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一種薄膜型LED器件及其制造方法
本發(fā)明公開一種薄膜型LED器件及其制造方法，本發(fā)明器件包括：薄片型線路基板，免金線倒裝結(jié)構(gòu)LED芯 片以及一層透光保護(hù)膜。本器件LED芯片為倒裝結(jié)構(gòu)，芯片電極通過共晶焊接方式固定于薄片型基板，實現(xiàn)免金線鍵合的電氣互聯(lián)，一層透光保護(hù)膜覆蓋于芯片和 基板表面。本發(fā)明公開的LED器件電極位于器件底部，易于實現(xiàn)表面貼裝技術(shù)。本發(fā)明公開器件厚度在0.25-0.6mm之間，具有厚度薄，體積小，發(fā)光角 度大，光效高，可靠性高，制造工藝簡單，生產(chǎn)效率高，成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，適合大功率及普通功率LED封裝，可廣泛應(yīng)用于照明、顯示等領(lǐng)域。截至目前，已累計創(chuàng)造產(chǎn)值超過33.66億元，新增利潤2.60億元。2017年，以本專利技術(shù)為核心的科技成果“半導(dǎo)體發(fā)光器件跨尺度光功能結(jié)構(gòu)設(shè)計與制造關(guān)鍵技術(shù)”獲得廣東省人民政府頒發(fā)的廣東省科技進(jìn)步一等獎，并且本專利獲得中國專利優(yōu)秀獎。
華南理工大學(xué)
2021-04-10
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關(guān)于高Tc薄膜鐵電材料機(jī)制的研究
基于過去發(fā)展的基于第一性原理電子結(jié)構(gòu)計算的有限溫度下鐵電-順電相變模擬手段，指出Fisher等人提出的有限尺寸標(biāo)度理論存在缺陷，并針對鐵電-順電相比提出修正方法。此理論缺陷存在的本質(zhì)原因是理論推導(dǎo)過程中對體材到薄膜演變過程中哈密頓量變化的忽視，是由當(dāng)時實驗技術(shù)與針對具體材料物性理論模擬手段的局限造成的。新發(fā)展出來的修正方法可廣泛適用于類似鐵電材料的物性模擬。 研究中，以SnTe作為一個例子，來研究標(biāo)度律不成立的體系；以BaTiO3為一個例子，來描述標(biāo)度律成立的體系。通過對比兩類材料在從體材到薄膜變化過程中電子結(jié)構(gòu)與相變溫度變化的規(guī)律，作者發(fā)現(xiàn)相變序參量的變化可以作為一個描述子，來區(qū)分此兩類系統(tǒng)。在標(biāo)度律成立的體系，體材與薄膜的相變序參量并不發(fā)生變化，這個也是70年代Fisher等人提出標(biāo)度律的一個基本假設(shè)。而對SnTe這類材料，在從體材到薄膜的演化過程中，相變序參量已經(jīng)發(fā)生了變化。這一機(jī)制也為尋找、預(yù)測和設(shè)計低維高Tc鐵電材料提供了新思路。不同于之前研究常采用的施加應(yīng)變等外部調(diào)制手段，新機(jī)制預(yù)測的低維鐵電材料具備本征高Tc，更易于脫離實驗室條件走向工業(yè)生產(chǎn)。課題組期待這一工作能激發(fā)更多高Tc鐵電材料的發(fā)現(xiàn)。圖1. 材料的相變序列(a) 滿足標(biāo)度律的傳統(tǒng)鐵電材料；(b) 不滿足標(biāo)度律的二維鐵電材料；(c) 不滿足標(biāo)度律的一維鐵電材料。當(dāng)且僅當(dāng)材料的低維相變序列發(fā)生改變時，標(biāo)度律不成立，該材料有可能發(fā)現(xiàn)高Tc，即(b)(c)，有待于進(jìn)一步的實驗發(fā)現(xiàn)。
北京大學(xué)
2021-04-11
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一種用于薄膜間歇進(jìn)給的夾持裝置
本發(fā)明公開了一種用于柔性薄膜間歇進(jìn)給的夾持裝置，包括：支撐底座、驅(qū)動組件、固定安裝在驅(qū)動組件上的固定夾持件和可移動地安裝在驅(qū)動組件上的移動夾持件，其中兩個夾持件的結(jié)構(gòu)相類似，并包括基座、沿著豎直方向設(shè)置的單個驅(qū)動氣缸、與驅(qū)動氣缸的活塞固定相連的水平支撐板、通過一對豎直導(dǎo)向軸與支撐板相連并共同構(gòu)成框架結(jié)構(gòu)的上夾板、位于上夾板與支撐板之間的下夾板，以及分別用于容納安裝豎直導(dǎo)向軸并固定在下夾板兩端的一對直線軸承。通過本發(fā)明，可以避免雙氣缸驅(qū)動所引發(fā)的卡死或壓力不均現(xiàn)象，并通過直線軸承軸及相應(yīng)結(jié)構(gòu)來避免氣缸等元件的損壞，提高進(jìn)給精度和夾持穩(wěn)定性，由此能保證對薄膜更為精確的夾持及輸送操作。
華中科技大學(xué)
2021-04-11
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薄膜電致電光器件的大平面制備方法
薄膜電致發(fā)光器件作為顯示器件主要用于工業(yè)現(xiàn)場儀表顯示、車站、機(jī)場、銀行、證券交易市場、街頭廣告信息顯示，作為大平面高清晰顯示可用于各種會場、廣場高清晰電視彩像顯示，及可檢索軍用地圖、筆記本電腦及賓館等山水、立體彩色裝飾。其特點(diǎn)為全固體化、亮度高、壽命長、可大平面化和可裝飾表面。響應(yīng)速度快，使用溫度范圍寬。由于制備方法簡單較之國內(nèi)外同類產(chǎn)品成本低，可批量工業(yè)
西安交通大學(xué)
2021-01-12
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一種薄膜密封的活塞發(fā)聲器
一種薄膜密封的活塞發(fā)聲器，具有腔體，活塞和托持腔體的支座，活塞與腔體同軸，腔體一端開口、另一端有端板，端板上設(shè)置安裝孔，活塞位于腔體的開口端；密封薄膜封閉腔體的開口形成發(fā)聲腔，密封薄膜有彈性，活塞的發(fā)聲端面與密封薄膜貼合；腔體上開設(shè)有均壓孔，均壓孔連通外界與發(fā)聲腔，均壓孔開設(shè)于端板上。安裝孔用于安裝被校準(zhǔn)傳感器。本實用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：用密封薄膜封閉腔體形成發(fā)聲腔，腔體上僅通過設(shè)置的均壓孔和外界大氣連通，以實現(xiàn)靜壓均衡機(jī)制，由于均壓孔的孔徑極細(xì)，所以發(fā)聲腔體具有較大的時間常數(shù)，從而大幅降低活塞發(fā)聲器的下限工作頻率。
浙江大學(xué)
2021-04-13
一種電調(diào)光反射率薄膜
本發(fā)明公開了一種電調(diào)光反射率薄膜。包括第一光學(xué)介質(zhì)層，依次設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層上表面的第一陽極、第二光學(xué)介質(zhì)層和第二陽極，以及設(shè)置在第一光學(xué)介質(zhì)層下表面的陰極，陰極為勻質(zhì)導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，第一陽極和所述第二陽極均由其上布有 M×N 元陣列分布的納孔的導(dǎo)電膜構(gòu)成；通過調(diào)變加載在第一陽極和陰極間的第一時序電壓信號以及加載在第二陽極和陰極間的第二時序電壓信號，調(diào)變陰極上的陣列化電子的密度和分布形態(tài)，進(jìn)而調(diào)變電調(diào)光反射率薄膜的光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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大尺寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及器件
本技術(shù)涵蓋大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝及裝備、晶圓制備、單晶薄膜制備及聲表面波器件，實現(xiàn)材料、裝備、器件協(xié)同發(fā)展。主要針對8英寸鈮酸鋰晶體、單晶薄膜及聲表面波器件進(jìn)行開發(fā)研究，該技術(shù)屬于我國“卡脖子”技術(shù)，目前國際市場空白。在鈮酸鋰晶體生長方面，開發(fā)了大尺寸智能單晶生長設(shè)備及工藝，包括大尺寸鈮酸鋰晶體生長模擬仿真設(shè)計、鈮酸鋰熔體-晶體固液界面特性與控制、大尺寸鈮酸鋰晶體生長工藝開發(fā)、生長-檢測-分析-控制人工智能系統(tǒng)。采用離子束切片鍵合技術(shù)制備鈮酸鋰單晶薄膜，突破傳統(tǒng)的薄膜制備方法無法制備單晶鈮酸鋰薄膜
山東大學(xué)
2021-04-14
鎂基金屬玻璃薄膜及其制備方法和應(yīng)用
本發(fā)明公開了一種鎂基金屬玻璃薄膜及其制備方法，它的化學(xué) 通式為 MgaCubYc，其中，a，b，c 為原子百分比，46.30≤a≤58.01， 24.61≤b≤28.96，13.18≤c≤24.74，且 a+b+c=100。本發(fā)明還公開了 一種鎂基金屬玻璃薄膜的制備方法，其采用磁控濺射制備得到，包括： 將 Mg、Cu 和 Y 按一定配比制備成合金靶；使用單晶硅片及普通玻璃 片作為薄膜的基底；將合金靶及薄膜基底放入濺射腔中，進(jìn)行磁控
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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快速響應(yīng)的水凝膠薄膜光學(xué)傳感技術(shù)
本技術(shù)是利用智能水凝膠的刺激響應(yīng)性，結(jié)合Fabry-Perot薄膜干涉現(xiàn)象提出的新型光學(xué)傳感方法。本技術(shù)使用的水凝膠薄膜厚度僅數(shù)微米，因此具有響應(yīng)速度快速的特點(diǎn)。可檢測的項目包括溫度、pH值、葡萄糖等。可與光纖傳感技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)遠(yuǎn)程傳感。
南開大學(xué)
2021-04-14
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硅基薄膜太陽能電池制備技術(shù)
本項目采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。
一、項目分類
關(guān)鍵核心技術(shù)突破
二、成果簡介
太陽能是大自然賜予人類最清潔，最豐富的能源資源，目前商用的太陽能電池以晶體硅電池為主，由于晶體硅消耗硅料較多，近年來人們一直致力于開發(fā)硅薄膜電池。非晶硅薄膜電池已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化生產(chǎn)并有了一定的市場份額，但它仍存在不足之處，包括光致衰減效應(yīng)和轉(zhuǎn)換效率不高(約6％)等。本項目在國家863計劃課題(2006AA03Z219)支持下，開展了以多晶硅薄膜、微晶硅薄膜和納米晶薄膜的制備和相關(guān)材料的單結(jié)與疊層硅基太陽能電池關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)申請發(fā)明專利5項，發(fā)表科研論文20余篇。
三、創(chuàng)新點(diǎn)以及主要技術(shù)指標(biāo)
1.利用LPCVD方法和自擴(kuò)散技術(shù)生長多晶硅p-n結(jié)，結(jié)合層轉(zhuǎn)移技術(shù)制備多晶硅薄膜太陽能電池；
2．采用金屬誘導(dǎo)晶化和快速熱處理技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)多晶硅薄膜的制備并在低溫下制備太陽能電池；
3.在PECVD和HWCVD生長硅薄膜時，通過生長溫度，氣體流量，氫氣稀釋比，腔室氣壓等參數(shù)實現(xiàn)微晶硅或者納米晶薄膜的生長；
4.采用雙層膜技術(shù)減小表面處入射光的反射并實現(xiàn)表面鈍化，提高入射光的收集率和少數(shù)載流子壽命；
5.采用高低結(jié)結(jié)構(gòu)增加光生載流子的收集效率；
6.采用隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)疊層太陽能電池的制備，擴(kuò)展電池的光譜收集范圍，提高電池的轉(zhuǎn)換效率。
四、知識產(chǎn)權(quán)及獲獎
國家863項目(2006AA03Z219)
南京航空航天大學(xué)
2022-08-12