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本發(fā)明屬于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)環(huán)境協(xié)調(diào)性壓電陶瓷領(lǐng)域，特別涉及一種鈮酸鉀鈉-鋯鈦酸鉍鈉系無鉛壓電陶瓷，該無鉛壓電陶瓷由通式(1-x)(KuNav)NbO3-xBi0.5Na0.5Zr1-yTiyO3表示，式中，0＜x≤0.05, ?0≤y≤0.3，0.40≤u≤0.55，0.45≤v≤0.60，且u+?v=1。本發(fā)明提供的無鉛壓電陶瓷具有較高的壓電性能，所用原料價(jià)格低廉，節(jié)約成本，有利于促進(jìn)實(shí)用化進(jìn)程，在工業(yè)生產(chǎn)中應(yīng)用。

一、項(xiàng)目簡(jiǎn)介該磷化液使用范圍寬，性能穩(wěn)定，處理面積大，沉渣少，成本低廉。磷化速度快，磷化液的使用壽命長(zhǎng)。磷化膜分布均勻，色澤一致，顯著增強(qiáng)鋼鐵表面的耐蝕性和粗糙度。廣泛用于鋼鐵材料的拉拔冷加工。可以不用硝酸配置，安全性好。二、市場(chǎng)前景成本低廉，操作方便，市場(chǎng)廣闊。三、規(guī)模與投資根據(jù)市場(chǎng)需求，包括磷化設(shè)備最大不超過1萬元。四、生產(chǎn)設(shè)備塑料、陶瓷或不銹鋼容器。五、效益分析噸成本約1700元，售價(jià)約2600元。六、合作方式配方出售，教授配制和磷化方法，或提供磷化液。

銅銦鎵硒CIGS是由銅、銦、鎵、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，其對(duì)可見光的吸收系數(shù)為所有薄膜電池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS電池的光電轉(zhuǎn)化效率是各種薄膜太陽能電池之首(19.9％)，接近于市場(chǎng)主流產(chǎn)品晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率，而成本卻是其1/3。與高效率高成本的晶體硅太陽能電池和低效率低成本的非晶硅薄膜太陽能電池相比，CIGS薄膜太陽能電池以其性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)被國際上稱為相當(dāng)具有潛力和下一代廉價(jià)的太陽能電池，已成為光伏領(lǐng)域

該項(xiàng)目針對(duì) 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四種含銘、線合金鋼難磷 化及磷化膜耐蝕性能低的實(shí)際生產(chǎn)難題，深入研究磷化膜的形成過程和磷化機(jī)理, 探討含銘、線合金鋼難磷化的內(nèi)在原因；通過工藝優(yōu)化，開發(fā)出了解決上面4 種合金難磷化問題的高溫鎰系黑色磷化新技術(shù)，開發(fā)了新工藝，應(yīng)用于某廠，建 成了年處理各類零件1200萬件的磷化生產(chǎn)線一條，使廢品率由原來的8~10%降 低為現(xiàn)在的0.5%以內(nèi)。每年產(chǎn)生直接經(jīng)濟(jì)效益近600萬元，節(jié)約成本150萬元。

XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動(dòng)模型 ? XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動(dòng)模型演示錐體外系傳導(dǎo)、紋狀體-黑質(zhì)、皮質(zhì)-紋狀體、紋狀體環(huán)路、背側(cè)丘腦-皮質(zhì)環(huán)路等。 ? 尺寸：34×34×69cm 材質(zhì)：PVC材料+木框 ? 標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ XM-D024錐體外系（紋狀體-蒼白球）電動(dòng)模型：1臺(tái) ■ 電源線：1根 ■ 說明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種粒料煅燒回轉(zhuǎn)窯產(chǎn)品余熱環(huán)形間壁式回收系統(tǒng)及方法，屬于回轉(zhuǎn)窯產(chǎn)品余熱回收技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的回收系統(tǒng)，包括環(huán)形間壁換熱機(jī)構(gòu)和送風(fēng)管換熱機(jī)構(gòu)。高溫段罩體和中溫段罩體均為兩端開口的圓筒，高溫段罩體和中溫段罩體的內(nèi)徑均大于冷卻筒的外徑，高溫段罩體套在所述高溫段上，中溫段罩體套在所述中溫段上。送風(fēng)管換熱機(jī)構(gòu)包括送風(fēng)管，送風(fēng)管包括送風(fēng)管保溫段和送風(fēng)管加熱段，送風(fēng)管加熱段設(shè)于冷卻筒的內(nèi)部，送風(fēng)管加熱段的出口端伸出冷卻筒的進(jìn)料口，送風(fēng)管加熱段的出口端通過管道與燒嘴的空氣進(jìn)口相連通。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了提高回轉(zhuǎn)窯余熱利用效率、減少冷卻水消耗量、減少冷卻設(shè)備被腐蝕的幾率和改善操作環(huán)境的目標(biāo)。  

本發(fā)明公開了一種小容量薄膜電容永磁同步電機(jī)直軸電流給定控制方法，采用小容量的薄膜電容，代替?zhèn)鹘y(tǒng)功率電路中的大容量電解電容，相比傳統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，小容量薄膜電容變頻系統(tǒng)體積得到減小，重量得到減輕。本發(fā)明不需要考慮波動(dòng)的母線電壓對(duì)交直軸參考電流的影響，相比于傳統(tǒng)的直軸電流給定方式更簡(jiǎn)單有效；交直軸電壓給定經(jīng)過陷波器，濾除特定次諧波分量，電流控制器采用內(nèi)

北京大學(xué)物理學(xué)院顏學(xué)慶教授/馬文君研究員團(tuán)隊(duì)近期在激光加速重離子領(lǐng)域獲得重要進(jìn)展。他們利用人工設(shè)計(jì)的雙層納米靶材，獲得了能量高達(dá)580兆電子伏特（MeV）的碳離子，將飛秒激光加速重離子能量記錄提高了兩倍。相關(guān)結(jié)果以” Laser Acceleration of Highly Energetic Carbon Ions Using a Double-Layer Target Composed of Slightly Underdense Plasma and Ultrathin Foil”為題發(fā)表在物理評(píng)論快報(bào)上（Physical Review Letters 122，014803 （2019））。 高能重離子在腫瘤治療、生物輻照、核物理與核能等領(lǐng)域有著廣泛的用途。利用超強(qiáng)飛秒脈沖激光加速重離子一直是激光加速領(lǐng)域的難點(diǎn)。之前的大量實(shí)驗(yàn)研究中，通常只能獲得最高能量為幾兆電子伏特每核子（MeV/u）的重離子。而在相同條件下，質(zhì)子可被加速至近百兆電子伏特，遠(yuǎn)高于重離子。這是因?yàn)椋行Ъ铀僦仉x子，需要將其在加速初始階段就電離到高電荷態(tài)注入到加速場(chǎng)中，并且保持足夠長(zhǎng)的加速時(shí)間。一般情況下，這兩點(diǎn)很難同時(shí)實(shí)現(xiàn)。馬文君研究員團(tuán)隊(duì)在前期工作的基礎(chǔ)上（PRL 115, 064801 (2015)，PRL 113, 235002 (2014), Adv Mater 21(5),603 (2009), Nano Lett 7(8), 2307(2007)），設(shè)計(jì)并制備出了一種由超薄超低密度碳納米管泡沫與類金剛石納米薄膜組成的雙層復(fù)合靶材，成功地同時(shí)實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)條件。復(fù)合靶材在超強(qiáng)飛秒脈沖激光作用下，位于類金剛石納米薄膜中的碳離子，先后經(jīng)歷了光壓電離注入與長(zhǎng)達(dá)數(shù)百飛秒的鞘場(chǎng)加速兩個(gè)過程，最終速度達(dá)到了光速的30%。這是首次利用超短脈沖在實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了重離子的級(jí)聯(lián)加速。圖：本研究結(jié)果（）與已有重離子加速實(shí)驗(yàn)結(jié)果匯總。 他們的理論與數(shù)值模擬工作表明，這種高效的加速方案也適用于金、釷、鈾等重離子。在現(xiàn)有激光條件下，可產(chǎn)生能量為數(shù)十兆電子伏特每核子、密度為傳統(tǒng)束流10^9倍的高能高密度重離子束流。這種高能高密度重離子束團(tuán)將為超重元素合成、短壽命核素加速、溫稠密物質(zhì)等溫加熱等重要物理難題的解決提供新的方案。，將為科學(xué)前沿領(lǐng)域及新興交叉學(xué)科的迅猛發(fā)展帶來新的機(jī)遇。 馬文君研究員為論文第一作者與通訊作者。顏學(xué)慶教授與韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究所的Nam，Chang Hee教授為共同通訊作者。論文主要作者還包括陳佳洱院士、賀賢土院士、M. Zepf教授, J. Schreiber教授, Kim, I Jong教授、林晨研究員、盧海洋研究員和余金清博士等。該項(xiàng)目得到國家重大科技基礎(chǔ)設(shè)施培育項(xiàng)目（2017ZF22）、科技部重大儀器專項(xiàng)、自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目、核物理與核技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和北京市卓越青年科學(xué)家等項(xiàng)目的支持。 相關(guān)文章鏈接如下：Phys. Rev. Lett. 122, 014803 （2019）https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.122.014803Phys. Rev. Lett. 115, 064801 (2015)https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.115.064801

本發(fā)明公開了一種基于 AXI4 總線架構(gòu)的 FCoE 協(xié)議加速引擎 IP 核，屬于以太網(wǎng)光纖通道領(lǐng)域，應(yīng)用于 FCoE 融合網(wǎng)絡(luò)適配器中。本 發(fā)明包括發(fā)送模塊、接收模塊和控制模塊。本發(fā)明建立在 AXI4 總線 架構(gòu)基礎(chǔ)之上，利用 AXI4-Lite 總線對(duì)本發(fā)明 IP 核配置寄存器，利用 AXI4 總線進(jìn)行發(fā)送/接收描述符的讀寫，利用 AXI4-Stream 高速通道 傳送發(fā)送/接收的數(shù)據(jù)。本發(fā)明可以由 FCoE 融合網(wǎng)絡(luò)適配器

1. 痛點(diǎn)問題 數(shù)據(jù)是數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的核心生產(chǎn)要素，但數(shù)據(jù)在自由流通或共享中才能產(chǎn)生更大價(jià)值。數(shù)據(jù)的隱私計(jì)算對(duì)保護(hù)數(shù)據(jù)安全，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)共享與協(xié)作應(yīng)用，破除數(shù)據(jù)孤島，提供合法合規(guī)的監(jiān)管抓手，最大化釋放數(shù)據(jù)價(jià)值有重大的現(xiàn)實(shí)價(jià)值。 零知識(shí)證明、安全多方計(jì)算、差分隱私、同態(tài)加密等現(xiàn)代密碼學(xué)算法具有堅(jiān)實(shí)完善的理論基礎(chǔ)，可以提供最為可靠的數(shù)據(jù)保護(hù)方式。例如，零知識(shí)證明算法已經(jīng)在學(xué)術(shù)界和工業(yè)界受到了廣泛關(guān)注，應(yīng)用于可信計(jì)算、區(qū)塊鏈擴(kuò)容、匿名貨幣等多種場(chǎng)景。然而，受制于算法的復(fù)雜度和硬件的計(jì)算能力，現(xiàn)有零知識(shí)證明等隱私計(jì)算性能仍比明文計(jì)算慢兩到三個(gè)數(shù)量級(jí)，難以有效實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 2. 解決方案 本成果提出了一種高效的流水線芯片架構(gòu)，顯著提升了以零知識(shí)證明為核心的多種隱私計(jì)算和區(qū)塊鏈應(yīng)用中的數(shù)據(jù)處理性能和效率。本成果以算法為核心、以數(shù)據(jù)流為參考、以芯片實(shí)現(xiàn)為目的，通過全流水設(shè)計(jì)，優(yōu)化芯片性能、面積和功耗，多維度解決隱私計(jì)算的算力不足問題，致力于成為新基建“數(shù)據(jù)價(jià)值互聯(lián)網(wǎng)”的基礎(chǔ)設(shè)施。 本成果所提出的芯片架構(gòu)包含兩個(gè)子系統(tǒng)。第一個(gè)子系統(tǒng)主要處理有限域上的高次多項(xiàng)式計(jì)算。通過利用傅里葉變換分解龐大的計(jì)算任務(wù)，同時(shí)對(duì)底層模塊進(jìn)行定制化流水線設(shè)計(jì)，并利用數(shù)據(jù)分片、片上轉(zhuǎn)置等技術(shù)優(yōu)化對(duì)數(shù)據(jù)流的控制。第二個(gè)子系統(tǒng)主要處理橢圓曲線上的大規(guī)模模冪運(yùn)算。采用計(jì)算復(fù)雜度最優(yōu)的Pippenger算法與定制化的數(shù)據(jù)流和底層流水線控制，并結(jié)合實(shí)際場(chǎng)景下的系數(shù)分布規(guī)律采用簡(jiǎn)單高效的任務(wù)分配機(jī)制，用最小的控制邏輯實(shí)現(xiàn)負(fù)載均衡。