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鋁基原位（In-situ）納米復(fù)合材料是以鋁合金為基體、反應(yīng)合成納米陶瓷顆粒為增強(qiáng)體的新興高性能納米復(fù)合材料，獨(dú)特的原位納米增強(qiáng)體、復(fù)雜的陶瓷顆粒/金屬鋁合金界面結(jié)構(gòu)、復(fù)合構(gòu)型特征等結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，賦予其高的比強(qiáng)度、出色的抗疲勞能力、良好的耐熱性、耐磨性以及高阻尼等結(jié)構(gòu)-功能一體化特性，在航空航天、國(guó)防軍事、交通運(yùn)輸、電子信息和精密儀器等高技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，成為納米材料與金屬材料交叉領(lǐng)域中新興的高性能復(fù)合材料之一。 然而，該材料涉及到原子物理、凝聚態(tài)物理、化學(xué)、界面科學(xué)、納米材料

本項(xiàng)目在高性能鎂合金以及鎂基復(fù)合材料的制備和成型工藝、變形行為、微觀結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、阻尼特性、摩擦磨損行為、機(jī)械加工、表面處理等方面開(kāi)展了大量的系統(tǒng)研究，開(kāi)發(fā)了輕質(zhì)、高比強(qiáng)、高比剛并同時(shí)具有高阻尼的新型鎂合金及鎂基復(fù)合材料。這些新型鎂合金及其復(fù)合材料具有廣泛的應(yīng)用前景。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介鋁基原位（ In-situ）納米復(fù)合材料是以鋁合金為基體、反應(yīng)合成納米陶瓷顆粒為增強(qiáng)體的新興高性能納米復(fù)合材料，獨(dú)特的原位納米增強(qiáng)體、復(fù)雜的陶瓷顆粒/金屬鋁合金界面結(jié)構(gòu)、 復(fù)合構(gòu)型特征等結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，賦予其高的比強(qiáng)度、出色的抗疲勞能力、良好的耐熱性、耐磨性以及高阻尼等結(jié)構(gòu)-功能一體化特性，在航空航天、國(guó)防軍事、交通運(yùn)輸、電子信息和精密儀器等高技術(shù)領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，成為納米材料與金屬材料交叉領(lǐng)域中新興的高性能復(fù)合材料之一。然而，該材料涉及到原子物理、凝聚態(tài)物理、化

變色玻璃（又稱智能玻璃）是能夠按照人們的需求改變光線進(jìn)入（射出）強(qiáng)度和能量的功能化玻璃。通過(guò)對(duì)光線的調(diào)節(jié)可以使室內(nèi)亮度和溫度保持在合適的范圍，改善了生活質(zhì)量也降低了能耗。這在當(dāng)今全球能源緊缺的情況下更是意義重大。各發(fā)達(dá)國(guó)家對(duì)該領(lǐng)域的研發(fā)工作都非常重視。 聚合物分散液晶（PDLC）變色玻璃是近十幾年發(fā)展起來(lái)的新型智能玻璃材料。其以透明度高的聚合物為基體，將小分子液晶分散在基體中。與其他變

本項(xiàng)目采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽(yáng)能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 太陽(yáng)能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽(yáng)能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來(lái)人們一直致力于開(kāi)發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場(chǎng)份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項(xiàng)目在國(guó)家863計(jì)劃課題(2006AA03Z219)支持下，開(kāi)展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽(yáng)能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng)，發(fā)表科研論文20余篇。 三、創(chuàng)新點(diǎn)以及主要技術(shù)指標(biāo) 1.利用LPCVD方法和自擴(kuò)散技術(shù)生長(zhǎng)多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池； 2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽(yáng)能電池； 3.在PECVD和HWCVD生長(zhǎng)硅薄膜時(shí)，通過(guò)生長(zhǎng)溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實(shí)現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長(zhǎng)； 4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實(shí)現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命； 5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率； 6.采用隧道結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)疊層太陽(yáng)能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。 四、知識(shí)產(chǎn)權(quán)及獲獎(jiǎng) 國(guó)家863項(xiàng)目(2006AA03Z219)

糠醛來(lái)源于自然界的C5糖，是已大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的生物質(zhì)基化工產(chǎn)品，其原料來(lái)源是農(nóng)業(yè)和林業(yè)的廢料，包括玉米芯、稻殼、木材廢料等。由于這些可再生資源數(shù)量非常龐大，且其綜合利用不與人類競(jìng)爭(zhēng)糧食，通過(guò)它們生產(chǎn)糠醛，進(jìn)而發(fā)展生物質(zhì)糠醛基化工產(chǎn)品具有非常大的潛力。 一、項(xiàng)目分類 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 隨著碳中和概念的提出，生物基材料，乃至生物基可降解材料，憑借其良好的環(huán)保特性而受到人們的廣泛關(guān)注。糠醛來(lái)源于自然界的C5糖，是已大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的生物質(zhì)基化工產(chǎn)品，其原料來(lái)源是農(nóng)業(yè)和林業(yè)的廢料，包括玉米芯、稻殼、木材廢料等。由于這些可再生資源數(shù)量非常龐大，且其綜合利用不與人類競(jìng)爭(zhēng)糧食，通過(guò)它們生產(chǎn)糠醛，進(jìn)而發(fā)展生物質(zhì)糠醛基化工產(chǎn)品具有非常大的潛力。關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于糠醛是單官能團(tuán)化的化合物，在聚合物工業(yè)中難以發(fā)揮重要作用，因此盡管其生產(chǎn)原料廣泛、工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)成熟，但市場(chǎng)容量非常有限，嚴(yán)重限制了以糠醛為基礎(chǔ)原料的聚合物工業(yè)應(yīng)用。

本發(fā)明公開(kāi)了一種液晶基紅外波束偏振控制芯片，包括芯片殼體(4)以及位于該芯片殼體(4)內(nèi)的陣列化液晶偏振控制結(jié)構(gòu)(3)；芯片殼體(4)上設(shè)置有第一驅(qū)控信號(hào)輸入端口(1)，第二驅(qū)控信號(hào)輸入端口(2)，第三驅(qū)控信號(hào)輸入端口(5)，第四驅(qū)控信號(hào)輸入端口(6)。紅外光波進(jìn)入芯片的陣列化液晶偏振控制結(jié)構(gòu)后，按照液晶偏振控制結(jié)構(gòu)的陣列規(guī)模和排布情況被離散化為子波束陣。子波束與受控電場(chǎng)激勵(lì)下的液晶分子相互作用，被執(zhí)行水平、垂直、4

研究中發(fā)現(xiàn)，通過(guò)適當(dāng)?shù)耐嘶鸸に嚕梢杂行д{(diào)控Sb2Te3(GeTe)n基材料中陽(yáng)離子缺陷的類型，該工作運(yùn)用球差矯正電子顯微鏡的原位觀測(cè)技術(shù)及高角暗場(chǎng)掃描透射電鏡技術(shù)（in situ/HAADF-STEM）等, 通過(guò)比對(duì)退火前后的樣品及在電鏡下模擬退火過(guò)程，清楚地追蹤到樣品中陽(yáng)離子缺陷由短程的點(diǎn)缺陷聚集演化成長(zhǎng)程的面缺陷的過(guò)程，使得調(diào)控樣品內(nèi)載流子濃度降低到合適的程度，最終達(dá)到優(yōu)化材料性能的目的。? 該項(xiàng)工作使得Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料的總體性能大幅提升。據(jù)悉，熱點(diǎn)材料優(yōu)值ZT越高，其轉(zhuǎn)換效率越高。在溫度達(dá)到773K時(shí)，熱電材料優(yōu)值ZT達(dá)到了2.4，在323~773K較寬的工作溫度區(qū)間內(nèi)，材料的平均ZT高達(dá)1.51，能夠滿足中溫區(qū)熱電材料在商業(yè)應(yīng)用中對(duì)性能的需求，有望解決Sb2Te3(GeTe)n基熱電材料效率較低的問(wèn)題。 本研究成果在目前熱電材料亟待推廣的低品位廢熱發(fā)電方向以及未來(lái)有可能實(shí)現(xiàn)的可穿戴自驅(qū)動(dòng)電子器件與智能傳感設(shè)備方面有較大的應(yīng)用前景。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹Inertsil CN-3:Inertsil CN-3是在高純度球狀硅膠上鍵合了氰丙基的色譜柱，基于氰基三鍵的π電子作用以及氮的孤對(duì)電子作用力，對(duì)極性化合物有獨(dú)特的選擇性，適合應(yīng)用于正相分離。當(dāng)用于反相系統(tǒng)時(shí)，其選擇性與C8和C18不同。在藥學(xué)領(lǐng)域和復(fù)雜混合物的分離中應(yīng)用廣泛。Inertsil CN-3一般保存在正己烷/乙醇溶液中，當(dāng)作為反相色譜柱使用時(shí)，務(wù)必用能與兩種流動(dòng)相互溶的溶劑，如異丙醇進(jìn)行過(guò)渡置換，再用流動(dòng)相進(jìn)行平衡。 --------------------------------------------------------------------------------色譜柱參數(shù)：※基體：3系列高純度硅膠※粒徑：3μm，5μm※微孔徑：100?※化學(xué)鍵合基團(tuán)：氰丙基※端基封尾：無(wú)※含碳量：14%※USP號(hào)：L10 --------------------------------------------------------------------------------訂貨信息： 5μm 長(zhǎng)度/內(nèi)徑(mm) 2.1 3.0 4.0 4.6 33 5020-05311 5020-05321 5020-05331 5020-05341 50 5020-05312 5020-05322 5020-05332 5020-05342 75 5020-05313 5020-05323 5020-05333 5020-05343 100 5020-05314 5020-05324 5020-05334 5020-05344 150 5020-05315 5020-05325 5020-01942 5020-01940 250 5020-05316 5020-05326 5020-01943 5020-01941 【保護(hù)柱】 填料名 粒徑 長(zhǎng)度(mm) 目標(biāo)色譜柱的內(nèi)徑(mm) 內(nèi)徑(mm) 更換用小柱E（2根一組） 更換用小柱E套件（小柱E2根+小柱保護(hù)柱套） Cat.No. Cat.No Inertsil CN-3 3μm、5μm 10 1.0 1.0 5020-08517 5020-08527 1.5、2.1 1.5 5020-08518 5020-08528 2.1、3.0 3.0 5020-08515 5020-08525 4.0、4.6 4.0 5020-08510 5020-08520 20 2.1、3.0 3.0 5020-08565 5020-08575 4.0、4.6 4.0 5020-08560 5020-08570 --------------------------------------------------------------------------------

本發(fā)明公開(kāi)了一種β,β-二芳基烯的合成方法,在有機(jī)酸溶劑中,在鈀催化劑和銀鹽的存在下,鹵代芳烴與末端烯基化合物經(jīng)偶聯(lián)反應(yīng)得到β,β-二芳基烯;其中,有機(jī)酸溶劑為醋酸,鈀催化劑為醋酸鈀,銀鹽為醋酸銀、碳酸銀或氧化銀,鹵代芳烴為碘代芳烴,偶聯(lián)反應(yīng)的反應(yīng)溫度為80～130℃,反應(yīng)時(shí)間為0.25～24小時(shí)。采用本方法,以對(duì)環(huán)境友好的有機(jī)酸作為溶劑,并以銀鹽為添加劑,具有催化劑用量少,無(wú)需添加其他配體,反應(yīng)條件簡(jiǎn)單溫和,后處理簡(jiǎn)單,產(chǎn)物收率高等優(yōu)點(diǎn)。