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高等教育領域數字化綜合服務平臺
磁致伸縮導波檢測儀
北京工業大學
2021-04-14
QGZ40-35A(1E48F)1E48F水泵
峰值功率：2.2Kw
主體重量：11.5Kg
燃油容積：0.0633L
適合工況：農林園藝和家用清水泵，也可以適合輪船上油料及大型設備化工原料的裝卸
山東普豐園林科技有限公司
2021-08-24
高增益平板縫隙天線
平板徑向線縫隙天線是一種非諧振多模波導縫隙陣列，它兼具了波導縫隙天線的高效率和微帶天線低剖面的優點。相比于傳統陣列天線具有以下優點：結構簡單，易加工、成本低；饋電損耗小，天線效率高；圓極化軸比性能好等，同時也可形成單脈沖和共形，它可應用于雷達、衛星通信、移動通信的天線（如動中通）、應急通信等。正因為它具有損耗小、效率高、結構簡單等諸多優點，在近二十年，國外學者不斷對其探索改進，成功將其應用于各類微波毫米波系統中。
電子科技大學
2021-04-10
高增益平板反射陣天線
高增益天線可廣泛應用于在航天航空、移動通信的天線（如動中通）、應急通信和單兵作戰系統等，印刷平板反射陣天線具有機械調整的優勢，即可進行簡單可靠地折疊和展開，由于是平面結構容易保證展開天線口面的高精度。平板反射面可以快速高精度的折疊與展開，非常適合應急通訊。它也可嵌入已存在的平面結構中無需增加系統額外的重量和體積，具有成百上千單元的反射結構可以通過低成本的刻蝕技術實現。反射陣天線還可與衛星或空間站太陽能電池板的結合，在保證太陽能電池正常運作的前提下，減小了天線占用面積，實現特定的功能。因此，印刷平板反射陣天線在很多領域特別是應急通訊、空間、衛星通訊和動中通等領域有著廣闊的應用前景。
電子科技大學
2021-04-10
高增益平板縫隙天線
平板徑向線縫隙天線是一種非諧振多模波導縫隙陣列，它兼具了波導縫隙天線的高效率和微帶天線低剖面的優點。
電子科技大學
2021-04-10
高增益平板反射陣天線
高增益天線可廣泛應用于在航天航空、移動通信的天線（如動中通）、應急通信和單兵作戰系統等，印刷平板反射陣天線具有機械調整的優勢，即可進行簡單可靠地折疊和展開，由于是平面結構容易保證展開天線口面的高精度。
電子科技大學
2021-04-10
鄂式平板硫化機
鄂式硫化機分胎面硫化機和擋邊帶硫化機兩種，其中，胎面硫化機配多層自動推拉模，專用于胎面膠硫化生產，產品全部采用自動控制，獲得國家專利。
青島祥杰橡膠機械制造有限公司
2021-09-13
云管端觸控平板
產品詳細介紹CNIT針對實際多媒體教學中的應用要求，提供了多種尺寸、配置規格的互動教學解決方案。產品集成了高清流媒體電視、多種觸摸技術、交互式電子白板的功能。屏幕均采用優質高清液晶面板，畫面色彩表現生動逼真。
觸控平板產品六大優勢
炫外觀：超薄超窄、全金屬面框及背板，前置按鍵，前置USB端口，模塊化安全設計；
高性能：抗光干擾、防遮蔽功能、紅外觸摸屏設計；
真環保：低輻射，智能環境檢測，0.5w待機功耗，能耗一減再減；
新交互：觸摸算法優化程度高，響應速度快，書寫和演示流暢度極高；
多拓展：HDMI、USB，接口齊全，交互式電子白板提供海量教學資源，打造教學資源生態圈；
全智能：顯示、觸控、智能核心、PC一體融合。
LED系列（55”/65”/75”/84”）
淘屏有限公司
2021-08-23
光晶體管結構的柔性紫外探測器
本發明涉及提出一種無機鈣鈦礦光晶體管結構的紫外探測器。基底(1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質的CsPbX3量子點(5)摻雜的PMMA有機層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，FTO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調制下，獲得光生載流子分離、轉換的電信號讀取、放大的集成功能，以實現高響應度的紫外信號探測。光晶體管探測器可采用如圖1所示的頂柵結構，也可以采用如圖2所示的底柵結構。以上兩種結構可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結構的柔性光晶體管紫外探測器。
東南大學
2021-04-11
高靈敏度高分子光探測器
通過分子設計在高分子光電探測器中實現活性層的垂直相分離控制，有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上，課題組基于具有優異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構建單元，通過在側鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數量級以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測器在±2.0V時具有非常高的整流比，暗電流的比值達到106-107，說明該探測器具有非常優異的二極管特性。在-0.2 V時，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區內可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是，基于PBT(TH)的探測器，其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高，可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項工作已申請PCT專利，課題組將進一步開發高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。
南方科技大學
2021-04-13