電極板通過絕緣介質(zhì)支撐相連；上下電極板各自設(shè)有一個可變電容基板，兩個可變電容基板在壓電介質(zhì)的一側(cè)彎折后表面附有導電層；兩個導電層在一側(cè)以預(yù)定間隙平行排布，其投影面的重疊面積可在預(yù)定范圍內(nèi)變化，形成一個可變電容，可變電容連接外部的檢測電路。本發(fā)明利用壓電介質(zhì)形變產(chǎn)生可變電容，利用雙電流差分回路進行檢測，從而反映空間電場大小，功耗低、適用性好。
南京工程學院
2021-01-12
一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標記及應(yīng)用
本發(fā)明提供了一種紫花苜蓿刈割后株高再生能力鑒定方法、分子標記及應(yīng)用，屬于分子標記技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明通過測定刈割四周后紫花苜蓿再生的株高來體現(xiàn)紫花苜蓿刈割后一定時間內(nèi)植株再生的能力。所述分子標記的核苷酸序列如SEQ ID NO.4或SEQ ID NO.5所示，插入或缺失片段的核苷酸序列如SEQ ID NO.3所示。用于擴增分子標記的引物對，其核苷酸序列如SEQ ID NO.1～2所示。本發(fā)明所述分子標記對應(yīng)的引物對能夠鑒定或輔助鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力。同時本發(fā)明還提供了利用所述分子標記快速鑒定紫花苜蓿刈割后株高再生能力的方法，該方法簡便快捷，鑒定結(jié)果準確，具有良好的推廣應(yīng)用前景。
蘭州大學
2021-01-12
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一株耐熱紅法夫酵母及其利用秸稈水解液生產(chǎn)蝦青素的方法
本發(fā)明公開了一株耐熱紅法夫酵母及其利用秸稈水解液生產(chǎn)蝦青素的方法，所述菌株分類命名為紅法夫酵母GF6 Xanthophyllomyces dendrorhous GF6，保藏編號為CCTCC NO:M 2025649；將該菌株接種到發(fā)酵培養(yǎng)基中，以秸稈水解液為碳源，在28~30℃下高效生產(chǎn)蝦青素；本發(fā)明利用農(nóng)業(yè)廢棄物秸稈水解液作為廉價的粗原料代替了全部碳源來生產(chǎn)蝦青素，提升了發(fā)酵溫度，降低生產(chǎn)成本，并且對環(huán)境友好。
南京工業(yè)大學
2021-01-12
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一種用于太陽能電池背板的改性聚丙烯組合物及其制備方法
本發(fā)明公開了一種用于太陽能電池背板的改性聚丙烯組合物，它由以下重量配比的成分組成：聚丙烯：40～80％；聚酰胺：5～30％；聚烯烴彈性體：2～15％；引發(fā)劑：0.1～1.0％；接枝單體：0.5～5.0％；增強填料：0～30％；添加劑：0～5％。本發(fā)明提供的組合物具有優(yōu)良的耐低溫沖擊性和耐老化性能，同時具有低飽和吸水率、低水蒸氣透過率以及優(yōu)異的電絕緣性，可用于制造太陽能背板。
（注：本項目發(fā)布于2017年）
華中農(nóng)業(yè)大學
2021-01-12
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一種高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩及其制備方法
本發(fā)明提供了一種高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩的制備方法，包括以下步驟：步驟S1，將二維材料的粉末加入反應(yīng)容器，滴加有機結(jié)構(gòu)導向劑并混合均勻，得混合液，對混合液依次進行超聲處理和離心處理后取上層清液，得液相剝離后的薄層二維材料分散液；步驟S2，將薄層二維材料分散液、去離子水、堿金屬源和鋁源配制成溶液，在溶液中緩慢加入硅源，攪拌溶解，陳化處理，得溶膠凝膠；步驟S3，溶膠凝膠進行水熱晶化后，得反應(yīng)產(chǎn)物，進行洗滌、離心和干燥處理后，得高結(jié)晶性的二維MWW沸石分子篩。本發(fā)明中采用六方氮化硼或硫化鉬作為外延生長二維沸石的模板，無需額外添加除六亞甲基亞胺或哌啶之外的有機模板劑，合成得到結(jié)晶性好且橫縱比大的二維MWW型沸石。
復(fù)旦大學
2021-01-12