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本發(fā)明公開了一種基于 WAMS 時間斷面信息和拓撲信息的故障 診斷方法。該方法包括： (1)通過 WAMS 獲取互聯(lián)電網(wǎng)中各量測點的三 相電壓和電流的幅值和相角數(shù)據(jù)；(2)使用獲取的三相電壓和電流的幅 值數(shù)據(jù)按照故障診斷啟動判據(jù)進行計算；(3)對滿足故障啟動判據(jù)的量 測點三相電壓和電流的幅值數(shù)據(jù)進行實時特征量提取，形成實時模式 向量；(4)將量測點 i 提取的實時模式向量與預設的已知故障類型的基 準模式向量集合相匹配，根據(jù)匹配結果給出初步故障結果；(5)根據(jù)時 間信息和電網(wǎng)拓撲信息對滿足啟動判據(jù)的量

一種動態(tài)條件下的輸電線路故障雙端測距方法，它經(jīng)過輸電線路兩端相量測量單元獲取兩端電壓電流信號后，依據(jù)線路參數(shù)的估計和動態(tài)線路參數(shù)的方法，得到動態(tài)正序阻抗、導納、波阻抗和傳播系數(shù)，最后依據(jù)兩端推導至故障點的正序電壓相等，應用牛頓迭代法求解關于故障距離的非線性方程，從而得到輸電線路故障動態(tài)測距結果。該方法能更有效地解決動態(tài)條件下的線路參數(shù)和故障距離估計，故障測距結果精確、可靠。

本發(fā)明公開了一種感應電機矢量控制系統(tǒng)功率管開路故障的在線檢測方法，包括：通過矢量控制驅(qū)動系統(tǒng)中已有的電流傳感器和速度傳感器分別測出三相電流和轉(zhuǎn)速；再通過坐標變換計算出轉(zhuǎn)子磁鏈定向的同步旋轉(zhuǎn)坐標系下的 d 軸電流和 q 軸電流；將正常工作時的初始角代替故障時的初始角來重構 a 相電流相位角，將重構的電流相位角劃分為六個階段；將檢測的 d 軸、q 軸電流與給定的 d 軸、q 軸電流進行比較，獲得電流偏差 Eid 和 Ei

本發(fā)明公開了一種基于分層時間模糊 Petri 網(wǎng)的輸電網(wǎng)故障診斷 方法，屬于電力技術領域；現(xiàn)有技術中的 Petri 網(wǎng)模型應對不確定及缺 失的報警信息的容錯能力仍有待加強；本發(fā)明的分層時間模糊 Petri 網(wǎng) 模型，包括分層子模型和綜合診斷模型，在保護和斷路器發(fā)生誤動或 拒動、報警信息缺失以及發(fā)生多重故障等情況下，均能給出正確的診 斷結果，具有較好的應用前景。 

本發(fā)明提出了一種對稱雙極 MMC 直流側單極接地故障穿越和 恢復方法。本發(fā)明通過直流斷路器和換流器的配合，實現(xiàn)了對直流故 障電流的開斷和功率的恢復，保護換流器的安全運行。通過健全極和 故障極的有功功率和無功功率配合減小了故障期間換流站的有功功率 缺額，同時向電網(wǎng)提供額定的無功功率，減小了故障對交流系統(tǒng)的沖 擊；通過對換流器上、下橋臂參考電壓共模分量的主動控制，避免了 換流器因重合閘失敗導致的過大的電流浪涌應力給系統(tǒng)安全運行帶來 的風險。基于對稱雙極 MMC 直流側發(fā)生雙極短路故障可看成正負極 直流母

本發(fā)明提供一種HVDC系統(tǒng)換流母線外部故障的人工智能識別方法。其特點是該方法利用小波變換多尺度分解算法，把系統(tǒng)故障信號分解到不同頻段，以不同頻段信號小波能量偏度作為故障診斷特征向量，再結合BP神經(jīng)網(wǎng)絡實現(xiàn)交流系統(tǒng)故障類型的準確識別。該方法與以往交流系統(tǒng)故障類型識別方法相比較，從能量分布的角度，只需對一個故障信號進行特征提取，不受系統(tǒng)運行方式的影響，操作簡單，準確性好，可性度高。

研究太赫茲寬帶無線通信系統(tǒng)中基于小波包變換的正交多載波 調(diào)制、峰均比抑制、信道編碼以及利用壓縮感知和凸優(yōu)化的新型信道 估計等關鍵技術。構建太赫茲寬帶無線通信系統(tǒng)基帶處理實驗平臺， 用 FPGA 硬件驗證具有上述關鍵技術的基帶系統(tǒng)，并對其性能做出評 估。探索出一種更加適合于太赫茲通信系統(tǒng)的新理論和新方法，不僅 為具有全新通信方式和頻譜管理模式的太赫茲無線通信技術提供新 的解決方案，也能為其它寬帶高速無線通信技術提供有效的方法。

本發(fā)明提供一種電話通信網(wǎng)絡中節(jié)點敏感性排序的方法

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎和核心。小到手機、電腦、數(shù)碼相機，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結構不斷優(yōu)化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創(chuàng)信息時代一樣，當下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢已是必然。相對于電子驅(qū)動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽w同質(zhì)集成光電子芯片以實現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創(chuàng)新優(yōu)勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結構的簡單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質(zhì)材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經(jīng)驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數(shù)與電學參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現(xiàn)了對人體脈搏的監(jiān)測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現(xiàn)了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點亮照明的同時，實現(xiàn)對外界光信號的探測與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現(xiàn)多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優(yōu)秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權中國發(fā)明專利23項，美國發(fā)明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎等。

本發(fā)明公開了一種對多天線通信系統(tǒng)的天線通道進行刻度的方 法，屬于大規(guī)模 MIMO 無線通信技術領域。本發(fā)明在刻度輔助系統(tǒng)的 存在下，待刻度的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)通過與刻度輔助系統(tǒng)進行上、下 行的信道估計，待刻度的大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)利用上行的估計信道和刻 度輔助系統(tǒng)反饋而來的下行估計信道來對自身的天線通道進行刻度。 本發(fā)明能夠有效解決 TDD 雙工模式下，大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)的上、下 行信道不滿足理想互易性的問題，而且不需要在待刻度系統(tǒng)端增加額 外的硬件開銷，且輔助系統(tǒng)不必與待刻度大規(guī)模 MIMO 系統(tǒng)完全時鐘 同步、頻率同步。