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本發(fā)明公開了一種鋁合金周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)的快速成形制造 方法。通過 CAD 軟件構(gòu)建基于點(diǎn)陣單元的周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)的三維 模型，將模型以 STL 格式輸出，導(dǎo)入到 SLM 成形設(shè)備中，激光束根 據(jù)切片層的數(shù)據(jù)選擇性地熔化區(qū)域內(nèi)的鋁合金粉末得到二維的金屬結(jié) 構(gòu)，經(jīng)層層堆積最終可以得到與 CAD 模型一致的三維鋁合金多孔結(jié) 構(gòu)，再經(jīng)過熱處理、分離、噴砂等后續(xù)處理即可得到表面光潔、性能 良好的鋁合金周期性點(diǎn)陣多孔結(jié)構(gòu)。本

本發(fā)明公開了一種利用多請(qǐng)隊(duì)列提高 IO 并行性和減少小 IO 延 遲的方法，包括建立多個(gè)請(qǐng)求隊(duì)列的步驟和利用選擇策略使 IO 請(qǐng)求選 擇相應(yīng)的請(qǐng)求隊(duì)列進(jìn)行處理步驟，從而實(shí)現(xiàn) IO 請(qǐng)求并行運(yùn)行，其中選 擇策略包括：將每個(gè)進(jìn)程與一個(gè)請(qǐng)求隊(duì)列綁定，以使多個(gè)進(jìn)程上的 IO 請(qǐng)求平均分配到多個(gè)請(qǐng)求隊(duì)列上處理；將每個(gè) CPU 與一個(gè)請(qǐng)求隊(duì)列綁 定，以使多個(gè) CPU 上的 IO 請(qǐng)求平均分配到多個(gè)請(qǐng)求隊(duì)列上處理。本 發(fā)明還公開了

本實(shí)用新型屬于無(wú)線電能傳輸技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于無(wú)線電能傳輸技術(shù)的便捷無(wú)破壞性數(shù)據(jù) 采集裝置，包括墻體或阻擋物體和終端，包括源端和負(fù)端，源端包括電源模塊、源端電源變換模塊和發(fā) 射線圈，電源模塊依次連接源端電源變換模塊和發(fā)射線圈；負(fù)端包括接收線圈、負(fù)端電能變換模塊、數(shù) 據(jù)采集設(shè)備和數(shù)據(jù)傳輸模塊，接收線圈依次連接負(fù)端電源變換模塊、數(shù)據(jù)采集設(shè)備和數(shù)據(jù)傳輸模塊；發(fā) 射線圈與接收線圈進(jìn)行能量交換，數(shù)據(jù)傳輸模塊將信息通過網(wǎng)絡(luò)發(fā)送至終端；源端和負(fù)端分別安

本發(fā)明公開了一種尺寸單分散性聚合物納米囊泡及其制備方法和應(yīng)用。該聚合物納米囊泡由兩親嵌段聚合物自組裝形成；其中兩親性嵌段聚合物是指具有親水性和疏水性嵌段的嵌段聚合物；并且疏水嵌段末端由膽固醇或膽固醇酰氯進(jìn)行封端，親疏水嵌段之間由不帶二硫鍵或帶二硫鍵的酯鍵進(jìn)行橋連；其中親水嵌段的分子量占整個(gè)嵌段共聚物分子量的比例為40%-60%。通過將兩親嵌段聚合物溶解于一定比例的二甲基亞砜和甲醇的混合溶劑中，然后用水性溶液進(jìn)行透析，可以制備得到尺寸單分散的納米聚合物囊泡。本發(fā)明的聚合物納米囊泡可應(yīng)用于藥物載體。

本發(fā)明公開了一種基于結(jié)構(gòu)和內(nèi)容二級(jí)過濾的 Web 數(shù)據(jù)相似性檢測(cè)方法，在傳統(tǒng)的通用相似性檢測(cè) 方法的基礎(chǔ)上，發(fā)掘出 Web 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)和內(nèi)容分布的特點(diǎn)，對(duì)檢測(cè)的文檔集進(jìn)行兩級(jí)過濾；兩級(jí)過濾中的 第一級(jí)過濾是結(jié)構(gòu)相似性過濾，對(duì)每個(gè)Web文檔建模為Tag樹結(jié)構(gòu)，從而剔除在結(jié)構(gòu)上不相似的文檔集， 并對(duì)剩余的文檔進(jìn)行關(guān)鍵內(nèi)容抽取，將其表示成元組向量的形式，將關(guān)鍵信息連接起來(lái)生成字符串集； 兩級(jí)過濾中的第二級(jí)過濾則對(duì)第一級(jí)過濾后生成的字符串集進(jìn)行 Trie

本發(fā)明公開了一種基于服役年齡和負(fù)荷水平的變壓器可靠性分 析方法，包括如下步驟：(1)確定變壓器負(fù)荷等級(jí)；(2)確定變壓器在初 始狀態(tài)下的負(fù)荷值；(3)獲取變壓器的熱點(diǎn)溫度；(4)根據(jù)變壓器的熱點(diǎn) 溫度獲取變壓器的絕緣壽命； (5)獲取變壓器的故障概率累計(jì)分布函數(shù)； (6)獲取變壓器在初始狀態(tài)下的平均故障率指標(biāo)以及故障狀態(tài)下的平均 故障率指標(biāo)；(7)獲取連鎖故障啟動(dòng)概率指標(biāo) Pic 和連鎖故障脆弱環(huán)節(jié) 指示量 Pvc；通過對(duì) Pic 與 Pvc 率排序，識(shí)別出系統(tǒng)中處于臨界狀態(tài)的變壓器；本發(fā)明提供的可

一種局部自適應(yīng)可控浸潤(rùn)性耦合微結(jié)構(gòu)強(qiáng)化沸騰換熱方法具體為：在換熱基底微結(jié)構(gòu)頂部設(shè)置電極膜，電極膜與金屬電極連接至電源形成電場(chǎng)，換熱工質(zhì)中帶電金屬納米顆粒在電場(chǎng)作用下間歇吸附于換熱表面，實(shí)現(xiàn)換熱表面浸潤(rùn)性的可控轉(zhuǎn)換；所述金屬電極固定在換熱基底外部；金屬電極優(yōu)選為銅電極、鋁電極，形狀優(yōu)選為板狀、網(wǎng)狀或棒狀。 所述換熱基底材料為金屬如紫銅或單晶硅、藍(lán)寶石、石墨烯等非金屬，可以理解的是，換熱領(lǐng)域常用的換熱材料均適用于本發(fā)明，優(yōu)選導(dǎo)熱性良好的基底材料。換熱基底形狀為平板、圓管或異形，其中異形為換熱領(lǐng)域常見換熱器形狀。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)為尺寸為納米級(jí)或微米級(jí)的微柱、微坑或微槽道；可以理解的是，現(xiàn)有技術(shù)中，所有用于提高換熱效率的微結(jié)構(gòu)均適用于本發(fā)明，優(yōu)選為納米級(jí)或微米級(jí)的方形微柱、矩形微柱、半球形微坑或圓柱形微坑。所述換熱基底微結(jié)構(gòu)的排列方式為規(guī)則排列如陣列式、交錯(cuò)式排列，或?yàn)椴灰?guī)則排列。所述電極膜通過電極引線引出，以將電極膜連通并連接至電源；換熱基底、電極膜、電極引線的表面均絕緣。所述表面絕緣可以通過在表面設(shè)置絕緣層實(shí)現(xiàn)，所述絕緣層厚度為百納米級(jí)。其中，換熱基底材料為單晶硅等非導(dǎo)電材料時(shí)，則無(wú)需設(shè)置絕緣層。所述絕緣層材料為惰性金屬、金屬氧化物、陶瓷或硅膠；優(yōu)選導(dǎo)熱性優(yōu)良的絕緣材料，可以通過摻雜導(dǎo)熱性優(yōu)良材料的方式來(lái)提高絕緣材料導(dǎo)熱性。所述電極膜、電極引線材料為導(dǎo)電材料；優(yōu)選為金屬，進(jìn)一步優(yōu)選為金、銀、銅或鋁。 所述電極膜厚度為百納米級(jí)。所述帶電金屬納米顆粒具有均勻親水性表面、均勻疏水性表面或雙親浸潤(rùn)性表面；親水、疏水或雙親浸潤(rùn)性表面通過改性獲得；帶電金屬納米顆粒尺度為納米級(jí)、微米級(jí)，形狀規(guī)則或不規(guī)則，優(yōu)選為球形或柱形。所述帶電金屬納米顆粒浸潤(rùn)性與換熱基底的浸潤(rùn)性不同，用于改變換熱表面浸潤(rùn)性。如換熱基底表面為親水（或疏水），帶電金屬納米顆粒表面為疏水（或親水），也可以具有雙親浸潤(rùn)性。所述電源為直流電源或交流電源；其中直流電源通過通、斷電實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控；交流電源通過控制交流頻率實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)可控，交流頻率根據(jù)沸騰氣泡動(dòng)力學(xué)周期調(diào)節(jié)。

本發(fā)明公開了一種采用選擇性激光熔化快速成形技術(shù)制備高溫 鈦合金的方法，包括以下步驟：(1)按照鈦合金的名義化學(xué)成分中各元 素的質(zhì)量比例來(lái)配置各元素的粉末，隨后進(jìn)行真空感應(yīng)熔煉；(2)采用 氣霧化制粉法對(duì)熔煉形成的鈦合金進(jìn)行制粉；(3)建立零件三維模型， 并導(dǎo)入到選擇性激光熔化快速成形設(shè)備中；(4)將粉末置入到選擇性激 光熔化快速成形設(shè)備里，并在基板上進(jìn)行零件成形；(5)采用線切割工 藝將成形的零件從基板上分離，再將零

本成果來(lái)自國(guó)家科技計(jì)劃項(xiàng)目，為獲得發(fā)明專利授權(quán)的專利成果（ZL201210004700.X）。該成果可應(yīng)用于新一代視頻監(jiān)控、視頻通信等領(lǐng)域。