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一種高飽和磁化強(qiáng)度磁性納米碳材料的制備方法
本成果來自有重大應(yīng)用前景的橫向項(xiàng)目，它以現(xiàn)有的碳納米管、活性炭等碳材料為原材料，通過化學(xué)的方法成功的制備了碳-鐵合金納米粒子的復(fù)合材料，飽和磁化強(qiáng)度均在50 emu/g以上，最高可達(dá)90 emu/g，其穩(wěn)定性和磁性能均高于現(xiàn)有的碳-Fe3O4復(fù)合材料，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。具有優(yōu)異的電磁屏蔽、微波吸收等性能。主要應(yīng)用：電磁屏蔽、介電材料、吸波隱身、高分子材料添加劑、醫(yī)學(xué)上造影劑、藥物載體等。具有非常廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)前景。
西南交通大學(xué)
2016-06-27
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一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發(fā)明公開了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對(duì)所述經(jīng)粉碎的固體垃圾執(zhí)行化學(xué)鏈燃燒處理，所述化學(xué)鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學(xué)鏈燃燒采用經(jīng)過吸附劑修飾的氧載體，該經(jīng)過吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態(tài)氯元素，冷凝并捕獲化學(xué)鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發(fā)明方法解決了目前固體垃圾焚燒過程中碳排放量高、同時(shí)易產(chǎn)生二噁英的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種碳包覆納米銻復(fù)合材料、其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種碳包覆納米銻復(fù)合材料的制備方法，包括： 將水溶性高分子溶于水中，配成水溶性高分子水溶液，以作為碳源； 將鹵化銻，磷酸銻和硫酸銻中的一種或幾種溶于有機(jī)溶劑中，形成銻 化物有機(jī)溶劑；將上述銻化物有機(jī)溶劑逐滴加入到所述水溶性高分子 水溶液中；將上述混合液冷凍干燥，并在還原性氣氛中燒結(jié)，即可獲 得碳包覆納米銻復(fù)合材料。本發(fā)明還公開了利用上述方法制備的碳包 覆納米銻復(fù)合材料，以及其作為電池負(fù)極材料的應(yīng)用。本發(fā)明
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種高性能低碳含Mo貝氏體鋼及其制備方法
本發(fā)明涉及一種高性能低碳含Mo貝氏體鋼及其制備方法。其技術(shù)方案是：向Fe-C-Mn-Si低碳鋼的冶煉成分中添加Mo，經(jīng)真空冶煉后鑄成鋼坯，將鋼坯軋制成板材。將軋制后的板材以5～10℃/s的升溫速度加熱至880～900℃，保溫10～20min；水冷至410～420℃，接著空冷至340～350℃，保溫30～40min；水冷至室溫，制得高性能低碳含Mo貝氏體鋼。所述的高性能低碳含Mo貝氏體鋼的化學(xué)成分及其含量是：C為0.15～0.22wt%；Si為1.48～1.55wt%；Mn為1.95～2.04wt%；Mo為0.14～0.15wt%；P<0.008wt%；S<0.002wt%；N<0.004wt%；其余為Fe及不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明具有成本低廉、周期短和工藝簡(jiǎn)單的特點(diǎn)；所制備的高性能低碳含Mo貝氏體鋼綜合性能優(yōu)良。
（注：本項(xiàng)目發(fā)布于2014年）
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
一種基于三床反應(yīng)的旋轉(zhuǎn)式循環(huán)碳捕集裝置及方法一種基于三床反應(yīng)的旋轉(zhuǎn)式循環(huán)碳捕集裝置及方法
本發(fā)明屬于碳捕集技術(shù)相關(guān)設(shè)備領(lǐng)域，具體地涉及一種基于三 床反應(yīng)的旋轉(zhuǎn)式連續(xù)循環(huán)碳捕集裝置，其包括旋轉(zhuǎn)軸和一組或多組循 環(huán)反應(yīng)單元，每組循環(huán)反應(yīng)單元包括三個(gè)反應(yīng)器，反應(yīng)器均在旋轉(zhuǎn)軸 周向并排設(shè)置且均勻分布，每個(gè)反應(yīng)器內(nèi)部均設(shè)置空腔用于放置吸收 劑，在每個(gè)反應(yīng)器的頂部均還設(shè)置有進(jìn)氣口，底部均設(shè)置有出氣口， 所述進(jìn)氣口與出氣口均與反應(yīng)器內(nèi)部的空腔連通。本發(fā)明還公開了一 種采用上述裝置進(jìn)行循環(huán)碳捕集的方法。本發(fā)明解決了鈣基吸收劑高 溫?zé)Y(jié)導(dǎo)致孔隙減少、SO2 反應(yīng)生成 CaSO4 雜質(zhì)造成孔隙結(jié)構(gòu)破壞等 原因造成的吸附性能降低的問題，同時(shí)解決了吸收劑磨損問題，大幅 度降低了能耗，裝備緊湊，兼具經(jīng)濟(jì)性和環(huán)境友好性等優(yōu)點(diǎn)。
華中科技大學(xué)
2021-04-13
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天津大學(xué)地科院多功能碳十四石墨化系統(tǒng)公開招標(biāo)公告
天津大學(xué)地科院多功能碳十四石墨化系統(tǒng)招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在天津市河?xùn)|區(qū)大橋道52號(hào)渤輕黨校B座1層104室獲取招標(biāo)文件，并于2022年06月21日09點(diǎn)30分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。
天津大學(xué)
2022-05-31
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鉬硫化物碳納米復(fù)合材料電催化析氫催化劑項(xiàng)目
氫能源是高效的綠色能源，如何低廉高效的大規(guī)模生產(chǎn)是制約其應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵因素。近年來，電解水制氫受到學(xué)術(shù)界廣泛關(guān)注，尋找廉價(jià)高效的非鉑電催化劑成為時(shí)下研究熱點(diǎn)。本項(xiàng)目分別采用輻射法及水熱法制備了鉬硫化物/碳納米復(fù)合材料,其催化析氫性能優(yōu)于商用Pt/C（20%Pt）催化劑，而且具有良好的催化穩(wěn)定性,適合大規(guī)模制備。
北京大學(xué)
2021-02-01
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一種高速鐵路運(yùn)營(yíng)期碳減排的環(huán)境效益計(jì)算方法
一種高速鐵路運(yùn)營(yíng)期碳減排的環(huán)境效益計(jì)算方法，屬于環(huán)境保護(hù)領(lǐng)域。根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局相關(guān)文件、中國(guó)交通運(yùn)輸統(tǒng)計(jì)年鑒、中國(guó)鐵道年鑒和鐵道年統(tǒng)計(jì)公報(bào)，建立基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)；基于層次分析法的數(shù)學(xué)分析，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，確定碳減排要素在高鐵運(yùn)營(yíng)期的權(quán)重值；基于高鐵耗電與標(biāo)準(zhǔn)煤量的換算，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，確定高鐵碳排放指標(biāo)；基于影子價(jià)格理論，根據(jù)數(shù)據(jù)庫(kù)，采用超越對(duì)數(shù)法，計(jì)算二氧化碳影子價(jià)格。
北京交通大學(xué)
2021-04-10
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一種空心納米碳球組裝介孔碳纖維材料的制備方法
簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種空心納米碳球組裝介孔碳纖維材料的方法，屬于介孔碳材料的制備技術(shù)領(lǐng)域。該方法以氨三乙酸和可溶性金屬亞鐵鹽或鎳鹽為原料，溶劑熱法合成金屬配合物纖維前驅(qū)體，將配合物纖維前驅(qū)體在密閉條件或氬氣氣氛下焙燒可得由核殼結(jié)構(gòu)納米球組裝的碳/金屬氧化物(金屬)復(fù)合物，將復(fù)合物纖維中納米球的核(金屬氧化物(金屬))經(jīng)酸蝕后，即可獲得富含羧基基團(tuán)、由納米空心球組裝而成的碳纖維材料。本發(fā)明的制備方法具有工藝簡(jiǎn)單，溶劑可回收再循環(huán)利用，制備成本低廉等優(yōu)點(diǎn)；所制備的碳材料由納米空心球組裝而成，結(jié)構(gòu)新穎，在吸附、催化劑載體等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
安徽工業(yè)大學(xué)
2021-04-11
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半導(dǎo)體輔材用多晶硅中碳、氮雜質(zhì)的分離去除技術(shù)
伴隨著我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的迅速崛起，硅電極作為光刻設(shè)備上承載硅基圓的重要輔材，其需求日趨增加。同時(shí)，基圓尺寸的不斷增加使得硅電極逐漸由單晶硅電極轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч桦姌O，然而多晶硅制備過程中不可避免存在C、N雜質(zhì)的污染，導(dǎo)致其基體中存在大量彌散分布的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒夾雜，嚴(yán)重影響了多晶硅電極的使用性能。
傳統(tǒng)制備技術(shù)下，設(shè)備熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)單一，熔體流動(dòng)性差，導(dǎo)致SiC、Si3N4雜質(zhì)循環(huán)溶解—析出，難以有效分離。本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)前期利用電子束精煉技術(shù)去除硅中的蒸發(fā)性雜質(zhì)（P、 O、N）；利用電子束誘導(dǎo)實(shí)現(xiàn)多晶硅的定向凝固，進(jìn)而分離硅中的金屬雜質(zhì)；基于電子束冷床效應(yīng)分離硅中的SiC、Si3N4硬質(zhì)顆粒，并揭示硬質(zhì)顆粒與硅基體間的位相關(guān)系；基于上述研究開發(fā)出了多晶硅電極的制備工藝，可應(yīng)用于刻蝕等半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
本項(xiàng)目預(yù)期可以為半導(dǎo)體行業(yè)中硅電極生產(chǎn)制造企業(yè)提供穩(wěn)定的技術(shù)支持，具有很好的生產(chǎn)示范性，實(shí)現(xiàn)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。該技術(shù)能夠有效地降低生產(chǎn)過程中的能耗，是一種低成本、環(huán)境友好的生產(chǎn)方法，屬于節(jié)能、環(huán)保的綠色制造技術(shù)。該技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用和推廣，可大幅增加就業(yè)崗位，提高企業(yè)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，保護(hù)環(huán)境。
大連理工大學(xué)
2021-05-10