|
搜索
搜 索
高等教育領域數字化綜合服務平臺
混凝土含氣量測定儀
執行標準：GB/ T 50080-2016
本產品按測定新拌混凝土含氣量的方法將試料裝入計量缽，通過給試料加壓后，壓力在兩個罐體內達到平衡，從而測出新拌混凝土的含氣量。
北京耐爾得公司研發的NELD-LA007型含氣量測定儀，采用高精度壓力傳感器，測試精度高，液晶屏顯示，儀器操作方便，數據測試快速，所測含氣量不受外界氣壓的影響。是科研高校、工程單位省時省力的最佳檢測設備。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
混凝土動彈模量測定儀
執行標準：GB/T 50082-2009，JTG 3420-2020
北京耐爾得公司研發的NELD-DTV型混凝土動彈模量測定儀，結合國外先進技術研制開發，專門用于測定混凝土在凍融循環試驗前后的相對動彈性模量變化。產品采用壓電式傳感器，進口顯示屏，測試精度高，重復性好，操作簡便，結構科學，是凍融循環試驗產品配套使用的更科學、更理想的產品。廣泛用于混凝土、碳素、石板、玻璃、磚、塑料、和金屬材料的動彈性模量測量。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
自動調壓混凝土抗滲儀
執行標準：GB/T 50082-2009，JTG 3420—2020
本品適用于通過逐級施加水壓力來測定以抗滲等級來表示混凝土的抗水滲透性能。不銹鋼水箱內膽，耐腐蝕加厚鋼板，施加壓力均衡，試模側面密封性好，結構合理簡單，控制儀表智能可調，亦可與砂漿抗滲儀通用。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
混凝土電通量測定儀
執行標準：GB/T 50082-2009，JTG 3420-2020
本品采用2020版最新數字電源支持的穩壓穩流技術，試驗輸出電壓精度≤0.05V，反饋的電流精度≤0.05mA，6～12通道可定制。8寸嵌入式Linux工業平板電腦觸摸屏操作，測量精度優于國家標準，是質檢單位、科研單位優選產品。
該方法對Ø100±1×50±2mm的混凝土試樣兩端施加60V的直流電壓，通過檢測6hrs內流過的電量大小來評價混凝土的滲透性。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
混凝土凝結時間測定儀
NELD-ST370型全自動混凝土凝結時間測定儀，是一款全自動測量混凝土和砂漿凝結時間的設備，該設備采用智能3D運動、工控觸摸屏等國際高效的開發應用技術。產品的優勢是使試驗員繁瑣的測量工作變得簡單，只需一鍵操作，即可等待結果。
北京耐爾得智能科技有限公司
2023-03-17
技術需求：聚偏氟乙烯水性氟涂料的合成技術研發
1、聚偏氟乙烯水性氟涂料的合成技術研發：解決PVDF附著力差的問題，并解決現有水性涂料在耐水性、耐高溫性等方面的缺陷。2、鹽酸中氟離子的脫除技術：尋求鹽酸中氟離子脫除技術，使氟離子降低到50PPm以內；是否有合適的材質，用于在180℃條件下生產鹽酸下游產品。
山東華安新材料有限公司
2021-08-30
用于孔壓分布測量的沉降柱試驗儀
本實用新型涉及地基處理研究領域，旨在提供一種用于孔壓分布測量的沉降柱試驗儀及試驗方法。在用于盛裝土樣的中空圓柱形試驗箱中，豎向設有固定在鋼架上的排水板，中空的排水板上間隔設置多個真空度探頭，在試驗箱的底板上和側壁上均勻分布多個孔壓傳感器；各真空度探頭和孔壓傳感器均通過信號線連接至數據采集裝置，數據采集裝置與上位機相連；排水板的上端通過密閉接頭與排水管相接，排水管的另一端接至真空泵，排水管上設真空表。本實用新型能監測不同深度和不同徑向位置的孔壓變化情況。結構簡單、易于上手，模型材料及填土可重復利用，不會造成浪費和污染，并且可以自動記錄數據，減少試驗所需人手，同時減少人為讀數時產生的誤差。
浙江大學
2021-04-13
一種HPLC色譜柱填料的改性方法
本發明提供一種新型HPLC色譜柱填料的改性方法，該改性方法的特點是利用感光高分子重氮樹脂作為表面改性劑，通過光交聯反應，使重氮樹脂與二氧化硅微球表面硅羥基之間的氫鍵作用轉化為共價鍵作用，從而在微球表面引入疏水基團。本方法所用工藝流程簡單，原料易得，生產成本低，重復性好；將改性后的二氧化硅微球作為色譜柱填料使用，可以在不同流動相下對多種苯類似物實現基線分離，并能有效分離碳60與碳70。色譜柱填料、產品附加值高。
青島大學
2021-04-13
一種農田用組合導水暗柱
混凝土芯的組合導水暗柱，涉及到農田下部深埋排水裝置，包括碎石透水混凝土筒及筒內陶粒透水混凝土芯材，導水暗柱兩端為通過中軸線的 L 形搭接面，用于導水暗柱之間搭接，導水暗柱兩端搭接面朝向相反。
揚州大學
2021-04-14
一種 MTJ 納米柱陣列的制備方法
本發明公開了一種 MTJ 納米柱陣列的制備方法，包括 S1 在基 底上表面制備電子束光刻對準所需要的定標符；S2 根據定標符在基底 上表面制備底電極層，底電極層包括多條平行的底電極線；S3 在附著 有底電極層的基底上表面涂覆一層 HSQ，通過電子束曝光對 HSQ 層 進行圖形化，在每一條底電極線上形成多個絕緣單元；每一個絕緣單 元的中間具有一個孔；S4 依次通過光刻、濺射和剝離工藝在絕緣單元 的孔內形成磁性多層膜層；
華中科技大學
2021-04-14