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等離子體增強化學氣相沉積（PCVD）技術
等離子體增強化學氣相沉積（PCVD）技術是在一定溫度和氣壓的真空爐內通入工作氣體，產生輝光放電，激活沉積反應，從而在基材表面形成耐磨損、抗氧化的陶瓷涂層。本項目為PCVD工業生產型設備及模具強化成套技術，1999年1月通過了國家教育部組織的技術鑒定，認為該項目在設備總體結構的優化設計、逆變式脈沖直流等離子體技術、脈沖直流PCVD法制備高性能TiN陶瓷涂層和
西安交通大學
2021-01-12
一種細化稀土鎂合金中富稀土相的方法
本發明屬于金屬材料的制備及鑄造成形技術領域，涉及到一種 細化稀土鎂合金中富稀土相的方法。稀土鎂合金中的“稀土”是指鎂 合金中含有以下稀土元素中的一種、二種或多種：RE(RE 為 Ce 及 La 混合稀土，其中 Ce 的質量百分比為 50％～70％，余量為 La)0.5％～ 4％；Y-0.5～2％；Nd2～3％；Gd-1～5％，等。將高于液相線溫度 0～ 40℃的鎂合金液澆入到預熱至預設溫度的盛漿容器內，降下變幅桿至 金屬液面以下 1～25mm，同時啟動超聲振動。超聲振動時間為 1～ 8min，振動結束后，金屬熔體溫度控制在液相線溫度以下 5～50℃。 振動后的金屬熔體成形得到的鎂合金零件，晶粒尺寸和富稀土相尺寸 要比未超聲振動的組織細化很多，本發明可用于稀土鎂合金的制漿工 藝、后續流變鑄造以及稀土鎂合金零件的成形。
華中科技大學
2021-04-13
限進克倫特羅分子印跡固相提取整體柱
限進克倫特羅分子印跡整體柱是可以用于生物樣品中的克倫特羅選擇性提取的固相萃取柱。是一種新型的多功能分離材料，這種材料結合了分子印跡和限進材料雙重特性。材料中有分子印跡聚合物層，具有對于克倫特羅的識別位點，對克倫特羅及其結構類似物具有很強的選擇性親和能力；材料也具有大分子限進層，可以對大分子進行排阻，使其不能進入內部分子印跡結合層，避免生物樣品中的蛋白在柱上沉淀及對于識別性結合的干擾。 限進克倫特羅分子印跡整體柱用于生物樣品中克倫特羅的分析時，樣品可
南開大學
2021-04-14
采用氫化物氣相外延（HVPE） 技術制備 GaN 襯底
成果簡介隨著技術發展， 對于大功率白光 LED 而言， 發光效率的提高一直是個瓶頸。針對 GaN 基器件， 由于同質 GaN 襯底價格昂貴， 因此一直沒有被普遍應用到 GaN基材料生長領域。 目前一般采用在異質襯底上生長 GaN 基材料， 國內外一般采用藍寶石襯底、 碳化硅襯底、 硅襯底等等。 這導致 GaN 基材料與異質襯底之間的熱膨脹系數、 晶格系數的不匹配， 從而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量級。 高密度的缺陷直接導致光電器件發
安徽工業大學
2021-04-14
級聯直流變直流匯集并網拓撲及移相控制方法
新能源發電廣泛通過交流母線接入柔性直流電網之后，并入交流大電網當中，即采用交流匯集，直流送出的形式。交流匯集側由于與大電網相脫離，因而容易發生寬頻振蕩等穩定性問題，造成系統故障、停運、保護甚至燒毀設備等嚴重后果。系統穩定及振蕩的問題成為限制新能源經柔直送出大規模并網的一個瓶頸問題。
采用直流匯集的方式能夠有效改善交流系統當中的寬頻振蕩問題，提升新能源并網惠及發電的穩定性和可靠性，提出的技術解決方案提出了新能源發電，經級聯直流，dc/dc變流器并網拓撲及移相控制方法，能夠有效地改善新能源經柔直，匯集并網送出的穩定性和可靠性，并且通過一項控制的方法，可使輸出的直流電流和電壓更加平穩。
在級聯DC/DC實現MPPT控制的基礎上，針對獨立輸入串聯輸出的級聯DC/DC系統結構在光照不均時不能實現均壓的問題，以及DC/DC輸出側串聯電壓跨度大、并網電流紋波大的問題，在拓撲中增設LC濾波器，又提出一種組合電平法的移相控制策略，在保證傳輸線路電壓穩定的同時，有效減少了并網電流的紋波。
創新點
針對模塊化級聯DCDC系統，當光照不均時，DCDC輸入功率不同，由于輸出側串聯，輸入功率的不同會導致輸出側的均壓問題，為此，在原有的DCDC拓撲基礎上增加一個后級均壓單元，由一個二極管和開關管組成，并且采用移相控制策略，可有效實現輸入功率不同時，級聯模塊輸出側的均壓穩流效果。
市場前景
新能源直流匯集直流升壓是未來建設多電壓等級直流電網的重要組成部分，其中升壓變流器是其中的關鍵技術裝備，因而其控制特性顯著影響系統的持續穩定可靠運行。
應用案例
新能源直流升壓匯集示范工程
華北電力大學
2023-07-20
FYQQ系列三相異步電動機
FYQQ系列電動機是封閉自冷式鼠籠型三相異步電動機，具有較高的起動轉矩和良好的低頻特性，特別適用于有沖擊負荷的場合，在這種場合下使用比一般電機節電。本電機為噴氣織機用主電機，適用于引進日本津田駒技術生產的噴氣織機，完全可以替代進口電機，電動機起動時為△接法，起動完畢后換為Y接法，外殼防護等級為IP44，冷卻方式為IC411， 額定電壓為380V，額定頻率為50HZ。
結構及安裝方式
IMB3型：臥式，機座帶底腳，端蓋無凸緣。無接線盒，采用出線板方式出線。
青島天一集團紅旗電機有限公司
2021-09-13
24045手搖三相交流發電機
寧波浪力儀器有限公司（余姚市朗海科教儀器廠）
2021-08-23
利用超高效液相色譜-質譜聯用技術和化學模糊識別研究中藥復雜成分配伍相互作用的方法
【發 明 人】唐于平；段金廒；沈娟；陶偉偉 【摘要】 本發明公開了一種超高效液相色譜-質譜聯用(UPLC-PDA-MS)技術和“化學模糊識別”對中藥復雜成分配伍相互作用進行研究的方法。本發明通過大量實驗對色譜條件與質譜條件、TQ-MS和PDA檢測條件等進行了系統優化，確定了最佳的檢測方法，方法學檢測結果表明該方法具有靈敏度高，精密度和準確度高，重復性好，穩定可靠的優點法，該方法可以克服中藥復雜成分鑒
南京中醫藥大學
2021-04-14
InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法
本發明是關于半導體材料領域，旨在提供InVO4/g-C3N4復合材料的制備方法。本發明包括如下步驟：將H2SO4水溶液逐滴加入三聚氰胺水溶液中形成白色懸浮液；80℃下攪拌2h后獲得沉淀，過濾，并用蒸餾水和無水乙醇洗滌，干燥處理后獲得三聚氰胺硫酸鹽；獲得g-C3N4顆粒；將g-C3N4顆粒分散到無水乙醇中得到分散體系，將偏釩酸銨水溶液逐滴加入該混合溶液中形成黃色澄清溶液；攪拌獲得沉淀，過濾、洗滌，加入表面活性劑并進行水熱反應；所得沉淀過濾，獲得InVO4/g-C3N4復合材料。本發明的有益效果是：解決了InVO4納米晶的形核、生長問題，促使InVO4納米晶在疏松g-C3N4顆粒表面原位生長。
浙江大學
2021-04-13
一類N-取代胺基香豆素及其除草與殺菌用途
本發明涉及25種N?取代氨基香豆素衍生物及其制備方法，以及在抑菌、除草方面的用途。25種N?取代氨基香豆素衍生物，通過6?氨基香豆素與間氟苯甲醛縮合并用NaBH4還原得中間體，再將其與不用酰氯在三乙胺存在下縮合得系列目標化合物。這些化合物可作為除草劑防治雜草馬唐及反枝莧，也可作為殺菌劑防治番茄灰霉病菌及蘋果腐爛病菌。
青島農業大學
2021-04-13