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本實用新型公開了一種懸式絕緣子在線監(jiān)測系統(tǒng)，包括：應力監(jiān)測裝置、污穢檢測裝置和導線風偏 監(jiān)測裝置，用來實時監(jiān)測瓷柱式絕緣子的應力數(shù)據(jù)、污穢數(shù)據(jù)和導線風偏數(shù)據(jù)；應力監(jiān)測裝置、污穢檢 測裝置和導線風偏監(jiān)測裝置的輸出均連接 A/D 轉(zhuǎn)換電路，A/D 轉(zhuǎn)換電路的輸出連接數(shù)字處理電路，數(shù)字 處理電路用來將 A/D 轉(zhuǎn)換電路輸出的數(shù)字信號遠距離傳輸?shù)揭苿咏K端；移動終端連接數(shù)據(jù)存儲器；太陽 能電池用來供電；控制電路與應力監(jiān)測裝置、污穢檢測裝置、導線風偏監(jiān)測裝置、A/D 轉(zhuǎn)換電路、數(shù)字 處理電路和移動終端均相連。本實用新型可實現(xiàn)高壓輸電線路上瓷柱式絕緣子的遠程實時監(jiān)控，從而及 時發(fā)現(xiàn)并排除絕緣子的安全隱患。 

本實用新型公開了一種多功能瓷柱式絕緣子在線監(jiān)測系統(tǒng)，包括：泄漏電流采集裝置，用來實時監(jiān) 測瓷柱式絕緣子的泄露電流數(shù)據(jù)；Sensor-應力監(jiān)測裝置，用來實時監(jiān)測瓷柱式絕緣子的應力數(shù)據(jù)；污穢 檢測裝置，用來實時監(jiān)測瓷柱式絕緣子的污穢數(shù)據(jù)；控制器通過信號線與泄漏電流采集裝置、Sensor-應 力監(jiān)測裝置和污穢檢測裝置均相連；控制器用來收集數(shù)據(jù)，并將收集的數(shù)據(jù)通過發(fā)射天線發(fā)送出去，信 號接收器通過接收天線接收數(shù)據(jù)，信號接收器和終端機信號連接；太陽能電池用來供電。本實用新型設(shè) 計精簡，成本低廉，可很大程度保證瓷柱式絕緣子的正常運行，從而預防事故發(fā)生，確保輸電線路的安 全和穩(wěn)定運行。 

本實用新型涉及多自由度壓電超聲電機技術(shù)，具體涉及基于準田字形壓電振子驅(qū)動的平面電機，包 括定子組件、動子組件、支座組件和預緊組件，采用準田字形定子組件，且通過預緊組件與支座組件連 接；動子組件分別連接定子組件和支座組件。電機通過激發(fā)準田字形定子組件的面外一階對稱彎曲振動、 左右圍桿面內(nèi)一階彎曲振動、前后圍桿面內(nèi)一階彎曲振動三種模態(tài)的振動或近共振復合出兩相橢圓運動 軌跡，據(jù)此推動動子組件交替地沿 x、y 向移動?？蓪崿F(xiàn)微米甚至更高精度級平面運動；

本實用新型提供一種測量絕緣子結(jié)構(gòu)高度的裝置，包括基座(1)、吊框(2)，所述吊框(2)包括 橫梁(21)與立柱(22)，所述橫梁(21)與所述立柱(22)垂直，所述立柱(22)與所述基座(1)的 底面垂直，所述立柱(22)上有測量刻度，所述橫梁(21)上設(shè)置有懸掛件(3)，所述懸掛件(3)包 括連成一體的懸掛部(31)和連接部(32)，所述懸掛部(31)與所測量的絕緣子(4)的鋼腳的形狀相 同。所述基座(1)上可以設(shè)有水平儀(11)，底部還可以設(shè)有 3 個調(diào)平支腳(12)，本裝置

課題組采用基于密度泛函理論的晶格動力學方法研究了碲化鎘(CdTe)材料的聲子譜（見圖1(a)），通過系統(tǒng)分析發(fā)現(xiàn)在具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的II-VI半導體碲化鎘中存在理想的第二類外爾聲子（見圖1(b)），并且發(fā)現(xiàn)這樣的準粒子激發(fā)發(fā)生于聲學支和光學支的交匯處。課題組隨后根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類似于電子系統(tǒng)的Wannier緊束縛Hamiltonian，從而可以

未來裝配式建筑構(gòu)件若實現(xiàn)工業(yè)化、標準化和智能化制造，關(guān)鍵環(huán)節(jié)是要求構(gòu)件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡化預制混凝土構(gòu)件模具安裝而設(shè)計開發(fā)的一種新型無損模具固定裝置，旨在解決傳統(tǒng)螺栓錨定對生產(chǎn)平臺的破壞性、難拆卸、通用性差的技術(shù)難題。

為了追求極限性能，越來越多的電子系統(tǒng)需要在低溫條件下工作。例如，在量子計算機、高性能傳感器、深空觀測以及一些經(jīng)典信息處理系統(tǒng)中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區(qū)的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實現(xiàn)接近量子極限的性能。對于這一類低溫系統(tǒng)，信號讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導數(shù)字電路SFQ（單磁通量子技術(shù)）來實現(xiàn)高性能計算和處理；第二種是將信號傳送至幾十K的溫區(qū)，再采用低溫CMOS技術(shù)對進行信號處理。然而，不論采用何種技術(shù)路徑，數(shù)字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內(nèi)，從而保持極低溫的工作環(huán)境，維持低溫器件的高性能。隨著應用需求的提高和低溫陣列器件規(guī)模的擴大，低溫電子系統(tǒng)性能受到信號處理和傳輸技術(shù)的制約，急切需要新的方案進行解決。 圖1. (a) 采用超導納米線結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的12門控或邏輯門；(b) 超導納米線數(shù)字編碼器芯片照片。針對此問題，南京大學吳培亨院士領(lǐng)導的超導電子學研究所團隊，趙清源教授和康琳教授課題組設(shè)計出新型多門控超導納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經(jīng)典二進制數(shù)字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實現(xiàn)數(shù)字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時，他們還利用此編碼器對超導納米線單光子探測器陣列實現(xiàn)數(shù)字化讀出，為低溫陣列探測器的信號讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導納米線邏輯芯片實現(xiàn)對單光子探測器陣列的數(shù)字化讀取。半導體數(shù)字電路，經(jīng)歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規(guī)模集成電路的發(fā)展過程。每一代技術(shù)的升級變革，其核心推力都是基礎(chǔ)邏輯器件的更新?lián)Q代。前沿技術(shù)領(lǐng)域?qū)Τ瑢щ娮悠骷膽眯枨?，也正將超導電子技術(shù)推向數(shù)字化的發(fā)展時代。南京大學吳培亨院士團隊基于超導納米線技術(shù)，開展了新型超導邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導相變，實現(xiàn)高速低功耗的開關(guān)邏輯。

① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發(fā)的方法，得到一維的酞菁納米線；② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對 808 nm光敏感，可以迅速產(chǎn)生響應，恢復時間短，課重復響應。

在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產(chǎn)氫器件構(gòu)筑的基礎(chǔ)上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環(huán)境中質(zhì)子和電子的傳輸與轉(zhuǎn)移，在有效規(guī)避分子基催化劑穩(wěn)定性差的同時，極大地提高了光催化產(chǎn)氫性能，為人工模擬光催化劑的設(shè)計和構(gòu)筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現(xiàn)將太陽能轉(zhuǎn)化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環(huán)境污染問題的理想途徑。在早期，我?；瘜W學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發(fā)展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產(chǎn)氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內(nèi)構(gòu)筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉(zhuǎn)移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產(chǎn)氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產(chǎn)氫性能，但光照條件下的穩(wěn)定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。       最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現(xiàn)了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內(nèi)部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內(nèi)，進一步將ZIF-8轉(zhuǎn)化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過高級刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。