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帶式壓濾機

本發(fā)明公開的醫(yī)用植入體表面非均相層狀的礦化涂層，在醫(yī)用植入體表面自下而上依次有致密殼聚糖層、多孔礦化殼聚糖層和礦化膠原/殼聚糖交聯(lián)體層。本發(fā)明以膠原、殼聚糖、含鈣化合物和含磷化合物為原料，在水溶液中下通過電化學反應(yīng)，在醫(yī)用金屬基體表面一次性組裝非均相層狀礦化涂層，通過調(diào)節(jié)電沉積參數(shù)，可以調(diào)整各相的沉積狀態(tài)，從而實現(xiàn)非均向?qū)訝钔繉拥闹苽?。本發(fā)明方法簡單，易行，可控性高，制得的醫(yī)用材料涂層能夠促進細胞在其表面的附著及增殖，具有承載藥物的功能，且具有強化的生物活性性能。涂層與金屬基板的結(jié)合強度高，穩(wěn)定性好。

中國傳媒大學非學歷教育管理系統(tǒng)采購項目競爭性磋商

非霍奇金淋巴瘤（NHL）是目前發(fā)病率增長速度最快的惡性腫瘤之一，高發(fā)于青壯年，社會危害大。 “NHL個體化診療策略的創(chuàng)新與應(yīng)用”項目歷經(jīng)16年，依托華南腫瘤學國家重點實驗室和國家抗腫瘤新藥 臨床試驗中心，立足于針對中國NHL特點進行創(chuàng)新。在B細胞淋巴瘤方面，建立中國B細胞淋巴瘤新診療標 準，提高15-20%的治療效果；同時發(fā)現(xiàn)伴乙肝者在靶向化療中，易發(fā)生治療相關(guān)性肝炎（中國是乙肝大 國，此問題尤為重要）；創(chuàng)建了預防B細胞淋巴瘤靶向化療相關(guān)性肝炎發(fā)生的新方法，使治療相關(guān)性肝炎 發(fā)生率下降80%，顯著提高了治療的安全性。NK/T細胞淋巴瘤在中國等亞洲國家相對常見，而在歐美國家 罕見。該項目通過構(gòu)建危險分級和臨床分期，制定了NK/T細胞淋巴瘤個體化分層治療策略，使低危者不用 接受過度治療，高危者通過提高治療強度改善生存期；通過研發(fā)新的治療方案和綜合治療模式，建立NK/ T細胞淋巴瘤新的治療標準，使5年生存率提高約20%。

本發(fā)明公開了一種具有氣動減阻效果的耦合仿生非光滑柔性表面貼膜。它包括柔性表面層、粘性液體、貼膜基體。柔性表面層與貼膜基體上均具有凹坑、凸包或溝槽的非光滑結(jié)構(gòu)或者柔性表面層與貼膜基體均呈波浪狀，柔性表面層的邊壁與貼膜基體的邊緣粘結(jié)為一體，二者之間形成密閉腔體，粘性液體填充在柔性表面層與貼膜基體之間。該貼膜通過設(shè)置仿生非光滑柔性表面，將該貼膜粘貼在汽車、高速列車以及城市地鐵車身表面可以有效降低其氣動阻力。

本項目屬光、機、電、材一體化技術(shù)領(lǐng)域，具有多學科綜合的特點。半導體激光器具有效率高、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)簡單、能將電能直接轉(zhuǎn)換為激光能、功率轉(zhuǎn)換效率高、便于直接調(diào)制、省電等優(yōu)點，因此應(yīng)用領(lǐng)域日益擴大。半導體激光技術(shù)已成為一種具有巨大吸引力的新興技術(shù)并在工業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。高功率半導體泵浦激光器是半導體激光技術(shù)中最具發(fā)展?jié)摿Φ念I(lǐng)域之一。 半導體激光器最大的缺點是激光性能受溫度影響大，光束的發(fā)散角較大。封裝成本占半導體激光器組件成本的一半，封裝技術(shù)不僅直接影響泵浦激光器組件的可靠性，而且直接關(guān)系到泵浦激光器芯片的性能能否充分發(fā)揮。本項目對非致冷高功率980nm泵浦激光器的封裝技術(shù)進行了研究，整個封裝技術(shù)涉及光學、電學、熱學、機械等，精度達微米數(shù)量級。通過采用激光器芯片的倒裝貼片技術(shù)，小型化、全金屬化無膠封裝技術(shù)，最終滿足了光纖放大器對泵浦激光器小體積、高功率、低成本、高可靠性的要求。光耦合則采用透鏡光纖直接耦合，最大限度地減小耦合系統(tǒng)的元件數(shù)和相關(guān)損耗，提高了光路可靠性和易操作性。采用雙光纖光柵波長鎖定技術(shù)，提高了非致冷高功率980nm泵浦激光器的邊模抑制比和波長穩(wěn)定性。項目組通過采用這些技術(shù)，最終解決了一系列非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)。 經(jīng)國家光學儀器質(zhì)量監(jiān)督檢測中心測試，非致冷高功率980nm泵浦激光器主要技術(shù)指標如下：    1. 管殼尺寸：12.7(mm)×7.4(mm)×5.2 (mm)    2. 工作溫度：0-70℃    3. 中心波長：980nm    4. 譜 寬：1nm    5. 閾值電流：24mA    6. 輸出功率：240mW    7. 功 耗：小于1W 本項目的研究成果，通過與相關(guān)企業(yè)開展產(chǎn)學研合作，經(jīng)過近五年的技術(shù)研發(fā)和不斷改進，非致冷高功率980nm泵浦激光器封裝關(guān)鍵技術(shù)研究成果已成功應(yīng)用于相關(guān)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)，為企業(yè)創(chuàng)造了較好的經(jīng)濟效益。在社會效益方面，填補了我國非致冷高功率半導體泵浦激光器方面的不足，對行業(yè)技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級起到了積極的推動作用。 耦合封裝是對精度要求非常高的一系列工藝過程，這注定它很難實現(xiàn)自動化技術(shù)。因此，小型化泵浦激光器封裝技術(shù)的研究成果，特別適合在中國這樣人力成本低且技術(shù)基礎(chǔ)好的環(huán)境。通過對小型化980nm泵浦激光器封裝技術(shù)的研究，實現(xiàn)了封裝技術(shù)的源頭性創(chuàng)新，有助于向其他半導體泵浦激光器和光電器件的耦合封裝拓展。該技術(shù)在光電子器件的應(yīng)用方面具有廣闊的市場潛力和廣泛的推廣應(yīng)用前景，將成為形成光電子器件封裝技術(shù)產(chǎn)業(yè)的重要技術(shù)支撐。

本發(fā)明公開了一種基于 FPGA 的紅外焦平面陣列條帶狀非均勻性校正系統(tǒng)和方法，屬于紅外成像技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以中值紅外均衡算法(MIRE)為核心，針對算法以及 FPGA 的特性進行了優(yōu)化，包括圖像緩存模塊、參數(shù)計算模塊、非均勻性校正模塊與數(shù)據(jù)輸出模塊。參數(shù)計算模塊根據(jù)上位機指令得到加權(quán)系數(shù)，原始圖像經(jīng)過緩存后，按列方向順序輸入非均勻性校正模塊得到每一列圖像的直方圖、累計直方圖與逆直方圖，然后通過對累計直方圖和逆直方圖進

本發(fā)明公開了一種基于憶阻器的非易失性 SR 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 Rd、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS管、第四 MOS 管、第五 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2、第三反相器 N3 以及第四反相器 N4，以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)·721·成的分壓電路讀取模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實現(xiàn)了 SR 觸發(fā)器的鎖存以及置位和復位功

本發(fā)明公開了一種基于函數(shù)型非參數(shù)回歸的中長期典型日負荷曲線預測方法，根據(jù)已有的歷史典型 日負荷曲線，基于函數(shù)型數(shù)據(jù)分析理論和非參數(shù)核密度估計方法，建立函數(shù)型非參數(shù)回歸預測模型;考 慮待預測典型日的日負荷率和最小負荷率，建立二次規(guī)劃模型對函數(shù)型非參數(shù)回歸預測模型的預測曲線 進行修正，最終得到滿足待預測典型日負荷特性指標要求的預測曲線。以中國某省級電網(wǎng)和美國 PJM 電 力公司的典型日負荷數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)的仿真算例驗證了所提方法簡單實用，預測結(jié)果準確。本發(fā)明具有良好 的推廣價值和應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開了一種計及非共振傳輸?shù)闹蓄l動響應(yīng)預示簡化分析方法，包括如下步驟：（１）將系統(tǒng)劃分成連續(xù)耦合的子系統(tǒng)；（２）計算子系統(tǒng)的模態(tài)；（３）計算相鄰子系統(tǒng)中特定頻帶內(nèi)的模態(tài)間的耦合參數(shù)；（４）建立系統(tǒng)功率平衡方程，并計算子系統(tǒng)中頻動響應(yīng)。本發(fā)明針對一種計及非共振傳輸?shù)闹蓄l動響應(yīng)預示方法，提出了一種簡化分析方法，提高計及非共振傳輸?shù)闹蓄l動響應(yīng)預示方法的