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 本項(xiàng)目通過顯微掃描技術(shù)、多光譜技術(shù)、智能分析技術(shù)將生物組織的高分辨率顯微圖像、熒光光譜信息采集創(chuàng)新性地在同一系統(tǒng)中進(jìn)行一體化集成，不僅是使國產(chǎn)病理掃描儀器達(dá)到國外先進(jìn)水平，同時(shí)將攻克目前國內(nèi)外同類型產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)生物組織的多維顯微信息融合，實(shí)現(xiàn)更加高效率、高可靠性的診斷分析。  通過項(xiàng)目實(shí)施，已取得如下顯著性研究成果：1）20×/0.65大視場大數(shù)值孔徑物鏡（平場復(fù)消色差物鏡）已經(jīng)順利產(chǎn)業(yè)化，并大量應(yīng)用于Motic系列顯微鏡和細(xì)胞DNA定量分析系統(tǒng)上，有效提高掃描成像的速度和質(zhì)量；2）開發(fā)了采用無刀口后焦偏置的偏心光束法主動離焦量探測裝置，通過探測光斑的半徑和離焦量的線性關(guān)系，實(shí)現(xiàn)微米量級的離焦量探測； 3）開發(fā)了基于相面傾斜對焦方法的病理切片實(shí)時(shí)掃描自動對焦方法及裝置，該成果已成功進(jìn)入工程化應(yīng)用階段； 4）開發(fā)了基于線性磁軸電機(jī)的直線驅(qū)動顯微掃描臺，并通過嚴(yán)格實(shí)施加工工藝保障措施，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平，為快速、穩(wěn)定線掃顯微成像奠定基礎(chǔ)。5）完成了基于切片托盤的轉(zhuǎn)塔倉庫設(shè)計(jì)和裝載機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)，并采用自主控制和機(jī)器視覺技術(shù)解決了切片倉庫設(shè)計(jì)精度和機(jī)械手控制精度之間的矛盾，實(shí)現(xiàn)了全自動無人值守連續(xù)掃描的多規(guī)格切片裝載設(shè)計(jì)。 目前，本項(xiàng)目已順利通過科技部組織的中期評估實(shí)地檢查工作，各項(xiàng)檢測指標(biāo)達(dá)到或超過中期預(yù)期指標(biāo)。

高分辨率電子電路光刻膠是制造高密度、高精度電子電路的核心材料之一， 該類光刻膠在達(dá)到分辨率要求的同時(shí)，還需具備高感度、高硬度、優(yōu)異的耐焊性 和耐酸堿性等物理化學(xué)性能，以滿足電子電路復(fù)雜的制造工藝要求。長期以來， 由于我國高性能基礎(chǔ)光固化材料開發(fā)的滯后，導(dǎo)致國產(chǎn)電子電路光刻膠技術(shù)水平低下，相關(guān)產(chǎn)品占國內(nèi)市場份額不足 30%，其中高分辨率電子電路光刻膠更是被國際公司所壟斷。針對上述現(xiàn)狀，團(tuán)隊(duì)通過高性能光固化材料的開發(fā)突破了高分辨率電子電路光刻膠制備關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng)新技術(shù)，并制備了以高分辨率阻焊油墨和光致抗蝕劑為主的一系列具備優(yōu)異物理化學(xué)性能的高分辨率電子電路光刻膠產(chǎn)品。

非制冷薄膜型紅外焦平面陣列探測器結(jié)構(gòu)，包括含讀出電路的第一基片，含熱隔離微橋陣列和敏感元陣列的第二基片，所述第一基片與第二基片鍵合成一體，所述熱隔離微橋陣列中的各熱隔離微橋單元以刻蝕后的第二基片為橋墩，以與所述橋墩頂面緊密結(jié)合的支撐層為橋面；各熱隔離微橋單元的橋面上均設(shè)置有敏感元陣列，各敏感元陣列通過引線電極與第一基片上對應(yīng)的讀出電路實(shí)現(xiàn)電連接。制備方法：第一基片鍵合面圖形的制備；支撐層制備；敏感元陣列的制備；第二基片正面保護(hù)；熱隔離微橋陣列的制備；第一基片與第二基片的鍵合；除去第二基片的正面保護(hù)層；敏感元電極讀出電路電極的連接。

本發(fā)明提供了一種在超細(xì)鎢絲表面電沉積鋁鎂合金薄膜的方法。該方法克服了在有機(jī)溶劑、離子液體體系中電沉積鋁鎂合金薄膜存在鍍液體系不穩(wěn)定，原料成本高昂，鍍液配置不易，使用壽命較短，制得的鋁鎂合金薄膜中鎂含量較低等問題。該方法在低溫?zé)o機(jī)熔鹽體系中，氯化鋁和氯化鎂作為主鹽，氯化鈉和氯化鉀作為支持電解質(zhì)；以超細(xì)鎢絲作為電沉積陰極，鋁為陽極，控制電鍍溫度，電鍍時(shí)間以及電流密度，在惰性氛圍保護(hù)下進(jìn)行鋁鎂合金薄膜在超細(xì)鎢絲表面的電沉積。

本項(xiàng)目主要涉及到一種大面積的米級碳納米管/石墨烯薄膜。本技術(shù)產(chǎn)品可應(yīng)用于智能電發(fā)熱材料， 超輕薄防彈衣材料，電磁屏蔽膜，防火耐腐蝕衣服及涂料，手機(jī)散熱材料，復(fù)合結(jié)構(gòu)材料等。本技術(shù)產(chǎn)品 具有世界最輕，最薄，超柔軟可揉搓，高導(dǎo)電導(dǎo)熱的性能，并且具有量產(chǎn)性強(qiáng)，成本低廉的優(yōu)勢。在數(shù)十 個(gè)行業(yè)領(lǐng)域具有可革命性的替代能力。本次主要介紹該材料在短期內(nèi)可迅速成果轉(zhuǎn)化的智能電加熱及散熱 方面的技術(shù)應(yīng)用。 縛，真正保持了純天然的特性，使產(chǎn)品的質(zhì)量邁上一個(gè)新臺階。 本技術(shù)成果已經(jīng)工業(yè)化應(yīng)用的有高純度肉桂醛、苯甲醛、苯乙酮、1-苯乙醇、藿香油、香茅油、山 蒼子油、澳洲茶樹精油等；應(yīng)用領(lǐng)域涉及石化、化工、食品、醫(yī)藥、日化、香料等行業(yè)。產(chǎn)品的提純用普 通的蒸餾方法或者分子蒸餾難以達(dá)到的它能做得到，如肉桂醛≥98%、苯乙酮≥99%、苯甲醛≥99%。本 聯(lián)用技術(shù)在熱敏性物料的精細(xì)分離提純中具有十分廣闊的市場。對投資者要求：從事熱敏性組分分離的企 業(yè)，研究所及設(shè)備生產(chǎn)廠家。

本發(fā)明屬于薄膜制備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種制備ZnO/CuInS2核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜的方法和相關(guān)工藝參數(shù)。該制備方法為媒介模板轉(zhuǎn)換法。首先，采用水熱法，以硝酸鋅(Zn(NO3)2)/六次甲基四胺(HMT)水溶液為生長體系，在ITO導(dǎo)電玻璃上生長ZnO納米棒；然后以硫代乙酰胺(TAA)為反應(yīng)試劑進(jìn)行水浴，得到ZnO/ZnS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜；然后，將所得樣品在硝酸銅(Cu(NO3)2)的三乙二醇(TEG)溶液中靜置一段時(shí)間得到ZnO/CuS核殼結(jié)構(gòu)納米棒薄膜媒介模板；最后，將所得樣品放入氯化銦(InCl3

本發(fā)明公開了一種高取向二氧化釩薄膜的液相制備方法，屬于化學(xué)功能材料領(lǐng)域。該制備方法以三異丙醇氧釩為溶質(zhì)制備前驅(qū)液，將所得前驅(qū)液涂于藍(lán)寶石襯底制備前驅(qū)物薄膜，最后將前驅(qū)物薄膜置于真空環(huán)境中燒制而成。本發(fā)明在液相法的基礎(chǔ)上，通過控制真空燒結(jié)條件制備二氧化釩薄膜，所獲得的薄膜均具有良好的生長取向，相變溫度為60°C左右，相變前后電阻率的變化在三個(gè)量級以上；且制備工藝簡單，適合大范圍推廣。

本發(fā)明公開了一種溶液法熒光粉膠薄膜涂覆方法及其在晶圓級發(fā)光二極管封裝中的應(yīng)用，屬于 LED 封裝領(lǐng)域。其包含：S1 將熒光粉膠涂覆在 LED 晶圓片上；S2 將 LED 晶圓片置于溫度為 50℃～200℃度的溶液中；S3 待熒光粉膠形貌穩(wěn)定后，將 LED 晶圓片從溶液中取出；S3 將 LED 晶圓片置于溫度在 50℃～200℃下加熱，使殘留在 LED晶圓片和熒光粉膠表面上的溶液蒸發(fā)并將熒光粉膠固化；S5 將晶圓片切割成小芯片單元。本發(fā)明方法操作簡單，成本低，可制備厚度極薄且厚度均勻度大于 0.95 的熒光粉膠薄膜，從而提高 LED 的光效、空間顏色均勻性以及產(chǎn)品一致性。該工藝可以廣泛的應(yīng)用于晶圓級發(fā)光二極管封裝中。

電機(jī)系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機(jī)復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲能的全有機(jī)復(fù)合薄膜。這類全有機(jī)復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲能性能不僅遠(yuǎn)超過目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲能特性的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實(shí)現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴(yán)酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強(qiáng)度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點(diǎn)，在全球工業(yè)電容器市場占有率超過其它類型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對溫度極其敏感，在高溫、高電場作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機(jī)光伏中電子受體材料的強(qiáng)得電子能力，實(shí)現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機(jī)分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機(jī)光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過其表面靜電勢分布的極不均勻特性，對自由電子產(chǎn)生強(qiáng)束縛作用。通過向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機(jī)分子半導(dǎo)體制備了全有機(jī)復(fù)合高溫介電材料。這類材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個(gè)數(shù)量級以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機(jī)復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機(jī)-無機(jī)復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢。

本發(fā)明公開了一種成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜及其制備方法和應(yīng)用，其中該薄膜的特征有：薄膜為三元硫硒化合物合金，硒成分在 X 軸方向能夠連續(xù)漸變，在 Y 軸方向和 Z 軸方向基本不變；該成分連續(xù)漸變的半導(dǎo)體合金薄膜作為良好的光吸收層被用于薄膜太陽能·831·電池陣列和光電探測器。其制備方法包括：(1)選取沉積襯底；(2)準(zhǔn)備蒸發(fā)源；(3)制備半導(dǎo)體合金薄膜。本發(fā)明提出的方法能夠在同一條件下沉積成分大范圍連