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采用激光反射和散射測量原理，激光照射被測物，經被測物表面反射和散射的光由探測頭內部的硅光電池接收，再經電路處理由軟件將接收到的信號值轉換為Ra，即被測物的表面粗糙度。 儀器屬于非接觸測量，不會對產品表面造成破壞；可消除在高級別粗糙度測量時測尖無法進入谷底而帶來的測量誤差，特別適用于對超精加工后工件表面粗糙度的測量，以及內孔內壁的測量；非機械測量，不會有探針的損耗，降低了使用成本；可靠性、重復性高；采用數值標定，同一類平面只需標定一次，不需要重復標定，降低了標定成本，并且提高生產效率；由于激光的相干性好，測量系統結構簡單，免去了一般光源干涉測量儀器視場過小帶來的諸多不便。 儀器操作簡單，可用于平面和圓柱面等多種被測材料，如：金屬、塑料、陶瓷以及磁性介質等的測量，LCD直觀顯示。 主要性能指標：測量范圍：0.01mm～0.1mm重復性：測量值的±1.0%準確度：±0.006mm光點直徑：f3mm

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統（如圖3所示），平臺具有靈活調節IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態電流分布影響規律的研究，以及瞬態電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態監測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發明提供一種針接式嫁接機用出插針裝置。包括由振動盤、彈簧片組、分離底座、偏心電機、上導槽構成的嫁接針震動分離機構，氣缸、推針支架、下導槽和儲針槽構成推針機構，三個氣缸、插針支架、插針底板和插針筒構成的插針機構。本發明可以通過震動分離機構實現大量嫁接針排序分離后進入推針機構內，推針機構通過氣缸實現嫁接針單根進入插針筒內，在插針機構上下氣缸的配合作用下實現瓜科類蔬菜苗針接法中的出插針作業。本發明設計合理，自動化程度高、緊湊性能好、插針作業的可靠性高、插針效率高。

本實用新型公開了一種貂籠糞尿分離式接糞槽，包括籠體和糞尿分離器，所述糞尿分離器包括箱體、滑板、隔擋板、網孔板和輸送機，箱體上端設置有與籠體配合的開口，滑板設置在箱體的前上角，隔擋板鉸接連接在箱體的末端，隔擋板在復位彈簧的作用下頂在滑板上；在滑板和隔擋板的下方設置有末端高前端底的網孔板，網孔板的前端連接有輸送機，在輸送機的右端且箱體上設置有出糞口；網孔板底端設置有引尿槽，引尿槽包括固定設置在網孔板前后兩端且向內傾斜的兩個斜板，和固定連接在兩個斜板之間的滑道，在箱體的側壁上且位于滑道右端設置有出尿孔，在出尿孔上可拆設置有引流管；在箱體的側壁上且位于隔擋板和網孔板之間設置有推糞口。

定單信息 TES-5600CE 發卡器 TES-5600CE …………………………………………………………………………………………………………… 發卡器 ? TES-5600K 非接觸式IC卡 TES-5600K …………………………………………… 非接觸式IC卡（支持ISO1443A協議，白卡100張，86×54 mm）

木質，共13件，與教材一致。

  距離的高精度實時測量在現代工業的各個領域中的應用越來越廣,工件的表面輪廓目標物體的相對位置、形狀描述等都離不開距離的高精度測量,非接觸、小型化、數字化、智能化成為距離測量系統發展的趨勢。隨著數字信號處理器(DSP)功能越來越強,光電耦合器CCD的日益普及,使符合實際工業生產要求的非接觸高精度在線距離測量系統的研制成為可能。    技術原理與工藝流程:    光學三角法檢測技術。光學三角法的測量原理就是使發光元件所發出的光束照射在被測物體表面上并被反射,部分反射光成像在位置敏感元件表面上(如CCD,PSD等),通過檢測光斑在敏感表面上的位置,由幾何關系即可計算出被測物體的距離。這類位移測量儀的基本組成是激光器、物鏡、光電接收器、信號處理及測量顯示系統。    圖像中心位置的識別算法。這是非接觸測量技術中的關鍵技術,當激光照射在被測物體表面散射,經透鏡會聚在cCD表面成像,所成像的模擬信號經過模擬數字轉換器(AD)被轉換為數字信號處理器可以處理的數字信號后,要經過圖像中心位置識別算法的處理確定所成像的中心點位置,根據激光三角法原理,由所成像的中心點位置就可以求出相應的被測量物體的距離信息。    為了保證系統可靠性和提高測量精度,用查表與細分相結合的方法根據線性CCD上像點的位置確定目標物體的距離。    主要技術性能指標：    測量范圍:50mm；    測量儀與被測物體距離:80mm；    測量精度:在全部測量范圍內,不小于01mm；    分辨率:25微米；    測量頻率:1KH    技術水平及用途：    在工業生產中有很多生產指標和工藝參數要實現測量和控制,非接觸距離測量可以為生產的調度指揮和工藝參數的監測提供準確、可靠、快捷的信息,是一種應用范圍很廣和非常有潛力的測量技術。    應用行業:1.教育2制造業

項目的背景及目的 距離的高精度實時測量在現代工業的各個領域中的應用越來越廣，工件的表面輪廓，目標物體的相對位置，形狀描述等都離不開距離的高精度測量，非接觸，小型化，數字化，智能化成為距離測量系統發展的趨勢。隨著數字信號處理器（DSP）功能越來越強，光電耦合器CCD的日益普及，使符合實際工業生產要求的非接觸高精度在線距離測量系統的研制成為可能。 技術原理與工藝流程 光學三角法檢測技術。光學三

復合功能腦深部刺激器及 MEMS 腦電極：本課題組針對 MEMS 腦電極及其配套腦起搏器極端制造技術中的諸多關鍵難題，開展了如下研究：環形腦電極的鍵合、封裝等工藝，制造了環形腦電極樣品；MEMS 硅基腦電極的結構設計及制造工藝、鍵合方法和封裝工藝，制造了硅基腦電極樣品；螺旋微導線和轉接線的制造工藝，制造了樣品；植入式顱內壓傳感器的制造和封裝工藝，制造出顱內壓微傳感器樣品；經皮無線能量傳輸供電的關鍵技術和方法，制造出穩定地無線供電裝置；植入裝置與體外控制裝置之間的無線通訊方法研究及其實用裝置；腦深部神經核團信號采集方法研究及其實用裝置；植入式腦起搏器的封裝工藝和方法。